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專利名稱:
一種用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝
專利類型:
發明
申請號:
CN200810207489.4
公開(公告)號:
CN101447530B
申請日:
20081222
公開(公告)日:
20100609
申請人:
上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
發明人:
李靜,樸松源,郭育林,王鵬
申請人地址:
200436 上海市閘北區江場三路36號
申請人區域代碼:
CN310108
專利權人:
上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
H01L31/18,H01L21/00,H01L21/02
優先權:
無
專利代理機構:
廣州知友專利商標代理有限公司 44104
代理人:
李海波
審查員:
羅慧晶
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關鍵(jian)詞
刻蝕二氧化硅,清洗工藝,漿料,噴淋,掩膜,選擇性發射極,浸漬,超聲波清洗,性能的影響,硅片表面,太陽電池,循環純水,電池片
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