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專利名稱：氧化鋅錫薄膜及制備方法、薄膜晶體管及制備方法
專利類型：發明
申請號：CN201210207834.0
公開(公告)號：CN103510086B
申請日：20120621
公開(公告)日：20151021
申請人：昆山維信諾顯示技術有限公司,清華大學,北京維信諾科技有限公司
發明人：邱勇,趙云龍,段煉
申請人地址：215300 江蘇省蘇州市昆山市昆山高新區晨豐路188號
申請人區域代碼：CN320583
專利權人：昆山維信諾顯示技術有限公司,清華大學,北京維信諾科技有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：C23C26/00,H01L29/786,H01L21/34
優先權：無
專利代理機構：北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
代理人：彭秀麗
審查員：何丹丹
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關(guan)鍵詞

氧化鋅錫,薄膜晶體管,薄膜,制備方法,制備,前驅體材料,前驅體溶液,乙基己酸,亞錫,載流子遷移率,熱處理程序,無定形材料,熱處理,半導體層,薄膜形成,升溫速率,一種,公開,涉及,解決,進行

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