芒果视频

主要經歷

1935年元(yuan)旦，王陽元(yuan)出生于浙江(jiang)寧波柴橋(qiao)鎮一個普通勞動者的家庭(ting)，由于是在(zai)陽歷年元(yuan)旦出生，祖(zu)父為(wei)他起名陽元(yuan)。

1941年(nian)，王(wang)陽元在(zai)柴橋小學(xue)學(xue)習，從上小學(xue)起，就刻(ke)苦用功，各(ge)科學(xue)習成績年(nian)年(nian)都名列前茅。

1947年，王陽(yang)元(yuan)小學(xue)(xue)畢業，并且以(yi)寧波(bo)市鎮海區統考第(di)一(yi)(yi)名(ming)的(de)(de)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)績考上(shang)了(le)省立寧波(bo)中學(xue)(xue)，在中學(xue)(xue)時期，他不(bu)僅養成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)了(le)健康的(de)(de)生活和學(xue)(xue)習習慣，還(huan)樹立了(le)要成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)為(wei)一(yi)(yi)個(ge)對(dui)祖(zu)國、對(dui)人民(min)有貢獻的(de)(de)科(ke)(ke)學(xue)(xue)家的(de)(de)堅定理想。在寧波(bo)中學(xue)(xue)的(de)(de)時候(hou)，王陽(yang)元(yuan)以(yi)其《未來(lai)的(de)(de)科(ke)(ke)學(xue)(xue)家——宇耕在成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)長(chang)》一(yi)(yi)文聞名(ming)于全班。“宇耕”是(shi)王陽(yang)元(yuan)為(wei)自(zi)己起的(de)(de)筆名(ming)，意為(wei)“宇宙的(de)(de)耕耘(yun)者”。

1953年，考(kao)入北京大學。

1956年(nian)，周恩來總(zong)理親自(zi)主持制定(ding)了(le)(le)12年(nian)科學規劃后，半導體作(zuo)(zuo)為(wei)五大(da)門類學科之一(yi)得以(yi)重(zhong)點(dian)發展，北大(da)再一(yi)次云集了(le)(le)一(yi)大(da)批(pi)優秀的(de)半導體專(zhuan)家。王陽(yang)元作(zuo)(zuo)為(wei)第一(yi)批(pi)學生被重(zhong)點(dian)培養(yang)。其間，他(ta)學習了(le)(le)有關半導體理論(lun)與技術(shu)的(de)多方面(mian)知識，為(wei)長期(qi)在微電子領域開展工作(zuo)(zuo)奠定(ding)了(le)(le)扎實的(de)基礎。

1958年，畢業于(yu)北京大學(xue)物理系，之后留校任(ren)教(jiao)，在北京大學(xue)工作。

1982年，美國加州大(da)學伯(bo)克(ke)利(li)分校高級訪問學者(zhe)（至1983年）。

1995年，當選為(wei)中國(guo)科(ke)學院信息技術(shu)科(ke)學部院士。王陽元現為(wei)北(bei)京大學信息科(ke)學技術(shu)學院教授（1985年）、微電子學研究院首(shou)席(xi)科(ke)學家。

王陽元發(fa)表科(ke)研(yan)論文(wen)230多篇，出版著作6部，現有17項重大科(ke)技成(cheng)果。獲全(quan)國科(ke)學大會獎(jiang)、國家(jia)發(fa)明(ming)獎(jiang)、國家(jia)教委(wei)科(ke)技進(jin)步一(yi)等獎(jiang)、光華科(ke)技基(ji)金一(yi)等獎(jiang)等共16項國家(jia)級和部委(wei)級獎(jiang)勵。

主要作品

70年代主持研(yan)(yan)制(zhi)成功我國第一(yi)塊1024位MOS隨機存(cun)儲器(qi)(qi)，是我國硅柵(zha)N溝道(dao)技術開拓者之(zhi)一(yi)，此后在(zai)多(duo)晶(jing)硅薄(bo)膜物理和(he)氧化動(dong)力學研(yan)(yan)究方(fang)(fang)面(mian)(mian)提出了(le)(le)(le)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)多(duo)晶(jing)硅氧化模(mo)型和(he)氧化動(dong)力學工(gong)程應用方(fang)(fang)程和(he)特征參數。被(bei)國際(ji)同行認為"在(zai)微(wei)電子領域處理了(le)(le)(le)對(dui)(dui)許多(duo)工(gong)作(zuo)(zuo)者都(dou)有(you)重要(yao)意義的(de)(de)(de)課題"，“對(dui)(dui)現(xian)實工(gong)藝過(guo)程研(yan)(yan)究具(ju)有(you)重要(yao)的(de)(de)(de)指(zhi)導(dao)意義。”在(zai)絕緣襯底上(shang)(shang)生長硅單晶(jing)薄(bo)膜（Silicon On Insulator-SOI）和(he)TFSOI/CMOS電路(lu)(lu)研(yan)(yan)究中，發(fa)現(xian)了(le)(le)(le)磷摻雜對(dui)(dui)固(gu)相外(wai)延速率的(de)(de)(de)增強效(xiao)應以及CoSi2柵(zha)對(dui)(dui)器(qi)(qi)件抗輻照特性的(de)(de)(de)改(gai)進作(zuo)(zuo)用。在(zai)SOI/CMOS器(qi)(qi)件模(mo)型和(he)電路(lu)(lu)模(mo)擬工(gong)作(zuo)(zuo)方(fang)(fang)面(mian)(mian)，提出了(le)(le)(le)SOI器(qi)(qi)件浮(fu)體效(xiao)應模(mo)型和(he)通過(guo)改(gai)變器(qi)(qi)件參量抑(yi)制(zhi)浮(fu)體效(xiao)應的(de)(de)(de)工(gong)藝設計技術，擴充了(le)(le)(le)SPICE模(mo)擬軟件。在(zai)SOI/CMOS新(xin)(xin)結(jie)構電路(lu)(lu)研(yan)(yan)究方(fang)(fang)面(mian)(mian)，開發(fa)了(le)(le)(le)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)深亞微(wei)米器(qi)(qi)件模(mo)型和(he)電路(lu)(lu)模(mo)擬方(fang)(fang)法，研(yan)(yan)究成功了(le)(le)(le)多(duo)種新(xin)(xin)型器(qi)(qi)件和(he)電路(lu)(lu)。在(zai)MOS絕緣層物理與小(xiao)尺寸器(qi)(qi)件物理研(yan)(yan)究，與合(he)作(zuo)(zuo)者一(yi)起提出新(xin)(xin)的(de)(de)(de)預測深亞微(wei)米器(qi)(qi)件可靠性的(de)(de)(de)分析和(he)測試(shi)方(fang)(fang)法。首(shou)次在(zai)國際(ji)上(shang)(shang)實現(xian)了(le)(le)(le)有(you)關陷阱電荷三(san)個基本(ben)參量（俘獲截面(mian)(mian)、面(mian)(mian)密度和(he)矩心）的(de)(de)(de)直(zhi)接測量和(he)在(zai)線檢測。

在80年(nian)代(dai)和(he)(he)90年(nian)代(dai)分別研究亞(ya)微米/深(shen)亞(ya)微米CMOS復合(he)柵結構和(he)(he)多晶(jing)(jing)硅(gui)發射極(ji)超高速(su)電路(lu)，與合(he)作者一(yi)起(qi)在理論上(shang)提出了一(yi)個(ge)新(xin)的(de)、能夠更準確反映多晶(jing)(jing)硅(gui)發射極(ji)晶(jing)(jing)體管物理特性的(de)解析模(mo)型，被國(guo)際(ji)(ji)同行(xing)列為國(guo)際(ji)(ji)上(shang)有(you)代(dai)表(biao)性的(de)模(mo)型之一(yi)。對中國(guo)獨立自主發展(zhan)超大規模(mo)集成電路(lu)產業和(he)(he)改(gai)變我國(guo)雙極(ji)集成電路(lu)技術落(luo)后面(mian)貌均(jun)有(you)重要意義。

在1986-1993年任全國(guo)(guo)ICCAD專(zhuan)家委(wei)員(yuan)會(hui)主任和ICCAT專(zhuan)家委(wei)員(yuan)會(hui)主任期間(jian)，領(ling)導研制成(cheng)功了(le)(le)我(wo)國(guo)(guo)第一個大(da)型集成(cheng)化的(de)ICCAD系(xi)統，使(shi)我(wo)國(guo)(guo)繼(ji)美國(guo)(guo)、日本、歐共體之后進入能自行開發大(da)型ICCAD工具的(de)先(xian)進國(guo)(guo)家行列；在研究集成(cheng)電路發展規(gui)律基礎上提出(chu)了(le)(le)我(wo)國(guo)(guo)集成(cheng)電路產業和設(she)計業的(de)發展方向(xiang)；組織參與了(le)(le)國(guo)(guo)家微電子"七·五"，"八(ba)·五"國(guo)(guo)家科(ke)技攻關。

現(xian)從事(shi)微電(dian)子學(xue)(xue)領域中(zhong)新(xin)器件、新(xin)工(gong)藝和新(xin)結(jie)構電(dian)路(lu)的研(yan)究(jiu)，發表科研(yan)論文160多篇(pian)，出(chu)版著作6部，現(xian)有16項重大科技成果。獲全國(guo)科學(xue)(xue)大會獎、國(guo)家發明(ming)獎、國(guo)家教委科技進步一等獎、光(guang)華科技基(ji)金一等獎等共16項國(guo)家級和部委級獎勵。

發(fa)(fa)表科(ke)(ke)(ke)研論(lun)文230多篇(pian)，出(chu)(chu)版著作6部(bu)，現有17項重大(da)科(ke)(ke)(ke)技成(cheng)果。獲全國(guo)(guo)科(ke)(ke)(ke)學(xue)大(da)會(hui)獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)發(fa)(fa)明(ming)獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)教委科(ke)(ke)(ke)技進步一(yi)等(deng)獎(jiang)(jiang)、光華科(ke)(ke)(ke)技基(ji)金一(yi)等(deng)獎(jiang)(jiang)等(deng)共16項國(guo)(guo)家(jia)級和(he)部(bu)委級獎(jiang)(jiang)勵。為(wei)(wei)推動我國(guo)(guo)微電(dian)(dian)子產業的發(fa)(fa)展(zhan)，作為(wei)(wei)發(fa)(fa)起人(ren)之一(yi)，創(chuang)建中芯(xin)國(guo)(guo)際集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)制造有限公司，領導建設成(cheng)功了(le)我國(guo)(guo)第一(yi)條12英寸納米級集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)生(sheng)產線，使我國(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)大(da)生(sheng)產技術水平處于國(guo)(guo)際先進水平。共培養(yang)百名(ming)碩(shuo)士(shi)、博士(shi)和(he)博士(shi)后(hou)。發(fa)(fa)表科(ke)(ke)(ke)研論(lun)文230多篇(pian)，出(chu)(chu)版著作6部(bu)。

王(wang)陽元有20項重大科(ke)技(ji)(ji)成果。1978年獲(huo)(huo)全國(guo)科(ke)學(xue)大會獎(jiang)，1991年獲(huo)(huo)國(guo)家(jia)教委(wei)科(ke)技(ji)(ji)進(jin)步一等獎(jiang)，2003年獲(huo)(huo)何(he)梁何(he)利科(ke)技(ji)(ji)進(jin)步獎(jiang)，2007年獲(huo)(huo)國(guo)家(jia)科(ke)技(ji)(ji)進(jin)步二等獎(jiang)，等19項國(guo)家(jia)級和部委(wei)級獎(jiang)勵(li)。

王陽元長期擔(dan)任中國電(dian)子學(xue)會副理事長，《半導體學(xue)報(bao)》和《電(dian)子學(xue)報(bao)》（英(ying)文(wen)版）副主(zhu)編。信息產業部科技委委員(電(dian)子)，美國IEEE Fellow和英(ying)國IEE Fellow等。

其(qi)著作《集成電路(lu)工業(ye)全(quan)書(shu)》、《集成電路(lu)工藝基(ji)礎》、《多晶硅薄膜及(ji)共在集成電路(lu)中的(de)應(ying)用》、《多晶硅發射極晶體管及(ji)其(qi)集成電路(lu)》、《半導體器(qi)件》現存于寧(ning)波市圖書(shu)館“地方(fang)文獻·甬籍(ji)名(ming)人名(ming)作庫(ku)”。

貢獻影響

研究課題

從(cong)事微(wei)電子(zi)學領(ling)(ling)域中新(xin)(xin)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)、新(xin)(xin)工(gong)(gong)藝和(he)(he)(he)新(xin)(xin)結構電路(lu)的(de)研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)。二十世(shi)紀70年(nian)代主(zhu)持研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)第(di)一(yi)塊3種(zhong)類型(xing)1024位MOS動(dong)態隨機存(cun)儲器(qi)(qi)(qi),是我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)硅(gui)柵N溝道MOS技(ji)術(shu)開(kai)拓者(zhe)之一(yi)。80年(nian)代提(ti)出了(le)(le)多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)薄膜"應力增(zeng)強(qiang)"氧(yang)化模(mo)型(xing)、工(gong)(gong)程應用(yong)方(fang)(fang)(fang)(fang)程和(he)(he)(he)摻(chan)雜(za)濃度與遷移率(lv)的(de)關系，被國(guo)(guo)(guo)(guo)際同行認為"在(zai)微(wei)電子(zi)領(ling)(ling)域處理了(le)(le)一(yi)個(ge)對許多(duo)(duo)研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)者(zhe)都(dou)有(you)重要意義的(de)問(wen)題"，"對實(shi)(shi)踐有(you)重要的(de)指導意義"。研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)了(le)(le)亞微(wei)米和(he)(he)(he)深(shen)(shen)亞微(wei)米CMOS電路(lu)的(de)硅(gui)化物(wu)/多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)復合柵結構；發(fa)(fa)(fa)現(xian)磷摻(chan)雜(za)對固(gu)相外延(yan)速率(lv)增(zeng)強(qiang)效應以及CoSi2柵對器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)抗輻照特(te)性的(de)改(gai)進(jin)(jin)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)；90年(nian)代在(zai)SOI/CMOS器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)模(mo)型(xing)和(he)(he)(he)電路(lu)模(mo)擬工(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)方(fang)(fang)(fang)(fang)面，提(ti)出了(le)(le)SOI器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)浮體效應模(mo)型(xing)和(he)(he)(he)通過改(gai)變器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)參量抑制(zhi)浮體效應的(de)工(gong)(gong)藝設計技(ji)術(shu)，擴充了(le)(le)SPICE模(mo)擬軟件(jian)(jian)(jian)(jian)。在(zai)SOI/CMOS新(xin)(xin)結構電路(lu)研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)方(fang)(fang)(fang)(fang)面，開(kai)發(fa)(fa)(fa)了(le)(le)新(xin)(xin)的(de)深(shen)(shen)亞微(wei)米器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)模(mo)型(xing)和(he)(he)(he)電路(lu)模(mo)擬方(fang)(fang)(fang)(fang)法，研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)了(le)(le)多(duo)(duo)種(zhong)新(xin)(xin)型(xing)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)電路(lu)；與合作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)者(zhe)一(yi)起提(ti)出了(le)(le)超高速多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)發(fa)(fa)(fa)射極(ji)晶(jing)體管的(de)新(xin)(xin)的(de)解析(xi)模(mo)型(xing)，開(kai)發(fa)(fa)(fa)了(le)(le)成(cheng)(cheng)(cheng)套的(de)先進(jin)(jin)雙(shuang)極(ji)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電路(lu)工(gong)(gong)藝技(ji)術(shu)；這對獨立自(zi)(zi)主(zhu)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電路(lu)產(chan)業(ye)(ye)具(ju)有(you)重要意義。90年(nian)代后(hou)期(qi)開(kai)始研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)微(wei)機電系統（MEMS），任微(wei)米/納米加工(gong)(gong)技(ji)術(shu)國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)重點實(shi)(shi)驗室主(zhu)任，主(zhu)持開(kai)發(fa)(fa)(fa)了(le)(le)五套具(ju)有(you)自(zi)(zi)主(zhu)知識產(chan)權的(de)MEMS工(gong)(gong)藝，開(kai)發(fa)(fa)(fa)了(le)(le)多(duo)(duo)種(zhong)新(xin)(xin)型(xing)MEMS器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)并向(xiang)產(chan)業(ye)(ye)轉(zhuan)化，獲得一(yi)批發(fa)(fa)(fa)明專(zhuan)(zhuan)利(li)。近期(qi)又致(zhi)力于研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)亞0.1μm器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)技(ji)術(shu)。在(zai)1986-1993年(nian)任全國(guo)(guo)(guo)(guo)ICCAD專(zhuan)(zhuan)家(jia)(jia)委(wei)員會主(zhu)任和(he)(he)(he)ICCAT專(zhuan)(zhuan)家(jia)(jia)委(wei)員會主(zhu)任期(qi)間，領(ling)(ling)導研制(zhi)成(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)了(le)(le)我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)第(di)一(yi)個(ge)大型(xing)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)化的(de)ICCAD系統，使我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)繼美國(guo)(guo)(guo)(guo)、日本(ben)、歐(ou)共體之后(hou)進(jin)(jin)入能自(zi)(zi)行開(kai)發(fa)(fa)(fa)大型(xing)ICCAD工(gong)(gong)具(ju)的(de)先進(jin)(jin)國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)行列；在(zai)研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電路(lu)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)規律基礎上提(ti)出了(le)(le)我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電路(lu)產(chan)業(ye)(ye)和(he)(he)(he)設計業(ye)(ye)的(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)戰(zhan)略建(jian)議。為推動(dong)我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)微(wei)電子(zi)產(chan)業(ye)(ye)的(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)，作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)為發(fa)(fa)(fa)起人之一(yi)，創建(jian)了(le)(le)中芯(xin)國(guo)(guo)(guo)(guo)際（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電路(lu)制(zhi)造（上海）有(you)限公司。

人物轉折

1958年(nian)(nian)，是(shi)王陽(yang)元人生的一個關鍵(jian)轉折(zhe)點，因為在這一年(nian)(nian)他(ta)畢(bi)業留(liu)校，再一次(ci)選擇了(le)(le)微(wei)電(dian)子(zi)事(shi)業。這也(ye)印證了(le)(le)王陽(yang)元“傳家(jia)有道唯存厚，處事(shi)無奇但(dan)執真”的家(jia)訓。留(liu)校的王陽(yang)元把工作重(zhong)心放在了(le)(le)如何(he)促進國(guo)家(jia)微(wei)電(dian)子(zi)產業發(fa)展(zhan)上，經過(guo)(guo)深入(ru)的調查(cha)研究(jiu)，他(ta)和同事(shi)們確(que)定了(le)(le)“硅(gui)柵(zha)N溝道技(ji)(ji)術(shu)(shu)”的研究(jiu)方向。經過(guo)(guo)近(jin)7年(nian)(nian)堅(jian)韌不(bu)拔的奮(fen)斗，1975年(nian)(nian)，我國(guo)第一塊1024位MOS動態隨機(ji)存儲(chu)器問世，這被稱為是(shi)我國(guo)MOS集成(cheng)電(dian)路(lu)技(ji)(ji)術(shu)(shu)和產業發(fa)展(zhan)過(guo)(guo)程(cheng)中(zhong)具(ju)有里程(cheng)碑意義(yi)的事(shi)件(jian)，它(ta)比Intel公司研制的硅(gui)柵(zha)N溝道MOSDRAM只晚了(le)(le)4年(nian)(nian)，因此獲得了(le)(le)1978年(nian)(nian)全國(guo)科學大會(hui)獎。從此，王陽(yang)元更加認定了(le)(le)集成(cheng)電(dian)路(lu)技(ji)(ji)術(shu)(shu)對信息社會(hui)的重(zhong)要作用。

微(wei)電子(zi)學(xue)和集(ji)(ji)成(cheng)電路技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)在(zai)上(shang)世紀(ji)80年代得到(dao)了(le)較(jiao)大的(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)展，集(ji)(ji)成(cheng)電路的(de)(de)(de)(de)計算機輔(fu)助設(she)計技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)（ICCAD）與軟件(jian)工具成(cheng)為(wei)制約其發(fa)(fa)展的(de)(de)(de)(de)障礙。鑒于(yu)中國(guo)(guo)(guo)當時的(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)水平和科研(yan)條件(jian)，中國(guo)(guo)(guo)政府試圖(tu)通過(guo)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)引進解決這個問(wen)題，但是為(wei)了(le)不(bu)讓我國(guo)(guo)(guo)發(fa)(fa)展戰略高技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu),西方(fang)國(guo)(guo)(guo)家在(zai)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)和設(she)備(bei)上(shang)對我國(guo)(guo)(guo)實行封鎖(suo)禁運，技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)引進的(de)(de)(de)(de)問(wen)題經過(guo)多(duo)方(fang)面的(de)(de)(de)(de)努力與談(tan)判都沒能成(cheng)功，中國(guo)(guo)(guo)決心自(zi)己開(kai)發(fa)(fa)這項(xiang)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)。在(zai)這一關鍵(jian)時刻(ke)，王(wang)陽元(yuan)當時作(zuo)為(wei)訪問(wen)學(xue)者(zhe)從美國(guo)(guo)(guo)回(hui)國(guo)(guo)(guo)不(bu)久，即(ji)擔(dan)任(ren)起北(bei)大微(wei)電子(zi)研(yan)究(jiu)所(suo)所(suo)長的(de)(de)(de)(de)職務，并(bing)被聘(pin)請(qing)擔(dan)任(ren)全國(guo)(guo)(guo)ICCAD委員會主任(ren)，主持組織(zhi)集(ji)(ji)成(cheng)化ICCAD三級(ji)系統的(de)(de)(de)(de)研(yan)發(fa)(fa)工作(zuo)，開(kai)始了(le)我國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)電路設(she)計自(zi)主創(chuang)新(xin)的(de)(de)(de)(de)新(xin)階(jie)段。

經過(guo)6年奮戰，中國第(di)一個(ge)按(an)軟件工程方法開發的、集成(cheng)(cheng)化的超大規模集成(cheng)(cheng)電(dian)路計(ji)算(suan)機(ji)(ji)輔(fu)助(zhu)設計(ji)系統研制(zhi)成(cheng)(cheng)功(gong)了。它(ta)的研制(zhi)成(cheng)(cheng)功(gong)使(shi)中國繼美(mei)國、日本、西歐(ou)之后進(jin)入到能自行開發大型集成(cheng)(cheng)電(dian)路計(ji)算(suan)機(ji)(ji)輔(fu)助(zhu)設計(ji)系統的先進(jin)行列，具有完全的自主(zhu)知(zhi)識(shi)產權(quan)。

對于自主知(zhi)(zhi)識產權(quan)，王陽(yang)元還(huan)是(shi)十分重視，他說，知(zhi)(zhi)識產權(quan)是(shi)原(yuan)始創新(xin)(xin)的具體(ti)體(ti)現，一個(ge)產業的持(chi)續(xu)發(fa)展必須有(you)(you)(you)(you)足夠的知(zhi)(zhi)識產權(quan)作為其堅強后(hou)盾(dun)。在(zai)針對客觀需(xu)求開展系統(tong)研究工作的時(shi)候，我們(men)決不能(neng)亦(yi)步亦(yi)趨地沿著(zhu)已有(you)(you)(you)(you)的技術路線走下去，必須立足于創新(xin)(xin)，有(you)(you)(you)(you)所(suo)發(fa)明、有(you)(you)(you)(you)所(suo)創造。

王陽元(yuan)曾任國家級(ji)微(wei)米/納(na)米加(jia)工技(ji)術(shu)重點實驗室(shi)(shi)的主任。在實驗室(shi)(shi)建(jian)設之(zhi)初，王陽元(yuan)就強調：“真正的關鍵技(ji)術(shu)是買不來的，我們必須自主研(yan)發，從基礎層面上提升我國微(wei)機電(dian)系統的研(yan)制和開發水平(ping)。”經過近十年的努力，這個實驗室(shi)(shi)建(jian)立了中國第一(yi)個與集成電(dian)路加(jia)工工藝兼容(rong)的微(wei)機電(dian)系統加(jia)工平(ping)臺(tai)(tai)和設計(ji)技(ji)術(shu)平(ping)臺(tai)(tai)。已經自主開發了3套加(jia)工工藝，有(you)6項(xiang)技(ji)術(shu)創新，已獲11項(xiang)發明專利(li)的授權，還正在申請29項(xiang)發明專利(li)。

院士文集

匯集了王(wang)(wang)陽元(yuan)院士在(zai)1998年到2004年期間發(fa)(fa)表的(de)(de)(de)重要論(lun)文(wen)(wen)和(he)(he)論(lun)述，內(nei)(nei)容涉及微電子(zi)學(xue)科(ke)(ke)的(de)(de)(de)發(fa)(fa)展(zhan)戰略研(yan)(yan)究(jiu)、發(fa)(fa)展(zhan)前沿綜述、學(xue)術(shu)(shu)論(lun)文(wen)(wen)、科(ke)(ke)學(xue)研(yan)(yan)究(jiu)方(fang)法論(lun)、產業(ye)建設和(he)(he)人(ren)才(cai)培養等(deng)多個(ge)方(fang)面(mian)。在(zai)此期間里，他(ta)與合作者(zhe)以及研(yan)(yan)究(jiu)生(sheng)共同發(fa)(fa)表了70余(yu)篇學(xue)術(shu)(shu)論(lun)文(wen)(wen)。本書(shu)從中精選了發(fa)(fa)表在(zai)國內(nei)(nei)外(wai)(wai)重要學(xue)術(shu)(shu)刊物上的(de)(de)(de)有(you)關(guan)SOI/CMOS器(qi)件與電路、超深亞微米器(qi)件研(yan)(yan)究(jiu)、MEMS研(yan)(yan)究(jiu)和(he)(he)電路研(yan)(yan)究(jiu)等(deng)方(fang)面(mian)的(de)(de)(de)36篇有(you)代(dai)表性(xing)的(de)(de)(de)學(xue)術(shu)(shu)論(lun)文(wen)(wen)。這些論(lun)文(wen)(wen)和(he)(he)論(lun)述在(zai)國內(nei)(nei)外(wai)(wai)微電子(zi)領(ling)域的(de)(de)(de)學(xue)術(shu)(shu)界(jie)、教(jiao)育界(jie)和(he)(he)工業(ye)界(jie)產生(sheng)了深刻影響(xiang)，推(tui)動了我國微電子(zi)科(ke)(ke)學(xue)技(ji)術(shu)(shu)和(he)(he)產業(ye)的(de)(de)(de)發(fa)(fa)展(zhan)，反映了王(wang)(wang)陽元(yuan)院士作為一位“仁智雙馨”的(de)(de)(de)戰略科(ke)(ke)學(xue)家的(de)(de)(de)風貌。本書(shu)可作為高(gao)等(deng)學(xue)校信息技(ji)術(shu)(shu)及微電子(zi)專業(ye)師生(sheng)的(de)(de)(de)參考書(shu)，也可供相(xiang)關(guan)領(ling)域的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)人(ren)員、科(ke)(ke)研(yan)(yan)人(ren)員及科(ke)(ke)技(ji)管理人(ren)員學(xue)習(xi)參考。

中芯國際

幾十年(nian)(nian)(nian)如一日(ri)的(de)(de)研究(jiu)、實(shi)踐，使王陽元深刻地體(ti)會到微電子學最終(zhong)還(huan)要(yao)服(fu)務于實(shi)踐。于是，中(zhong)(zhong)芯國際(ji)(ji)應時而生(sheng)。中(zhong)(zhong)芯國際(ji)(ji)成立于2000年(nian)(nian)(nian)，擁(yong)有3座(zuo)芯片(pian)代工廠，包括(kuo)一座(zuo)具有后端銅互連(lian)工藝(yi)的(de)(de)代工廠。2003年(nian)(nian)(nian)，中(zhong)(zhong)芯國際(ji)(ji)被世界(jie)知名的(de)(de)《半導體(ti)國際(ji)(ji)》（Semiconductor International）雜志評(ping)為全球“2003年(nian)(nian)(nian)度最佳半導體(ti)廠”之一，并(bing)在2004年(nian)(nian)(nian)建成了(le)我(wo)國第(di)一條大(da)型12英寸納(na)米級集(ji)成電路(lu)大(da)生(sheng)產線。對于中(zhong)(zhong)芯國際(ji)(ji)，王陽元有自(zi)己的(de)(de)評(ping)價：“中(zhong)(zhong)芯國際(ji)(ji)既是中(zhong)(zhong)國芯片(pian)制(zhi)造業的(de)(de)又(you)一個里程(cheng)碑，也不全是中(zhong)(zhong)國集(ji)成電路(lu)芯片(pian)制(zhi)造業的(de)(de)里程(cheng)碑。”

他解釋說，說它是(shi)里(li)程(cheng)碑(bei)是(shi)因(yin)為它把中(zhong)國(guo)集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)技(ji)術水(shui)平與全球先進水(shui)平的(de)差距由原來的(de)4~5個技(ji)術節點縮(suo)小到1~2個，實現了中(zhong)國(guo)芯(xin)(xin)片(pian)制造(zao)業的(de)歷史性突破；說它不是(shi)里(li)程(cheng)碑(bei)，則是(shi)因(yin)為中(zhong)芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)還(huan)沒有真正(zheng)(zheng)能夠(gou)掌握(wo)一大批具(ju)有世界前(qian)(qian)沿水(shui)平的(de)自主知識產權。但(dan)是(shi)，我們希望將來的(de)中(zhong)芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)能夠(gou)掌握(wo)國(guo)際(ji)(ji)前(qian)(qian)端(duan)技(ji)術，能在(zai)某些領域引領世界潮流(liu)，成(cheng)(cheng)為又一個真正(zheng)(zheng)的(de)里(li)程(cheng)碑(bei)。

在談到這個話(hua)題(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)時候，王(wang)陽(yang)元認為(wei)(wei)中(zhong)國的(de)(de)(de)(de)(de)風(feng)險(xian)投資機制尚不(bu)(bu)完(wan)善。因為(wei)(wei)科研院所的(de)(de)(de)(de)(de)科技成果并不(bu)(bu)等(deng)于(yu)產(chan)品(pin)，而產(chan)品(pin)又不(bu)(bu)等(deng)于(yu)商品(pin)，其中(zhong)要有一個中(zhong)間環節，即風(feng)險(xian)投資。他引(yin)用馬克思《資本論》中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)一句(ju)話(hua)“產(chan)品(pin)變為(wei)(wei)商品(pin)是(shi)驚險(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)一躍，其結果要么(me)是(shi)產(chan)生利(li)潤，要么(me)是(shi)摔死(si)資本家”。這也是(shi)風(feng)險(xian)投資的(de)(de)(de)(de)(de)真實寫照，所以，風(feng)險(xian)投資必須建立(li)退出機制。同時國家應(ying)相應(ying)地降低企業(ye)上市的(de)(de)(de)(de)(de)門(men)檻(jian)，尤其是(shi)高(gao)新技術(shu)企業(ye)，讓更多的(de)(de)(de)(de)(de)企業(ye)可以得到融資。我國高(gao)新技術(shu)企業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)平均壽(shou)命(ming)是(shi)兩年左右(you)，其中(zhong)很重要的(de)(de)(de)(de)(de)因素是(shi)沒有資金的(de)(de)(de)(de)(de)支持。

作為微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)學界的(de)(de)(de)一位領(ling)(ling)軍人物，王陽元(yuan)對中(zhong)國微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)術(shu)(shu)的(de)(de)(de)發展充滿信心(xin)，他(ta)說，未來我國微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)術(shu)(shu)將通過(guo)與(yu)其他(ta)學科更(geng)密切的(de)(de)(de)結合(he)產(chan)生新(xin)的(de)(de)(de)產(chan)業。微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)術(shu)(shu)的(de)(de)(de)強大(da)生命力在于它可(ke)以低成本、大(da)批量地生產(chan)出(chu)具(ju)有高(gao)(gao)可(ke)靠性(xing)和高(gao)(gao)精度的(de)(de)(de)微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)芯片(pian)。這種技(ji)術(shu)(shu)一旦(dan)與(yu)其他(ta)學科相(xiang)結合(he)，便會誕生出(chu)一系列(lie)嶄新(xin)的(de)(de)(de)學科和重大(da)的(de)(de)(de)經濟(ji)增長點，作為與(yu)微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)術(shu)(shu)成功(gong)結合(he)的(de)(de)(de)典(dian)型例子(zi)(zi)(zi)便是(shi)(shi)MEMS（微(wei)(wei)(wei)機(ji)電(dian)(dian)(dian)系統(tong)）技(ji)術(shu)(shu)或稱(cheng)微(wei)(wei)(wei)系統(tong)技(ji)術(shu)(shu)和生物芯片(pian)等(deng)。前(qian)者(zhe)(zhe)是(shi)(shi)微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)術(shu)(shu)與(yu)機(ji)械、光學等(deng)領(ling)(ling)域結合(he)而誕生的(de)(de)(de)，后者(zhe)(zhe)則是(shi)(shi)與(yu)生物工程技(ji)術(shu)(shu)結合(he)的(de)(de)(de)產(chan)物。

微(wei)電(dian)子機(ji)械(xie)(xie)系(xi)(xi)統(tong)(tong)就(jiu)是微(wei)電(dian)子技術的拓寬和(he)(he)延伸，它將(jiang)微(wei)電(dian)子技術和(he)(he)精密機(ji)械(xie)(xie)加工技術相互融(rong)合，實現了微(wei)電(dian)子與機(ji)械(xie)(xie)融(rong)為一(yi)體的系(xi)(xi)統(tong)(tong)。MEMS將(jiang)電(dian)子系(xi)(xi)統(tong)(tong)和(he)(he)外部世(shi)界聯系(xi)(xi)起(qi)來，它不僅可以感受運動、光、聲(sheng)、熱、磁(ci)等(deng)自然界的外部信(xin)號(hao)(hao)，把這些(xie)信(xin)號(hao)(hao)轉換成電(dian)子系(xi)(xi)統(tong)(tong)可以認識的電(dian)信(xin)號(hao)(hao)，而且還可以通過電(dian)子系(xi)(xi)統(tong)(tong)控制(zhi)這些(xie)信(xin)號(hao)(hao)，發出指(zhi)令并完(wan)成該指(zhi)令。從廣義(yi)上講，MEMS是指(zhi)集微(wei)型(xing)(xing)傳感器、微(wei)型(xing)(xing)執行(xing)器、信(xin)號(hao)(hao)處理(li)和(he)(he)控制(zhi)電(dian)路、接口電(dian)路、通信(xin)系(xi)(xi)統(tong)(tong)以及(ji)電(dian)源于一(yi)體的微(wei)型(xing)(xing)機(ji)電(dian)系(xi)(xi)統(tong)(tong)。MEMS技術是一(yi)種(zhong)典型(xing)(xing)的多學(xue)(xue)科(ke)交叉的前沿性研(yan)究領域，它幾(ji)乎涉及(ji)到自然及(ji)工程科(ke)學(xue)(xue)的所有領域，如(ru)電(dian)子技術、機(ji)械(xie)(xie)技術、光學(xue)(xue)、物理(li)學(xue)(xue)、化學(xue)(xue)、生物醫(yi)學(xue)(xue)、材料科(ke)學(xue)(xue)、能源科(ke)學(xue)(xue)等(deng)。

集(ji)成電路作(zuo)為一(yi)項技(ji)術發明，極大(da)地(di)改變了人類的生(sheng)活方式(shi)和(he)生(sheng)產方式(shi)，對(dui)社會的進(jin)步起到(dao)了重(zhong)大(da)作(zuo)用。我國集(ji)成電路的市(shi)場規(gui)模世界(jie)第一(yi)、市(shi)場增長速度世界(jie)第一(yi)，但是外(wai)貿逆(ni)差也是國內第一(yi)。

開拓者

中國集成電(dian)(dian)路(lu)技(ji)術(shu)和產(chan)(chan)業(ye)從20世(shi)紀五六十(shi)(shi)年代剛(gang)剛(gang)起步的(de)半導體研究(jiu)，到“文革”時(shi)期與國際學術(shu)界(jie)基(ji)本隔離，再到八(ba)九十(shi)(shi)年代艱辛地挑戰(zhan)(zhan)國際前(qian)沿，終于開(kai)始了飛躍式地發(fa)展，引起了世(shi)界(jie)的(de)關注(zhu)。面(mian)對中國集成電(dian)(dian)路(lu)令人(ren)(ren)興奮的(de)成績，作為中國集成電(dian)(dian)路(lu)產(chan)(chan)業(ye)的(de)開(kai)拓(tuo)者之一，中國科學院院士(shi)王(wang)陽(yang)元有自(zi)己的(de)看法(fa)：“中國集成電(dian)(dian)路(lu)能取得這樣的(de)成績固(gu)然(ran)令人(ren)(ren)興奮，但是我們也面(mian)臨著前(qian)所(suo)未有的(de)挑戰(zhan)(zhan)。自(zi)主知識產(chan)(chan)權缺(que)(que)少(shao)、科技(ji)成果(guo)產(chan)(chan)業(ye)化率低(di)、研究(jiu)人(ren)(ren)員(yuan)缺(que)(que)乏(fa)等都是我們亟須(xu)解決的(de)問題。”

自(zi)主知識產(chan)權(quan)是形成(cheng)集(ji)成(cheng)電路(lu)產(chan)業(ye)核(he)心競爭力(li)的(de)關鍵。集(ji)成(cheng)電路(lu)產(chan)業(ye)是資金高投入、技術高密集(ji)、高度國(guo)際(ji)化的(de)產(chan)業(ye)，但真正(zheng)阻礙后發國(guo)家(jia)進入國(guo)際(ji)集(ji)成(cheng)電路(lu)產(chan)業(ye)領域的(de)是技術。不能在(zai)產(chan)品設計和制造工(gong)藝技術上擁有一批(pi)自(zi)主知識產(chan)權(quan)，就永遠難以(yi)在(zai)國(guo)際(ji)市場中生存與發展。

在我國建設(she)(she)創(chuang)新型(xing)國家的(de)背景下，自主知識產(chan)(chan)權、技(ji)(ji)術(shu)產(chan)(chan)業化尤(you)為重(zhong)要，在微(wei)電(dian)子領域，王陽元提(ti)出了“產(chan)(chan)前研發聯盟(meng)(meng)”的(de)設(she)(she)想。產(chan)(chan)前研發聯盟(meng)(meng)，將實行“官(guan)、產(chan)(chan)、學、研、用”相結合，背靠(kao)高(gao)校與科研機構的(de)基礎(chu)和應用基礎(chu)研究，面向產(chan)(chan)業發展大生產(chan)(chan)的(de)關鍵技(ji)(ji)術(shu)需要，能提(ti)高(gao)自主創(chuang)新的(de)核心(xin)競爭力(li)，開發為下一代集成電(dian)路發展(當前可定(ding)位在45~22納米)提(ti)供(gong)企業所需要的(de)產(chan)(chan)前核心(xin)技(ji)(ji)術(shu)、專(zhuan)利(li)，并培養相應的(de)人(ren)才。

王陽元認為(wei)，科(ke)技創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)的(de)背后是體制、機(ji)制創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)的(de)問題，科(ke)技創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)與(yu)機(ji)制創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)互(hu)為(wei)動力、互(hu)為(wei)因果(guo)，新(xin)(xin)(xin)的(de)科(ke)技創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)會催生與(yu)之相適應的(de)新(xin)(xin)(xin)型機(ji)制，同(tong)時(shi)也(ye)要(yao)依賴(lai)于(yu)機(ji)制的(de)不斷進步；而新(xin)(xin)(xin)的(de)機(ji)制創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)所(suo)(suo)形成的(de)有利因素(su)也(ye)可以(yi)促(cu)使更多(duo)的(de)科(ke)技創(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)成果(guo)不斷涌現。所(suo)(suo)以(yi)，產前研發聯盟要(yao)想(xiang)做好(hao)，首先要(yao)在體制與(yu)運作模(mo)式上下功(gong)夫。

產前(qian)研(yan)發(fa)(fa)聯(lian)盟會采(cai)取不以(yi)盈利為主(zhu)要(yao)目的(de)公司運作機制(zhi)(zhi)。以(yi)政府為主(zhu)導(dao)(包括中央政府和(he)(he)地(di)方政府)，實行企(qi)業、大學(xue)、研(yan)究(jiu)所及主(zhu)要(yao)應用部門等共同(tong)組(zu)建的(de)股份(fen)制(zhi)(zhi)獨(du)立法人單位(wei)。產前(qian)研(yan)發(fa)(fa)聯(lian)盟采(cai)用開放模式(shi)，不僅向(xiang)國(guo)(guo)內企(qi)業、研(yan)究(jiu)單位(wei)開放，而且(qie)向(xiang)國(guo)(guo)際開放，以(yi)提高國(guo)(guo)際間合(he)作。它(ta)能夠激發(fa)(fa)原始(shi)創(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)能力(li)、能夠通(tong)(tong)過整合(he)資源形(xing)成集(ji)(ji)成創(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)能力(li)和(he)(he)通(tong)(tong)過引進消化(hua)吸收形(xing)成再創(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)能力(li)的(de)較好組(zu)織(zhi)形(xing)式(shi)；是(shi)符合(he)自主(zhu)創(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)戰(zhan)略目標的(de)，企(qi)業為主(zhu)體、產學(xue)研(yan)結(jie)合(he)的(de)集(ji)(ji)約(yue)化(hua)技術創(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)體系；是(shi)能夠在較短的(de)時間內實現關鍵技術和(he)(he)核心技術突破的(de)、控制(zhi)(zhi)和(he)(he)降低對國(guo)(guo)外(wai)資源依(yi)賴程度的(de)有效戰(zhan)略舉措；是(shi)加速科技成果向(xiang)現實生產力(li)轉化(hua)的(de)新(xin)(xin)(xin)(xin)型紐帶和(he)(he)橋梁(liang)。