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著錄信息

  • 專利名稱：直拉法生長單晶熱場的石墨坩堝
  • 專利類型：實用新型
  • 申請號：CN201220709097.X
  • 公開(公告)號：CN203049085U
  • 申請日：20121220
  • 公開(公告)日：20130710
  • 申請人：海潤光伏科技股份有限公司
  • 發明人：吳亞軍,李宗斌,梁會寧,胡元慶
  • 申請人地址：214407 江蘇省無錫市江陰市徐霞客鎮璜塘工業園區
  • 申請人區域代碼：CN320281
  • 專利權人：海潤光伏科技股份有限公司
  • 洛迦諾分類：無
  • IPC：C30B15/10
  • 優先權：無
  • 專利代理機構：江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
  • 代理人：唐紉蘭;曾丹
  • 審查員：無
  • 國際申請：無
  • 國際公開(公告)：無
  • 進入國家日期：無
  • 分案申請：無

關鍵詞

石墨坩堝,生長單晶,圓角部位,開裂,拼接
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