超頻內存條怎么選

1、內存顆粒芯片

內(nei)存(cun)顆粒芯片(pian)是最重要的核心元件，占據整根內(nei)存(cun)成本的70-80%，因此廠家節省成本最先從內存顆粒芯片著手。而內存芯片的好壞直接影響到內存條的品質和性能。

一(yi)線內存(cun)品(pin)(pin)牌廠家(jia)建(jian)有內存(cun)顆粒芯(xin)片的(de)切割、封(feng)裝測試工廠，它們在(zai)品(pin)(pin)質上有保(bao)證，同(tong)時有利于控制(zhi)成本(ben)，但是它們的(de)品(pin)(pin)質要比內存(cun)原廠芯(xin)片略遜。

一般常見的(de)內存顆(ke)粒(li)廠(chang)商有三星、海(hai)力士、美光(guang)等(deng)，它(ta)們都(dou)是經(jing)過完整(zheng)嚴(yan)謹的(de)生產工(gong)序，因此(ci)在品質上(shang)都(dou)更有保障。而(er)采用(yong)這些頂級大廠(chang)內存顆(ke)粒(li)的(de)內存條(tiao)品質性能(neng)，必(bi)然會比其它(ta)“自主切割、封裝測(ce)試的(de)內存顆粒”的(de)產(chan)品要(yao)高。

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2、做工用料

大廠正品內存(cun)的(de)(de)電(dian)路線路清晰(xi)分明并(bing)且(qie)較(jiao)(jiao)為密(mi)集(ji)有(you)序，同時走(zou)線所(suo)用的(de)(de)銅(tong)絲較(jiao)(jiao)粗并(bing)且(qie)外(wai)面覆蓋抗氧化(hua)涂層(ceng)。而在接近金手指的(de)(de)地(di)方整(zheng)齊有(you)序的(de)(de)焊接大量高級陶瓷電(dian)容和(he)排(pai)阻。

內存的PCB電路(lu)板(ban)下部為一排鍍金(jin)觸點，學名叫做“金(jin)手指(zhi)”。千萬別小(xiao)看(kan)這些金(jin)光閃(shan)閃(shan)的(de)(de)觸點，如果其中有一根脫落或者(zhe)氧化，很可能(neng)會造成一些故障隱患。厚重的(de)(de)鍍金(jin)層不僅可以(yi)提供穩定的(de)(de)數據傳輸通道，同時還能(neng)達到出色的(de)(de)抗氧化的(de)(de)效果，從而進一步提升內存的(de)(de)穩定性(xing)。

3、PCB板層數

通(tong)常而言，PCB電(dian)路板層數越(yue)多(duo)，其信號抗干擾(rao)能力越(yue)強(qiang)，對(dui)內(nei)存(cun)穩定性(xing)越(yue)有幫(bang)助。內(nei)存(cun)PCB板分為6層、8層PCB板。

普條(又稱裸條，沒(mei)有(you)散熱片(pian)）基本采(cai)用6層(ceng)PCB板，大部分入門級超頻內存(cun)采用的是6層PCB板，絕大部分中端(duan)和高端(duan)的超(chao)頻內存采(cai)用的是8層PCB板。

選購超頻內存有什么誤區

誤區一：帶散熱片的產品更能超頻

配(pei)以散熱片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)內(nei)存(cun)(cun)，更多的(de)(de)(de)(de)是起(qi)到(dao)了(le)美化(hua)產(chan)品(pin)(pin)形(xing)象的(de)(de)(de)(de)作用(yong)，有的(de)(de)(de)(de)甚至(zhi)可能成為(wei)內(nei)存(cun)(cun)的(de)(de)(de)(de)遮羞布，讓您看不到(dao)它(ta)所使用(yong)的(de)(de)(de)(de)芯片(pian)(pian)(pian)，要(yao)知道內(nei)存(cun)(cun)芯片(pian)(pian)(pian)才(cai)是決定超(chao)(chao)頻(pin)下限的(de)(de)(de)(de)基(ji)礎(chu)。比(bi)如一些名廠的(de)(de)(de)(de)產(chan)品(pin)(pin)，雖然(ran)并(bing)沒有帶上這(zhe)(zhe)層散熱片(pian)(pian)(pian)，但這(zhe)(zhe)樣的(de)(de)(de)(de)低(di)規(gui)格內(nei)存(cun)(cun)就超(chao)(chao)過了(le)很多帶有散熱片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)高規(gui)格產(chan)品(pin)(pin)，就很能說明這(zhe)(zhe)個問題。所以在(zai)選(xuan)購內(nei)存(cun)(cun)時(shi)，有沒有散熱片(pian)(pian)(pian)不是考慮(lv)因素(su)，帶散熱片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)產(chan)品(pin)(pin)不見得更能超(chao)(chao)頻(pin)。

像(xiang)金士頓、金邦、宇瞻、金泰(tai)克(ke)等品牌內存，每顆芯片都是(shi)廠家(jia)精(jing)挑細選后的優秀A級顆粒，發熱量(liang)小(xiao)不說(shuo)，同時在頻率方面(mian)也留有余地，即使(shi)它們不使(shi)用任何(he)散熱手段，也能有良(liang)好(hao)的表現(xian)，散熱方面(mian)更不需要擔心。

誤區二：單面內存和雙面內存在超頻方面一樣

單面(mian)內(nei)存比雙面(mian)內(nei)存在超頻(pin)方面(mian)更(geng)有先天優勢，這主(zhu)要(yao)取(qu)決(jue)于芯片組(zu)的驅動負載(zai)能(neng)力。單面(mian)的內(nei)存大多為8顆芯片，如目(mu)前主流的512MB產(chan)品，雙面的為16顆芯(xin)片，如目(mu)前主流的1GB產品。這(zhe)就(jiu)意味著(zhu)后者需要更大的驅動能(neng)力(li)，雖然工作時會通過片選(xuan)信號選(xuan)中一(yi)個P-Bank工作，但不工作的(de)P-Bank仍會增(zeng)加(jia)地址(zhi)與控(kong)制信號線的負載。

所以，很(hen)明顯的就可看出，8顆芯片(pian)總是要比16顆芯片(pian)更容易驅動。此外(wai)，芯片(pian)的增多，也使PCB上(shang)的(de)信號線(xian)數(shu)量將是(shi)前者(zhe)的(de)一倍(bei)，如果(guo)設計(ji)不良，產生(sheng)相互干擾的(de)機率也就大幅度增加，這也可能會(hui)影響(xiang)超(chao)頻(pin)能力，不過這是(shi)相對次(ci)要的(de)原(yuan)因，就模組(zu)本身(shen)而言，超(chao)頻(pin)能力更多的(de)取決于芯片。

誤區三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同

有人對這個(ge)誤區(qu)可能(neng)不(bu)理解，選用相同(tong)的顆粒，為什么超頻能(neng)力卻不(bu)同(tong)？其(qi)實(shi)對于(yu)不(bu)同品牌的兩(liang)款內存(cun)(cun)條雖(sui)然采用了相(xiang)同的芯片，但(dan)它們在超(chao)頻(pin)性能上是存(cun)(cun)有(you)差異的，可(ke)主要取(qu)決于(yu)產品的PCB設計及(ji)選用顆(ke)(ke)粒的(de)(de)(de)品(pin)(pin)質(zhi)。現(xian)市面上超頻較好(hao)的(de)(de)(de)顆(ke)(ke)粒多(duo)見現(xian)代、三星、英飛凌等(deng)，但(dan)這些顆(ke)(ke)粒即(ji)使(shi)是相(xiang)同(tong)編號它們也是分等(deng)級的(de)(de)(de)，這其中(zhong)品(pin)(pin)質(zhi)優秀的(de)(de)(de)留給自己(ji)的(de)(de)(de)原(yuan)裝內存(cun)，或者是關系較好(hao)的(de)(de)(de)幾家(jia)內存(cun)廠家(jia)。對于關系一般(ban)的(de)(de)(de)廠家(jia)采購到(dao)的(de)(de)(de)顆(ke)(ke)粒，就有可能是品(pin)(pin)質(zhi)稍遜一些了，所以，即(ji)使(shi)采用相(xiang)同(tong)芯片，但(dan)品(pin)(pin)牌不(bu)同(tong)，那么超頻能力也不(bu)盡相(xiang)同(tong)。

誤區四：CSP封裝的芯片意味著好超頻

相對來說，CSP封裝的內存，在技(ji)術(shu)上較TSOP-II更為先進，但卻與最終內(nei)存性(xing)能的關系不太大。采(cai)用(yong)CSP封(feng)裝(zhuang)芯片(pian)的內(nei)存，在超頻方(fang)面和內(nei)存優(you)化方(fang)面不一定(ding)就比(bi)傳統的TSOP-II芯片模組強。所以大家(jia)不要過分(fen)迷信(xin)CSP封裝，它本(ben)身雖然可以達到比TSOP-II更高的頻率，但對外(wai)圍電(dian)路的要求和(he)電(dian)氣環(huan)境的變(bian)化也比(bi)較(jiao)苛刻。采(cai)用TSOP-II封裝的內存(cun)，超(chao)頻能力(li)比CSP封裝更強的情況更為(wei)普遍，所以(yi)CSP封(feng)裝的芯片不意味著好超頻。

誤區五：規格高的內存在優化能力上比規格低的內存強

從理論上講，DDR500要比DDR400規格高(gao)速度要快，而實際上卻并不絕對。因為有很(hen)多(duo)高(gao)規格的(de)內存都是靠(kao)犧牲時(shi)序(xu)優化能力來換取。像DDR500的內存條雖然標稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有(you)更好的(de)優化(hua)能(neng)力。原(yuan)因很簡單，DDR500所使用的(de)芯片有可(ke)能和普通DDR400的芯片(pian)是(shi)一樣的，在時序(xu)優(you)化能力方面并不占優(you)，而能達(da)到DDR500更多的(de)是通過放寬時序要求來(lai)達到的(de)。所以，規(gui)格高的(de)內(nei)存在(zai)優化(hua)能力上不見得比規(gui)格低的(de)內(nei)存強。因此，玩家在(zai)選購(gou)內(nei)存時一(yi)定要注意這一(yi)點，這也體現了兩種不同的(de)選購(gou)傾向，是想(xiang)得到最(zui)佳的(de)DDR500性能還是最高的工作頻率。

誤區六：產品參數設置最大就好超頻

這個(ge)問(wen)題可以(yi)通過事實說話(hua)，以(yi)DDR400內(nei)存為例，當(dang)用3-4-4超不(bu)上去時，就應換(huan)用BySPD的(de)方法進行超頻。有(you)些(xie)默(mo)認CL=2.5的產品，BySPD反而會(hui)比3-4-4好超，但有些(xie)則不是，默認(ren)CL=3的產品(pin)，BySPD與3-4-4都(dou)差不多，可能會有1、2MHz的區別。估計這應該是(shi)芯片所(suo)體現出來的差異。

CL是一個唯一在內(nei)存初始(shi)化時(shi)寫入芯片內(nei)模式寄(ji)存的(de)參數(tRCD、tRP只需北(bei)橋控制(zhi)即可)，所(suo)以它的值與芯片本(ben)身固(gu)有的可調整范(fan)圍就需要匹配(pei)，如果芯片本(ben)身的局限性較(jiao)大(da)，那么調高CL值反(fan)而會造成(cheng)內存子系統的不穩定而導致不能開機。所以，3-4-4雖然是一(yi)個超(chao)頻(pin)時常用的(de)設置，但(dan)如果遇到(dao)一(yi)點也(ye)不能超(chao)時，建議改(gai)用BySPD試一試，可能會有驚喜。所(suo)以，有些(xie)產品(pin)參數設置最大可不見得就好超(chao)頻(pin)。