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專利名稱:
輻射探測器及其成像裝置、電極結構和獲取圖像的方法
專利類型:
發明
申請號:
CN201010288195.6
公開(公告)號:
CN102401906B
申請日:
20100919
公開(公告)日:
20140312
申請人:
同方威視技術股份有限公司
發明人:
張嵐,陳志強,趙自然,吳萬龍,李元景,鄧智,鄭曉翠
申請人地址:
100084 北京市海淀區雙清路同方大廈A座2層
申請人區域代碼:
CN110108
專利權人:
同方威視技術股份有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
G01T1/24,H04N5/32,H01L27/146
優先權:
無
專利代理機構:
中科專利商標代理有限責任公司 11021
代理人:
王波波
審查員:
王策
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關(guan)鍵詞(ci)
敏感薄膜,晶體管,輻射探測器,電荷信號,像素單元,像素電極,輻射,緩沖晶體管,儲存電容,信號線,轉換成電壓信號,復位晶體管,成像裝置,電極結構,電壓信號,數字成像,電荷,耦合,電極,清空,像素,通信,頂部,串聯,儲存,圖像,響應,連接
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