• 中(zhong)文(wen)名 雷(lei)嘯霖(lin)
• 性別 男(nan)
• 國籍(ji) 中國
• 民族 漢(han)族
• 出(chu)生(sheng)地 廣西桂林
• 出生日(ri)期 1938年10月27
• 畢業院校 北京大學
• 職業職位 中國科學院院士
• 主要成就 當選中國科學院院士、與丁(ding)秦生教授創立“雷-丁(ding)理論”

1955年 - 1963年，在北京大學(xue)物理系學(xue)習。

1963年(nian)，從北京大(da)學畢業，被(bei)分到(dao)山東(dong)大(da)學任(ren)教。

1986年，在中國科(ke)學院上海冶(ye)金所被破(po)格(ge)提升為研究(jiu)員(yuan)。

1983年，應邀赴美工作，先后被休(xiu)斯頓(dun)大(da)學、紐(niu)約市立大(da)學、斯梯文理(li)工學院(yuan)聘為客(ke)座(zuo)副(fu)教(jiao)授、客(ke)座(zuo)教(jiao)授，從事凝(ning)聚(ju)態物理(li)學理(li)論研究。

1997年，當選為中國科學院院士。

1988年(nian)，被評為(wei)“國家有突(tu)出(chu)貢獻的中青(qing)年(nian)專家”。

1995年，榮獲全國“五(wu)一”勞(lao)動(dong)獎章。

1997年，當選為中國科學院院士(shi)。

2006年，榮獲“何(he)梁何(he)利科(ke)學與技術進步獎”。

20世紀60年代，與吳杭生教授一起提(ti)出超導膜的尺寸非局域效應，建立(li)超導薄膜臨界磁(ci)場隨膜厚度變化(hua)的-3/2次方規律(lv)。

20世(shi)紀(ji)80年代(dai)初，對(dui)超導臨界溫度(du)級數(shu)的收斂判據以及聲子譜高頻(pin)行(xing)為的效應提出獨創見解(jie)，得到(dao)同行(xing)公認。

20世紀80年代(dai)中期，與丁(ding)秦生教授合(he)作，創立(li)“雷-丁(ding)理論”。

20世紀90年代初，發展超(chao)晶(jing)格子(zi)帶輸運(yun)模型，建立在電場和(he)磁(ci)場中(zhong)任意能譜材料的熱載流子(zi)輸運(yun)方程。

1991年，提出(chu)窄能帶(dai)材料中電子輸運(yun)的(de)布拉格(ge)散射模型，建(jian)立半導體超晶格(ge)微(wei)帶(dai)輸運(yun)的(de)解析(xi)理(li)論。

1994年，《半導(dao)體輸運理論》榮獲“中國科(ke)學(xue)院自然科(ke)學(xue)獎一(yi)等(deng)獎”。

1995年，提出用(yong)6個有效質量系(xi)數(shu)和(he)6個非拋物系(xi)數(shu)描述任意(yi)形狀(zhuang)的(de)能帶(dai)系(xi)統(tong)在(zai)電場和(he)磁場同(tong)時存在(zai)時的(de)輸(shu)(shu)運性質的(de)方(fang)程，為(wei)研(yan)究復雜能帶(dai)材料在(zai)強電場下(xia)的(de)半(ban)導體磁輸(shu)(shu)運提供一個簡便(bian)而系(xi)統(tong)的(de)方(fang)法。

1995年，《半導(dao)體輸運的平衡方程理(li)論》榮獲“國家自然科學獎二等獎”。

1998年，提出研(yan)究強太拉赫茲電磁(ci)場中半導體非線性電子輸運和光學性質的新的平衡(heng)方程理論。