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著錄信息

  • 專利名稱：單晶硅位錯腐蝕劑及檢測方法
  • 專利類型：發明
  • 申請號：CN201310576502.4
  • 公開(公告)號：CN103590113B
  • 申請日：20131118
  • 公開(公告)日：20160817
  • 申請人：銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
  • 發明人：王新強,鄧浩,馬自成
  • 申請人地址：750021 寧夏回族自治區銀川市（國家級）經濟技術開發區開元東路15號
  • 申請人區域代碼：CN640105
  • 專利權人：銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
  • 洛迦諾分類：無
  • IPC：C30B33/10,C23F1/24,G01N21/00
  • 優先權：無
  • 專利代理機構：西安弘理專利事務所 61214
  • 代理人：羅笛
  • 審查員：史博穎
  • 國際申請：無
  • 國際公開(公告)：無
  • 進入國家日期：無
  • 分案申請：無

關鍵詞

單晶硅,位錯,腐蝕劑,緩釋劑,檢測,腐蝕,刺激性氣味,環境友好,硼酸溶液,浸入,硝酸,氫氟酸
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