1、顯卡(ka)(ka)芯片：顯卡(ka)(ka)核(he)(he)心型(xing)(xing)號(hao)差一(yi)檔(dang)(dang)，性(xing)能(neng)也就(jiu)差了一(yi)檔(dang)(dang)，所以(yi)可根據(ju)核(he)(he)心型(xing)(xing)號(hao)來判斷顯卡(ka)(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)(ka)型(xing)(xing)號(hao)的(de)前綴一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后(hou)的(de)兩(liang)位數(shu)或(huo)一(yi)位數(shu)代(dai)表(biao)(biao)代(dai)數(shu)，再其(qi)后(hou)兩(liang)位數(shu)越(yue)大，表(biao)(biao)示(shi)同(tong)代(dai)中的(de)性(xing)能(neng)就(jiu)越(yue)強，后(hou)綴有(you)Ti、SE、M、MX，分別表(biao)(biao)示(shi)加強版(ban)、閹割(ge)版(ban)、移動(dong)版(ban)、移動(dong)加強版(ban)。

2、流處(chu)理(li)(li)器(qi)：流處(chu)理(li)(li)器(qi)是顯卡(ka)的(de)核(he)心，直接影響(xiang)處(chu)理(li)(li)能力，對于N卡(ka)和A卡(ka)來說，流處(chu)理(li)(li)單元個數越多則(ze)處(chu)理(li)(li)能力越強。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)流處(chu)理(li)(li)單元可(ke)采取近似比較(jiao)，N卡(ka)的(de)1個流處(chu)理(li)(li)單元相當于AMD的(de)5個流處(chu)理(li)(li)單元。

3、顯存位(wei)寬(kuan)：顯存位(wei)寬(kuan)表(biao)示一個時(shi)鐘周期內所能傳送數據的位(wei)數，位(wei)數越大(da)則傳輸量越大(da)，常見的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯卡。在顯存頻(pin)率(lv)相(xiang)當情況下(xia)，顯存位(wei)寬(kuan)決定著帶(dai)寬(kuan)的大(da)小(xiao)。

4、顯(xian)(xian)存類(lei)型(xing)：顯(xian)(xian)存類(lei)型(xing)主要(yao)有(you)SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒(li)主要(yao)應用在低(di)端顯(xian)(xian)卡上，頻率一般不(bu)超過200MHz；DDR SDRAM是主流(liu)；DDR SGRAM適合繪(hui)圖專(zhuan)用。

5、散熱(re)設計：散熱(re)系統(tong)的好(hao)壞直接決定了性(xing)能發揮的穩定性(xing)，被動(dong)(dong)式(shi)噪音低，適合低頻率顯(xian)卡；主動(dong)(dong)式(shi)有散熱(re)片和風(feng)扇，適合高頻率顯(xian)卡；導流式(shi)適合高檔(dang)游戲顯(xian)卡。