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專利名稱:
淺溝槽隔離結構的制作方法和NAND閃存的制作方法
專利類型:
發明
申請號:
CN201310224056.0
公開(公告)號:
CN104217986B
申請日:
20130605
公開(公告)日:
20170922
申請人:
中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
發明人:
張翼英,王冬江
申請人地址:
201203 上海市浦東新區張江路18號
申請人區域代碼:
CN310115
專利權人:
中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
H01L21/762,H01L27/11548
優先權:
無
專利代理機構:
北京集佳知識產權代理有限公司 11227
代理人:
駱蘇華
審查員:
周文龍
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關鍵(jian)詞(ci)
多晶硅摻雜層,硬掩膜層,保護層,襯底,淺溝槽隔離結構,半導體,淺溝槽,制作,刻蝕,去除,半導體器件,圖案化處理,隔離材料,預先設置,掩模,填充,腐蝕,側面
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