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著錄信息

  • 專利名稱：溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管及其鍵合方法
  • 專利類型：發明
  • 申請號：CN200810216746.0
  • 公開(公告)號：CN101383304B
  • 申請日：20081017
  • 公開(公告)日：20110525
  • 申請人：深圳市晶導電子有限公司
  • 發明人：賴輝朋,何建歡,高燕輝
  • 申請人地址：518101 廣東省深圳市寶安區新安街道留仙二路鴻輝工業園3號廠房1-4層
  • 申請人區域代碼：CN440306
  • 專利權人：深圳市晶導電子有限公司
  • 洛迦諾分類：無
  • IPC：H01L21/607,H01L23/488
  • 優先權：無
  • 專利代理機構：廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
  • 代理人：曾旻輝
  • 審查員：王丹
  • 國際申請：無
  • 國際公開(公告)：無
  • 進入國家日期：無
  • 分案申請：無

關鍵詞

金屬氧化物半導體場效應晶體管,銅絲,焊接,銅線,超聲,焊球,鍵合,芯片,熔化,導電性能,金絲,球焊,禁區
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