著錄信息
- 專利名稱:中高溫光譜選擇性吸收涂層
- 專利類型:發明
- 申請號:CN201210442227.2
- 公開(公告)號:CN102954611B
- 申請日:20121107
- 公開(公告)日:20140917
- 申請人:北京市太陽能研究所集團有限公司
- 發明人:王軒,張敏,尹萬里,崔銀芳,孫守建,朱敦智
- 申請人地址:100012 北京市朝陽區北苑路大羊坊10號桑普大廈
- 申請人區域代碼:CN110105
- 專利權人:北京市太陽能研究所集團有限公司
- 洛迦諾分類:無
- IPC:F24J2/48,B32B33/00,C23C14/06,C23C14/35
- 優先權:無
- 專利代理機構:北京路浩知識產權代理有限公司 11002
- 代理人:韓國勝
- 審查員:鄧娜
- 國際申請:無
- 國際公開(公告):無
- 進入國家日期:無
- 分案申請:無
關鍵詞
吸收層,選擇性吸收涂層,高溫光譜,金屬組分,光譜選擇性吸收涂層,金屬陶瓷復合膜,紅外反射層,高溫環境,工作溫度,鈍化層,發射比,反射層,粘結層,光熱,層膜,基底,大于
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