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專利名稱：半導體測試結構、其測試方法及其制造方法
專利類型：發明
申請號：CN201210526395.X
公開(公告)號：CN103872016B
申請日：20121207
公開(公告)日：20160907
申請人：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
發明人：許曉鋒,宋永梁
申請人地址：201203 上海市浦東新區張江路18號
申請人區域代碼：CN310115
專利權人：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L23/544,H01L21/768,G01R31/26
優先權：無
專利代理機構：上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
代理人：屈蘅;李時云
審查員：劉瑋德
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

測試,柵結構,半導體測試結構,第二類型阱,測試階段,電容結構,柵介質層,摻雜區,襯底,封裝,半導體,測試成本,測試效率,襯底電流,隔離結構,柵導電層,振蕩電流,漏區,節約,制造

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