江(jiang)蘇(su)華興激光科技(ji)有限公(gong)司(si)成立(li)于(yu)2016年,是一家專注(zhu)于(yu)化合物半導(dao)體光電(dian)子外(wai)延片(pian)研發(fa)和制(zhi)造的(de)高(gao)新技(ji)術企業(ye),主要基于(yu)先進半導(dao)體技(ji)術制(zhi)備(bei)以(yi)磷化銦(InP)、砷(shen)化鎵(GaAs)為基底(di)的(de)不同結構和功能的(de)光電(dian)子外(wai)延片(pian),廣泛應用于(yu)通信、醫美等領域。
公(gong)司(si)位于江蘇省徐州(zhou)市邳州(zhou)市經濟開發區半導體材(cai)料(liao)與設備產業園,占地30畝(mu),建筑面積2.3萬平(ping)方米,其中百級、千級、萬級潔(jie)凈車間5000余平(ping)方米。公(gong)司(si)擁有多條砷化鎵、磷化銦外(wai)延片(pian)(pian)生產線,包括材(cai)料(liao)外(wai)延生長(chang)、微(wei)納結(jie)構加工和(he)分(fen)析檢測等環節。公(gong)司(si)技(ji)術(shu)團隊通過長(chang)期自主研發和(he)迭代(dai),掌握化合物半導體光電子芯片(pian)(pian)材(cai)料(liao)核心技(ji)術(shu),已(yi)累計獲得授權專利(li)40余項。
專利號/專利申請號 | 專利名稱 | 專利詳情 |
ZL201210150154.X | 制作砷化銦/磷化銦量子點激光器有源區的方法 | 第二十二屆中國專利優秀獎(2020年) |