SSD固態硬盤的優點

1、SSD不(bu)需要機械結(jie)構，完全的(de)半導體化(hua)，不(bu)存在(zai)數(shu)據查找時(shi)間、延遲時(shi)間和磁盤尋道時(shi)間，數(shu)據存取(qu)速(su)度快，讀取(qu)數(shu)據的(de)能力(li)在(zai)400M/s以上(shang)，最(zui)高的(de)目前可(ke)達500M/s以上(shang)。

2、SSD全(quan)部采用(yong)(yong)閃存芯片(pian)，經久耐用(yong)(yong)，防震抗(kang)摔，即(ji)使發生與硬物碰撞，數(shu)據(ju)丟失的可能性也(ye)能夠降到最小。

3、得(de)益于無機械部件及FLASH閃(shan)存芯片，SSD沒有任何噪音，功(gong)耗低(di)。

4、質量輕，比常規1.8英寸硬(ying)盤(pan)重量輕20-30克，使得便攜設備搭載多塊SSD成為可能(neng)。同時因其完全半導體化，無結(jie)構限制，可根據實際情況設計成各(ge)種不同接(jie)口、形(xing)狀的特殊電子硬(ying)盤(pan)。

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SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目(mu)前SSD成本已(yi)經大幅(fu)下降。128G SSD已(yi)經在(zai)1000元級別。但(dan)是相對機械硬盤(pan)(pan)，價(jia)格還是很(hen)高的~而作為筆(bi)(bi)記本廠商，在(zai)將固(gu)態硬盤(pan)(pan)當作可選配(pei)(pei)件(jian)后，升級的費用更是要遠高于實際成本，這(zhe)也就導(dao)致了(le)配(pei)(pei)備傳統(tong)硬盤(pan)(pan)筆(bi)(bi)記本和固(gu)態硬盤(pan)(pan)筆(bi)(bi)記本之(zhi)間(jian)千元的價(jia)差。

2、存儲容量有待提高

如今傳統機械式硬(ying)盤憑(ping)借最(zui)(zui)新(xin)的(de)垂(chui)直記錄(lu)技(ji)術已經向(xiang)2TB級別邁進(jin)，而固(gu)態(tai)硬(ying)盤的(de)最(zui)(zui)高紀(ji)錄(lu)仍(reng)停(ting)留幾(ji)百(bai)(bai)GB(PQI推出(chu)的(de)2.5英寸(cun)SSD產(chan)品(pin))左右，由(you)于閃存成本(ben)一直居高不(bu)下，很(hen)少(shao)有廠商涉及(ji)這種(zhong)高容(rong)量(liang)的(de)SSD產(chan)品(pin)的(de)研(yan)發，即使有相關(guan)的(de)產(chan)品(pin)出(chu)現，離量(liang)產(chan)還有很(hen)長很(hen)長的(de)路，現階段可以買到的(de)固(gu)態(tai)硬(ying)盤最(zui)(zui)實(shi)際的(de)存儲容(rong)量(liang)只(zhi)有最(zui)(zui)高幾(ji)百(bai)(bai)GB。但是價格高昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前市面上(shang)占有率最(zui)高的(de)(de)(de)SandForce二代主(zhu)控(kong)，由于(yu)它提供(gong)了一套成熟的(de)(de)(de)主(zhu)控(kong)方案。硬(ying)盤廠商只(zhi)需買(mai)來方案，在(zai)加入自己的(de)(de)(de)PCB設計、閃存(cun)搭(da)配、固(gu)件算法就能制造出(chu)固(gu)態硬(ying)盤。有點類似于(yu)谷歌(ge)的(de)(de)(de)Android開(kai)源(yuan)模式，不(bu)過其弊(bi)病也(ye)是相同的(de)(de)(de)，那就是同樣的(de)(de)(de)主(zhu)控(kong)要兼(jian)容各種(zhong)不(bu)同的(de)(de)(de)芯片、固(gu)件，所以各大SandForce主(zhu)控(kong)的(de)(de)(de)硬(ying)盤產品性能也(ye)是參差不(bu)齊的(de)(de)(de)。另(ling)外還有Marvell主(zhu)控(kong)和Intel主(zhu)控(kong)，只(zhi)是產品較少，但(dan)性能都相當給力(li)。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用的(de)閃存顆(ke)(ke)粒(li)有(you)著25/34nm制程、MLC/SLC、同(tong)步/異(yi)(yi)步、ONFI/Toggle Mode等等不同(tong)。不同(tong)閃存顆(ke)(ke)粒(li)數據傳輸(shu)率(lv)有(you)著很大的(de)差異(yi)(yi)，異(yi)(yi)步ONFI顆(ke)(ke)粒(li)只有(you)50MT/s（Intel或者Micron早(zao)期顆(ke)(ke)粒(li)），同(tong)步ONFI 2.x顆(ke)(ke)粒(li)則可以(yi)達到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或者Micron顆(ke)(ke)粒(li)），異(yi)(yi)步Toggly DDR 1.0顆(ke)(ke)粒(li)也可以(yi)達到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或者Samsung顆(ke)(ke)粒(li)）。