如何選擇電子元件

如(ru)何選擇(ze)電子元件器件(如(ru)何選擇(ze)保險(xian)管，如(ru)何選擇(ze)保險(xian)絲）

電(dian)子元器(qi)件的(de)(de)選用非常重要。元器(qi)件的(de)(de)失(shi)效主要集(ji)中(zhong)在以下(xia)四個(ge)方面(mian)：

（1)元器件可靠性問題

元(yuan)器(qi)件可(ke)靠(kao)性(xing)問(wen)題即基本(ben)失(shi)(shi)效率(lv)的問(wen)題，這是一種隨機性(xing)質的失(shi)(shi)效，與(yu)質量問(wen)題的區別是元(yuan)器(qi)件的失(shi)(shi)效率(lv)取(qu)決于工作(zuo)應(ying)(ying)力水平。在一定的應(ying)(ying)力水平下(xia)(xia)，元(yuan)器(qi)件的失(shi)(shi)效率(lv)會(hui)大大下(xia)(xia)降。為剔除不符合使用要求的元(yuan)器(qi)件，包括電(dian)(dian)參數(shu)不合格、密封(feng)性(xing)能不合格、外觀不合格、穩(wen)定性(xing)差、早(zao)期(qi)失(shi)(shi)效等，應(ying)(ying)進行篩(shai)選(xuan)試驗，電(dian)(dian)子(zi)產品主要元(yuan)器(qi)件的篩(shai)選(xuan)試驗一般要求：

購貨商要(yao)提供以(yi)下測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)報告，高溫(wen)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)一般要(yao)焊接(jie)模擬(ni)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)，高溫(wen)烤箱測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)一般達不到實際焊接(jie)要(yao)求，測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)可以(yi)通道式測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)回(hui)流焊完(wan)成（力鋒推(tui)薦：Ｍ系列測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)型回(hui)流焊）完(wan)全模擬(ni)實際焊接(jie)生產曲(qu)線(xian)，這樣測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi)過的器件品質更有保證！

①電阻在室溫下按技術條件進行(xing)100％測試，剔除(chu)不合格(ge)品。

②普(pu)通電容器在室溫(wen)下(xia)按技術條件(jian)進行100％測試，剔除不合格品。

③接插件(jian)按(an)技(ji)術條件(jian)抽樣檢測各種參數。

④半導體器件(jian)按以下程(cheng)序進行篩選：

目檢→初(chu)測→高溫(wen)(wen)貯存→高低溫(wen)(wen)沖擊(ji)→電功率老化→高溫(wen)(wen)測試(shi)（模擬焊接測試(shi)）→低溫(wen)(wen)測試(shi)→常溫(wen)(wen)測試(shi)

篩選結束(shu)后應計(ji)算(suan)剔除率Q

Q=(n / N)×100%

式(shi)中(zhong)：N——受(shou)試樣品總數；

n——被剔除的樣品數；

如果Q超(chao)過(guo)標準規(gui)定(ding)的上限(xian)值，則本批元器件全部不準上機(ji)，并按有關規(gui)定(ding)處(chu)理。

（2)制造質量問題

質(zhi)(zhi)量問題造(zao)成的(de)失效與工作應力無關。質(zhi)(zhi)量不合格的(de)可(ke)以通過嚴格的(de)檢驗(yan)加以剔除，在工程(cheng)應用(yong)時應選用(yong)定(ding)點(dian)生產(chan)廠家的(de)成熟產(chan)品(pin)，不允許使用(yong)沒有經(jing)過認證的(de)產(chan)品(pin)。

（3)設計問題

首先(xian)是恰當地選用合(he)適的元器件(jian)：

①盡量選用(yong)硅半(ban)導體器(qi)件，少用(yong)或不用(yong)鍺半(ban)導體器(qi)件。

②多采用集成(cheng)電路，減少分(fen)立器件的數目(mu)。

③開關管選用MOSFET能(neng)簡化驅動電(dian)路(lu)，減少損耗(hao)。

④輸出整流管盡量(liang)采用具有軟(ruan)恢(hui)復特性的二極管。

⑤應選擇金(jin)屬封(feng)裝(zhuang)、陶瓷封(feng)裝(zhuang)、玻璃封(feng)裝(zhuang)的(de)器件。禁止選用塑料封(feng)裝(zhuang)的(de)器件。

⑥集(ji)成電(dian)路(lu)必須是一類品(pin)或者是符合MIL－M－38510、MIL－S－19500標準B－1以上質(zhi)量等(deng)級的(de)軍品(pin)。

⑦設計時(shi)(shi)盡量少用繼電器(qi)，確有必(bi)要時(shi)(shi)應選用接觸良好的密封繼電器(qi)。

⑧原則(ze)上不選用電位器，必須保留的(de)應進行(xing)固封處理。

⑨吸收電容器與開關(guan)管和(he)(he)輸出整流管的距離應當(dang)很近，因流過高頻電流，故易升(sheng)溫(wen)，所以要求這些電容器具(ju)有高頻低損耗和(he)(he)耐(nai)高溫(wen)的特性。

在潮濕(shi)和鹽(yan)霧環境下，鋁電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)會發(fa)生外殼腐蝕、容(rong)(rong)量(liang)漂移(yi)、漏電(dian)(dian)(dian)(dian)流增大(da)等情況(kuang)，所(suo)(suo)以在艦船(chuan)和潮濕(shi)環境，最好(hao)不要用(yong)鋁電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)。由于(yu)受空間粒子(zi)轟擊時(shi)，電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)質會分解(jie)(jie)(jie)，所(suo)(suo)以鋁電(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)也(ye)不適用(yong)于(yu)航天電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)設備(bei)的電(dian)(dian)(dian)(dian)源中(zhong)。

鉭(tan)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容溫度(du)和頻率特性較好，耐高低(di)溫，儲(chu)存時間長，性能穩定可(ke)靠，但鉭(tan)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容較重(zhong)、容積比低(di)、不(bu)耐反(fan)壓、高壓品種(>125V)較少、價格昂貴。

關于降額設計：電子元器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)基(ji)本失效(xiao)率(lv)取決(jue)于工作應力(li)(li)(包括(kuo)電、溫度、振(zhen)動、沖擊、頻率(lv)、速度、碰撞等)。除個別低(di)(di)應力(li)(li)失效(xiao)的(de)(de)元器(qi)(qi)(qi)件外(wai)，其它均(jun)表現(xian)為工作應力(li)(li)越高，失效(xiao)率(lv)越高的(de)(de)特(te)性(xing)。為了使元器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)失效(xiao)率(lv)降(jiang)低(di)(di)，所以(yi)在(zai)電路設計時(shi)要(yao)進行(xing)降(jiang)額(e)設計。降(jiang)額(e)程度，除可靠(kao)性(xing)外(wai)還需考(kao)慮體積、重量、成本等因素(su)。不同的(de)(de)元器(qi)(qi)(qi)件降(jiang)額(e)標準亦不同，實踐表明，大部分(fen)電子元器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)基(ji)本失效(xiao)率(lv)取決(jue)于電應力(li)(li)和(he)溫度，因而降(jiang)額(e)也主要(yao)是控制這兩(liang)種應力(li)(li)，以(yi)下為電子產品常(chang)用元器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)降(jiang)額(e)系數：

①電阻的(de)功率降額系(xi)數在0.1～0.5之間(jian)。

②二極管的功率降(jiang)額(e)系數在0.4以(yi)下，反向耐壓在0.5以(yi)下。

③發光二極管．