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中芯國際集成電路制造有限公司專利CN201210526395.X介紹
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著錄信息
專利名稱:
半導體測試結構、其測試方法及其制造方法
專利類型:
發明
申請號:
CN201210526395.X
公開(公告)號:
CN103872016B
申請日:
20121207
公開(公告)日:
20160907
申請人:
中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
發明人:
許曉鋒,宋永梁
申請人地址:
201203 上海市浦東新區張江路18號
申請人區域代碼:
CN310115
專利權人:
中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
H01L23/544,H01L21/768,G01R31/26
優先權:
無
專利代理機構:
上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
代理人:
屈蘅;李時云
審查員:
劉瑋德
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關鍵詞
測試,柵結構,半導體測試結構,第二類型阱,測試階段,電容結構,柵介質層,摻雜區,襯底,封裝,半導體,測試成本,測試效率,襯底電流,隔離結構,柵導電層,振蕩電流,漏區,節約,制造
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