【瓷片電容(rong)(rong)】瓷片電容(rong)(rong)的讀(du)數方法 瓷片電容(rong)(rong)有什(shen)么作用

瓷片電容的讀數方法

電容器容量的表示方法

電(dian)容器容量的(de)基本單(dan)位是(shi)“法拉”（F），1法拉的(de) 1/1000000 （百萬(wan)分之一）是(shi)1微(wei)(wei)法（μF），1微(wei)(wei)法的(de) 1/1000000是(shi)1pF （1微(wei)(wei)微(wei)(wei)法或1皮法）。它們(men)之間的(de)關(guan)系是(shi)百萬(wan)（或稱10的(de)6次方）進位關(guan)系。

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我們(men)常用的(de)電(dian)容有(you)：

1、電(dian)解電(dian)容(rong)：多數在1μF以(yi)上，直接(jie)用數字表示。如：4.7μF、100μF、220μF等等。這(zhe)種電(dian)容(rong)的兩極有(you)正負之分，長腳是正極。

2、瓷片電容(rong)：多數(shu)在(zai)1μF以下(xia)，直(zhi)接用(yong)數(shu)字表(biao)示。如(ru)：10、22、0.047、0.1等等，這里要(yao)注意的(de)(de)是(shi)單位(wei)。凡用(yong)整數(shu)表(biao)示的(de)(de)，單位(wei)默(mo)認pF；凡用(yong)小數(shu)表(biao)示的(de)(de)，單位(wei)默(mo)認μF。如(ru)以上例子中，分(fen)別是(shi)10P、22P、0.047μF、220μF等。

現在國際(ji)上流行另一種類似色環電阻的表示方法（單位(wei)默認pF）：

如：“473”即47000pF=0.047μF，“103”即10000pF=0.01μF等(deng)等(deng)，“ XXX”第(di)一、二(er)個(ge)數(shu)字(zi)是有(you)效(xiao)數(shu)字(zi)，第(di)三個(ge)數(shu)字(zi)代表(biao)后(hou)面添加0的個(ge)數(shu)。這種表(biao)示法已經相當普遍(bian)。

瓷片電容的讀數方法

瓷(ci)片電(dian)容(rong)的(de)讀數方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)和電(dian)阻的(de)讀數方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)基(ji)本相同，分色標法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)、數標法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)和直標法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)3種。瓷(ci)片電(dian)容(rong)的(de)基(ji)本單位用法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)拉（F）表(biao)示，其(qi)它(ta)單位還有(you)：毫(hao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（mF）、微(wei)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（μF）、納法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（nF）、皮(pi)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（pF）。其(qi)中：1法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)拉=1000毫(hao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（mF），1毫(hao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)=1000微(wei)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（μF），1微(wei)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)=1000納法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa) （nF），1納法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)=1000皮(pi)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)（pF）。

容(rong)(rong)(rong)量(liang)大的(de)瓷片電(dian)容(rong)(rong)(rong)其容(rong)(rong)(rong)量(liang)值在電(dian)容(rong)(rong)(rong)上直接標明，如10μF/16V；

容(rong)量小的瓷(ci)片電容(rong)其容(rong)量值(zhi)在電容(rong)上用(yong)字母表示(shi)或數字表示(shi)；

字母(mu)表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；

數(shu)(shu)字表(biao)(biao)示法：三(san)位數(shu)(shu)字的(de)表(biao)(biao)示法也稱電(dian)容量的(de)數(shu)(shu)碼表(biao)(biao)示法。三(san)位數(shu)(shu)字的(de)前兩位數(shu)(shu)字為標稱容量的(de)有(you)效數(shu)(shu)字，第三(san)位數(shu)(shu)字表(biao)(biao)示有(you)效數(shu)(shu)字后面零(ling)的(de)個數(shu)(shu)，它(ta)們的(de)單(dan)位都是pF。

例如：102表示標(biao)稱容量為1000pF。

211表(biao)示標稱容量為210pF。

214表示標稱容(rong)量為(wei)21x10（4）pF。

在這(zhe)種表示(shi)法中有一個特殊(shu)情況，就是(shi)當第三位(wei)數字用"9"表示(shi)時，是(shi)用有效數字乘上10的-1次方來表示(shi)容(rong)量大小。例(li)如：219表示(shi)標稱容(rong)量為21x（10-1）pF=2.2pF。

瓷片電容規格有哪些

瓷片電容用高介電(dian)常(chang)數(shu)的電(dian)容器陶瓷〈鈦酸鋇(bei)一氧(yang)化鈦〉擠(ji)壓成圓(yuan)管、圓(yuan)片或圓(yuan)盤作為介質，在陶瓷表面涂(tu)覆一層金(jin)屬薄膜,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電(dian)極制成的電(dian)容器。

瓷片電容有什么作用

1、容量(liang)損耗隨溫(wen)度頻率具高穩(wen)定性(xing)；

2、特(te)殊的(de)串聯結構適合于高(gao)電壓(ya)極長期工作可靠性；

3、高電(dian)流爬(pa)升速率并適用于(yu)大(da)電(dian)流回(hui)路無(wu)感(gan)型結(jie)構。通常用于(yu)高穩定振蕩回(hui)路中，作為回(hui)路、旁路電(dian)容(rong)器及墊整電(dian)容(rong)器如消除高頻干擾(rao)。

瓷片電容器不宜(yi)使(shi)用(yong)在脈沖(chong)電路中，因為它(ta)們易(yi)于被脈沖(chong)電壓擊(ji)穿。

陶瓷(ci)(ci)有I類(lei)(lei)瓷(ci)(ci)，II類(lei)(lei)瓷(ci)(ci)，III類(lei)(lei)瓷(ci)(ci)之分，I類(lei)(lei)瓷(ci)(ci)，NP0，溫度(du)特(te)性，頻率(lv)特(te)性和(he)電(dian)壓(ya)(ya)特(te)性佳(jia)，因介(jie)電(dian)常數不(bu)(bu)高，所(suo)以(yi)容(rong)(rong)(rong)(rong)量(liang)(liang)做不(bu)(bu)大(da)(da)；II類(lei)(lei)瓷(ci)(ci)，X7R次之，溫度(du)特(te)性和(he)電(dian)壓(ya)(ya)特(te)性較好；III類(lei)(lei)瓷(ci)(ci)，介(jie)電(dian)常數高，所(suo)以(yi)容(rong)(rong)(rong)(rong)量(liang)(liang)可以(yi)做很大(da)(da)，但溫度(du)特(te)性和(he)電(dian)壓(ya)(ya)特(te)性不(bu)(bu)太好。瓷(ci)(ci)片電(dian)容(rong)(rong)(rong)(rong)器(qi)一(yi)般體積不(bu)(bu)大(da)(da)。另外，再強調一(yi)個重要特(te)點：瓷(ci)(ci)介(jie)電(dian)容(rong)(rong)(rong)(rong)器(qi)擊穿后，往(wang)往(wang)呈(cheng)短路狀態。（這(zhe)是它的弱點）而薄膜電(dian)容(rong)(rong)(rong)(rong)器(qi)失效后，一(yi)般呈(cheng)開路狀態

瓷片(pian)電(dian)(dian)容規(gui)格Ⅱ類(lei)(lei)瓷也叫做(zuo)高(gao)介(jie)電(dian)(dian)常(chang)數(shu)型（High Dielectric Constant Type），是適用(yong)於作旁路(lu)、耦合或(huo)用(yong)在(zai)對(dui)損(sun)耗(hao)和電(dian)(dian)容量(liang)穩定性要求不高(gao)的電(dian)(dian)路(lu)中的具有高(gao)介(jie)電(dian)(dian)常(chang)數(shu)的一種電(dian)(dian)容器。該(gai)類(lei)(lei)陶瓷介(jie)質是以(yi)在(zai)類(lei)(lei)別溫度范(fan)圍內電(dian)(dian)容量(liang)非線性變(bian)化來表徵。其特性符合以(yi)下標準：

用途：1）旁路和(he)耦合；2）對Q值和(he)容量穩(wen)定性要求一般(ban)的分(fen)步電路。