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專利名稱：垂直腔面發射半導體激光二極管的外延結構
專利類型：發明
申請號：CN200610044258.7
公開(公告)號：CN100377456C
申請日：20060517
公開(公告)日：20080326
申請人：中微光電子(濰坊)有限公司
發明人：蔣偉,劉凱,張彥偉,孫夕慶
申請人地址：261021山東省濰坊市高新技術開發區玉清街東首中微光電子(濰坊)有限公司
申請人區域代碼：CN370702
專利權人：中微光電子(濰坊)有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01S5/183,H01S5/187,H01S5/343,H01S5/00
優先權：無
專利代理機構：濰坊鳶都專利事務所
代理人：臧傳進
審查員：丁長林
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵(jian)詞

生長,反射層,單層,量子阱結構,摻雜,半導體激光二極管,內部,垂直腔面發射,砷化鎵襯底,電流擴展,外延結構,外延生長,成品率,覆蓋層,過渡層,砷化鎵,氧化層,外部

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