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專利名稱：高介電常數聚酰亞胺薄膜及其制備方法和應用
專利類型：發明
申請號：CN201310746333.4
公開(公告)號：CN103724624B
申請日：20131230
公開(公告)日：20160330
申請人：深圳市惠程電氣股份有限公司
發明人：侯豪情,呂曉義,何平
申請人地址：518118 廣東省深圳市坪山新區大工業區蘭景北路惠程科技園
申請人區域代碼：CN440307
專利權人：深圳市惠程電氣股份有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：C08G73/10,C08J5/18
優先權：無
專利代理機構：北京萬科園知識產權代理有限責任公司 11230
代理人：劉俊玲;張亞軍
審查員：王燕
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關(guan)鍵詞

聚酰亞胺薄膜,高介電常數,芳環,聚酰亞胺薄膜在,機械能,電致伸縮性能,高化學穩定性,機電能量轉換,聚酰胺酸薄膜,聚酰亞胺材料,低介電損耗,重復單元數,電能輸送,電子器件,二胺殘基,聚酰胺酸,聚合物,高儲能,高強度,介電層,聚苯胺,耐高溫,亞胺化,殘基,二酐,鏈段,一種,電機,轉換,應用,表現

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