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專利名稱：一種半導體器件及其氮化鎵外延層制作方法
專利類型：發明
申請號：CN201110418685.8
公開(公告)號：CN102496666B
申請日：20111214
公開(公告)日：20131127
申請人：中微光電子（濰坊）有限公司
發明人：劉凱,孫夕慶,孫德亮,張忠朋,孫卜序
申請人地址：261000 山東省濰坊市高新技術開發區玉清街13155號
申請人區域代碼：CN370705
專利權人：中微光電子（濰坊）有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L33/00,H01L33/16
優先權：無
專利代理機構：北京集佳知識產權代理有限公司 11227
代理人：逯長明
審查員：王倩
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞(ci)

硅襯底表面,刻蝕阻擋層,溝槽圖形,硅襯底,材料外延,氮化鎵,基底,晶面,氮化鎵外延,個數量級,溝槽底面,外延層,襯底,位錯,掩膜,平行,側面,生長

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