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著錄信息
專利名稱:
單晶硅位錯腐蝕劑及檢測方法
專利類型:
發明
申請號:
CN201310576502.4
公開(公告)號:
CN103590113B
申請日:
20131118
公開(公告)日:
20160817
申請人:
銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
發明人:
王新強,鄧浩,馬自成
申請人地址:
750021 寧夏回族自治區銀川市(國家級)經濟技術開發區開元東路15號
申請人區域代碼:
CN640105
專利權人:
銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
C30B33/10,C23F1/24,G01N21/00
優先權:
無
專利代理機構:
西安弘理專利事務所 61214
代理人:
羅笛
審查員:
史博穎
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關(guan)鍵(jian)詞
單晶硅,位錯,腐蝕劑,緩釋劑,檢測,腐蝕,刺激性氣味,環境友好,硼酸溶液,浸入,硝酸,氫氟酸
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