著錄信息
- 專利名稱：穿通型碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法
- 專利類型：發明
- 申請號：CN201410163736.0
- 公開(公告)號：CN103928322B
- 申請日：20140421
- 公開(公告)日：20160817
- 申請人：西安電子科技大學
- 發明人：郭輝,翟華星,宋慶文,張藝蒙,張玉明,湯曉燕
- 申請人地址：710071 陜西省西安市太白南路2號
- 申請人區域代碼：CN610113
- 專利權人：西安電子科技大學
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L21/331,H01L21/265
- 優先權：無
- 專利代理機構：陜西電子工業專利中心 61205
- 代理人：王品華;朱紅星
- 審查員：周天微
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
襯底正面,絕緣柵雙極型晶體管,襯底背面,碳化硅,制備,離子,刻蝕柵氧化層,淀積金屬,多晶硅柵,高溫退火,工藝步驟,集電極區,結構性能,開關電源,拋光氧化,體接觸區,外延生長,引出電極,照明電路,發射區,緩沖層,耐壓層,逆變器,切割面,襯底,穿通,淀積,光刻,減薄,可用,切割,背面,激活,生長
網站提醒和聲明
免(mian)責(ze)聲明(ming)：
本站為會(hui)員提供信(xin)(xin)(xin)息存(cun)儲(chu)空間(jian)(jian)(jian)服(fu)務，由于更新時間(jian)(jian)(jian)等(deng)問(wen)題(ti)，可(ke)能存(cun)在(zai)信(xin)(xin)(xin)息偏差的情況，具體請以品牌(pai)企業(ye)官網信(xin)(xin)(xin)息為準。如有侵權、錯誤信(xin)(xin)(xin)息或任(ren)何問(wen)題(ti)，請及時聯系(xi)我們，我們將(jiang)在(zai)第(di)一時間(jian)(jian)(jian)刪除或更正。
版權聲明>>
修改>>
申請刪除>>
網頁上相關信息(xi)的知識產(chan)權(quan)歸網站方所有(包括但不(bu)(bu)限于文字、圖(tu)片(pian)、圖(tu)表(biao)(biao)、著作權(quan)、商標權(quan)、為用戶提供的商業信息(xi)等)，非經許可不(bu)(bu)得(de)抄襲(xi)或使用。本站不(bu)(bu)生產(chan)產(chan)品(pin)、不(bu)(bu)提供產(chan)品(pin)銷(xiao)售服務、不(bu)(bu)代理、不(bu)(bu)招商、不(bu)(bu)提供中介服務。本頁面內容不(bu)(bu)代表(biao)(biao)本站支持投(tou)資購買的觀點或意見(jian)，頁面信息(xi)僅供參考和借鑒(jian)。
提(ti)交說明(ming)：
快速提交發布>>
查看提交幫助>>
注冊登錄>>
大學