負離子(zi)發生(sheng)器原理 負離子(zi)發生(sheng)器電路圖

一、負離子發生器簡介

負(fu)離子(zi)(zi)發生器是一種生成空氣負(fu)離子(zi)(zi)的(de)(de)(de)裝置(zhi)，該裝置(zhi)將輸入(ru)的(de)(de)(de)直(zhi)(zhi)流(liu)(liu)或(huo)交(jiao)流(liu)(liu)電經EMI處(chu)理電路(lu)(lu)及(ji)雷擊保(bao)護電路(lu)(lu)處(chu)理后(hou)，通(tong)過(guo)脈沖式電路(lu)(lu)，過(guo)壓(ya)限流(liu)(liu)；高(gao)(gao)(gao)低壓(ya)隔離等線路(lu)(lu)升為交(jiao)流(liu)(liu)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)，然后(hou)通(tong)過(guo)特殊等級電子(zi)(zi)材料整(zheng)流(liu)(liu)濾(lv)波后(hou)得到純(chun)凈的(de)(de)(de)直(zhi)(zhi)流(liu)(liu)負(fu)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)，將直(zhi)(zhi)流(liu)(liu)負(fu)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)連接到金屬或(huo)碳(tan)元素制作的(de)(de)(de)釋(shi)放尖端，利用尖端直(zhi)(zhi)流(liu)(liu)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)產生高(gao)(gao)(gao)電暈，高(gao)(gao)(gao)速(su)地放出大量的(de)(de)(de)電子(zi)(zi)(e-),而(er)(er)電子(zi)(zi)無法長久存(cun)在于空氣中（存(cun)在的(de)(de)(de)電子(zi)(zi)壽(shou)命只(zhi)有nS級），立刻會被空氣中的(de)(de)(de)氧(yang)分子(zi)(zi)(O2)捕捉(zhuo)，從(cong)而(er)(er)生成空氣負(fu)離子(zi)(zi)。實驗研(yan)究表明：生態級小粒徑(jing)負(fu)氧(yang)離子(zi)(zi)更易(yi)透(tou)過(guo)人體血腦屏障，起到醫療保(bao)健的(de)(de)(de)作用。

負離子(zi)發生(sheng)器原理(li) 負離子(zi)發生(sheng)器電路

空(kong)(kong)氣(qi)負(fu)離子(zi)發生器是利用高(gao)壓(ya)電暈增加空(kong)(kong)氣(qi)中負(fu)離子(zi)成份，從(cong)而改善了(le)空(kong)(kong)氣(qi)質量(liang)，可以(yi)促(cu)進身(shen)體健康，被譽(yu)為空(kong)(kong)氣(qi)“維(wei)生素”。醫學臨(lin)床實踐證明，它(ta)(ta)對呼(hu)吸(xi)系統(tong)。循環系統(tong)以(yi)及(ji)神經方面等的疾(ji)病均有輔助療效，因而在(zai)生活及(ji)醫學界(jie)得以(yi)廣(guang)泛(fan)應用。這是一種(zhong)高(gao)效開放式負(fu)離子(zi)發生器，它(ta)(ta)采用可控硅逆變高(gao)壓(ya)，懸浮(fu)式放電針，結構簡單，效果良好，安全可靠(kao)。市電電壓(ya)在(zai)160V～250V均能(neng)正常工作，且耗電極省(sheng)，僅(jin)1W左(zuo)右，因此可長期連續工作。

二、負離子發生器工作原理

該負離(li)子(zi)發生器電(dian)(dian)路如圖所示。220V市電(dian)(dian)經(jing)(jing)VD1.VD2和R1.R2的(de)整(zheng)(zheng)流。限流，單向脈動電(dian)(dian)流控(kong)制VS的(de)通斷，產生振蕩(dang)，經(jing)(jing)變壓(ya)器T升壓(ya)后，經(jing)(jing)VD3整(zheng)(zheng)流得約萬伏負高(gao)壓(ya)，經(jing)(jing)放(fang)電(dian)(dian)針對空氣放(fang)電(dian)(dian)，產生電(dian)(dian)離(li)，生產負離(li)子(zi)。

負(fu)(fu)離子(zi)發生器原理 負(fu)(fu)離子(zi)發生器電路(lu)

三、元器件選擇與制作

C1為(wei)(wei)0.1μ/400V滌綸或金屬紙介電(dian)(dian)容。R1為(wei)(wei)22k1/2W電(dian)(dian)阻(zu)(zu)，R2為(wei)(wei)27k.1/4w電(dian)(dian)阻(zu)(zu)；VS為(wei)(wei)1A/400V塑封可(ke)控硅。VD1.VD2選用(yong)(yong)1N4004整流二(er)極(ji)管。VD3為(wei)(wei)18kV高(gao)壓(ya)(ya)硅堆。T可(ke)用(yong)(yong)35cm黑(hei)白(bai)電(dian)(dian)視機行輸(shu)出(chu)變(bian)壓(ya)(ya)器改制，將低壓(ya)(ya)繞(rao)組線圈全部(bu)拆掉(diao)，用(yong)(yong)φ0.3mm漆包線或絲包線繞(rao)28匝為(wei)(wei)L1,原高(gao)壓(ya)(ya)包為(wei)(wei)L2,L3是防觸(chu)電(dian)(dian)保(bao)護電(dian)(dian)阻(zu)(zu)，阻(zu)(zu)值為(wei)(wei)2～4MΩ。三枚(mei)放電(dian)(dian)針(zhen)可(ke)用(yong)(yong)普通鍍鎳大頭針(zhen)，高(gao)壓(ya)(ya)端(duan)引(yin)線要(yao)用(yong)(yong)黑(hei)白(bai)行輸(shu)出(chu)高(gao)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)。該電(dian)(dian)路只要(yao)元件良好(hao)，焊接(jie)無誤，不需(xu)調試即可(ke)正常(chang)工作。