• 中(zhong)文名 王占國
• 性(xing)別 男
• 國籍 中(zhong)國
• 民(min)族 漢族
• 出生地 河南省南陽(yang)市
• 出(chu)生日(ri)期(qi) 1938年12月
• 畢業院校 南開大學
• 職業職位 中國科學院院士
• 主要成就 “國家(jia)科技進(jin)步三(san)等(deng)獎”、“國家(jia)自然科學(xue)二等(deng)獎”

1962年，畢業于南(nan)開大學物(wu)理系，隨后進入中國(guo)科學院半導體所工作。

1980年 - 1983年，前往瑞典隆(long)德大學固(gu)體(ti)物理系從(cong)事深能級物理和(he)光譜物理研究。

1986年，擔(dan)任中國(guo)科(ke)學(xue)院半導體所(suo)研(yan)究員、材料(liao)室(shi)主任。

1990年，被批準為中國科學院半導體所博(bo)士生(sheng)導師。

1990年 - 1994年，擔任中國科(ke)學院(yuan)半導(dao)體所副(fu)所長(chang)。

1995年，當選為中國科學院院士。

1989年，榮獲“中國科(ke)學院科(ke)技進步(bu)一等獎(jiang)”。

1990年，榮獲“國家科(ke)技進步三等獎”、“中國科(ke)學(xue)院科(ke)技進步三等獎”。

2001年，榮獲“國家自然科學(xue)二等獎(jiang)”、“何梁何利科學(xue)與技術(shu)進步獎(jiang)”。