一、相機cmos是什么意思

數碼相機上的cmos很多人都不知道是什么，其實它是數碼相機的(de)核心成像部件，英(ying)文(wen)全稱是Complementary Metal Oxide Semiconductor，翻譯過來是互補金屬氧化物半導體。

CMOS原本是(shi)指制造大(da)(da)規模集成電(dian)(dian)路芯片用(yong)的(de)(de)(de)一(yi)種(zhong)技(ji)術或(huo)用(yong)這(zhe)種(zhong)技(ji)術制造出來(lai)的(de)(de)(de)芯片，因(yin)為可讀寫的(de)(de)(de)特性，所以在電(dian)(dian)腦(nao)主(zhu)板上(shang)用(yong)來(lai)保存BIOS設置(zhi)完電(dian)(dian)腦(nao)硬件(jian)參數(shu)(shu)后的(de)(de)(de)數(shu)(shu)據，后來(lai)CMOS制造工藝也被應用(yong)于(yu)制作數(shu)(shu)碼影像(xiang)(xiang)器材的(de)(de)(de)感光元件(jian)，尤其是(shi)片幅(fu)規格較大(da)(da)的(de)(de)(de)單反(fan)數(shu)(shu)碼相機，它能接收外界光線(xian)后轉化為電(dian)(dian)能，再透過芯片上(shang)的(de)(de)(de)模-數(shu)(shu)轉換(huan)器（ADC）將獲得(de)的(de)(de)(de)影像(xiang)(xiang)訊(xun)號轉變為數(shu)(shu)字信號輸出。

二、相機cmos在哪個位置

在相(xiang)機(ji)中，cmos被用(yong)作(zuo)圖像(xiang)傳(chuan)(chuan)感(gan)器，用(yong)于捕捉光(guang)線(xian)并(bing)將(jiang)其轉換為數字(zi)信(xin)號，以便在相(xiang)機(ji)中形成圖像(xiang)，一般就在相(xiang)機(ji)的鏡頭(tou)后面，位(wei)于傳(chuan)(chuan)感(gan)器板上，這(zhe)是(shi)一個平坦的電(dian)路板，其中包含了(le)所有的電(dian)子元件(jian)。

不(bu)同(tong)相(xiang)機(ji)(ji)的cmos位置可能略有不(bu)同(tong)，一(yi)般微單相(xiang)機(ji)(ji)的cmos通常拆(chai)下鏡頭(tou)就(jiu)看到了，而單反(fan)相(xiang)機(ji)(ji)因為(wei)結構的問題(ti)，得(de)把反(fan)光板抬(tai)起來(lai)才(cai)能看到。

三、相機的cmos有幾種

相機的cmos按(an)照(zhao)結(jie)構(gou)不同(tong)，可分(fen)為三(san)種類型(xing)：前照(zhao)式（FSI）、背(bei)照(zhao)式（BSI）以及堆棧式：

1、傳統的(de)前(qian)(qian)照(zhao)式(shi)結構下，光(guang)線(xian)經過(guo)微透(tou)鏡和(he)彩(cai)色(se)濾光(guang)片后，會(hui)(hui)(hui)先從光(guang)電二(er)極管前(qian)(qian)方的(de)金屬排(pai)線(xian)之間進入，再聚集在光(guang)電二(er)極管上。這種結構就導(dao)致金屬排(pai)線(xian)會(hui)(hui)(hui)阻(zu)擋和(he)折射(she)部分光(guang)線(xian)，光(guang)電二(er)極管吸收和(he)利用(yong)的(de)光(guang)線(xian)會(hui)(hui)(hui)變(bian)少到70%甚(shen)至(zhi)更少，甚(shen)至(zhi)金屬排(pai)線(xian)造成的(de)反射(she)還有(you)可(ke)能會(hui)(hui)(hui)串擾旁邊的(de)像素，導(dao)致顏(yan)色(se)失真。

2、因(yin)為前(qian)照(zhao)(zhao)式的(de)這(zhe)個(ge)缺點，背照(zhao)(zhao)式結構(gou)誕生了。與前(qian)照(zhao)(zhao)式的(de)不同在(zai)(zai)于(yu)其金屬排線的(de)位置在(zai)(zai)光電(dian)二極(ji)管(guan)下(xia)方(fang)，因(yin)此(ci)光線幾乎沒有受(shou)到干擾就到達了光電(dian)二極(ji)管(guan)，極(ji)大地(di)提(ti)升(sheng)了光線利用率，最明顯的(de)改善就是提(ti)升(sheng)了暗(an)光下(xia)的(de)成像質量。

3、前(qian)照(zhao)式(shi)和(he)背照(zhao)式(shi)都(dou)屬于非堆(dui)棧(zhan)式(shi)結構，堆(dui)棧(zhan)式(shi)cmos和(he)它(ta)們比起來，體(ti)積更(geng)(geng)小(xiao)，功能和(he)尺寸甚至還更(geng)(geng)佳，它(ta)是(shi)將處(chu)理電路區域(yu)和(he)像(xiang)素(su)(su)區域(yu)分開，用兩個(ge)硅片使用不同的(de)(de)制(zhi)程制(zhi)造，再堆(dui)疊在一起，這樣就形(xing)成了(le)堆(dui)棧(zhan)式(shi)CMOS，這樣做(zuo)不僅提升了(le)像(xiang)素(su)(su)區域(yu)的(de)(de)大小(xiao)，還增強了(le)處(chu)理電路的(de)(de)性能，更(geng)(geng)是(shi)減小(xiao)了(le)攝像(xiang)頭(tou)的(de)(de)體(ti)積。