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著錄(lu)信息(xi)

專利名稱：一種發光二極管結構及其生長方法
專利類型：發明
申請號：CN200410052325.0
公開(公告)號：CN100433378C
申請日：20041119
公開(公告)日：20081112
申請人：深圳市方大國科光電技術有限公司
發明人：劉明德,嚴志軍
申請人地址：518055廣東省深圳市南山區西麗鎮龍井方大城
申請人區域代碼：CN440305
專利權人：深圳市方大國科光電技術有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L33/00
優先權：無
專利代理機構：深圳市順天達專利商標代理有限公司
代理人：郭偉剛
審查員：朱紅來
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關(guan)鍵詞

復合量子阱層,生長方法,反向漏電電流,外延生長,緩沖層,良品率,波長,隔層,隔開,摻雜,生長

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