英特爾在IEEE國際電(dian)子設備會議(IEDM)上發布了未(wei)來十(shi)年(nian)制造(zao)工藝擴(kuo)展路(lu)線圖(tu),并宣(xuan)布在2029年(nian)實現1.4納米芯片。
英特爾計劃從(cong)2019年(nian)的10納米(mi)工藝開始,到2021年轉向7納米EUV(極紫(zi)外光刻),2023年采用5納米,2025年3納米,2027年(nian)2納(na)米(mi),最終(zhong)到2029年(nian)的1.4納米(mi)。1.4納米(mi)大(da)小相當于(yu)12個硅原(yuan)子。在兩代(dai)工藝節點之間,會引入+和++工(gong)藝迭代版本(ben)。
英特爾在十年路線圖還提到了“反向移植”(back porting)。反(fan)向移植是芯片設計(ji)時考慮的(de)一個進程節點能力,即(ji)任(ren)何第一代(dai)7納米(mi)設計可以反向(xiang)移植(zhi)到(dao)10++版本(ben)上(shang),任何第一代(dai)5納(na)米(mi)設計(ji)可以反向移植(zhi)到7++版本上,然后是3納(na)米(mi)反(fan)向移植到5++,2納米反向移(yi)植到3++上,依(yi)此(ci)類推(tui)。
英(ying)特(te)爾是(shi)半(ban)導體行業和計(ji)算創新領(ling)域的全球領(ling)先(xian)廠商,創始于1968年(nian)。如今,英(ying)特(te)爾正轉型為(wei)一(yi)家以數(shu)據為(wei)中心的公司。英(ying)特(te)爾與合作伙伴一(yi)起,推動人工智能(neng)(neng)、5G、智能(neng)(neng)邊緣等轉折(zhe)性(xing)技術的創新和應(ying)用突破,驅(qu)動智能(neng)(neng)互聯世界。
1968年(nian)(nian),英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)公(gong)司創(chuang)立(li)(li),羅(luo)伯(bo)特(te)(te)(te)(te)·諾伊(yi)斯任首席(xi)執(zhi)行(xing)官(CEO),戈登·摩(mo)爾(er)(er)(er)任首席(xi)運營官(COO),安迪·格(ge)魯夫隨后(hou)加(jia)入。1971年(nian)(nian),英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)推(tui)(tui)出(chu)商用計算(suan)機(ji)微(wei)處(chu)理(li)(li)器4004。1981年(nian)(nian),英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)8088處(chu)理(li)(li)器成(cheng)就了世(shi)界(jie)上第一(yi)臺個(ge)(ge)人(ren)計算(suan)設備。2001年(nian)(nian),英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)首次針(zhen)對數(shu)據中(zhong)心(xin)推(tui)(tui)出(chu)至強處(chu)理(li)(li)器品牌,為(wei)數(shu)字世(shi)界(jie)奠定堅實(shi)基礎。2003年(nian)(nian),英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)推(tui)(tui)出(chu)迅馳,開(kai)創(chuang)無(wu)線(xian)移動計算(suan)時代。英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)在2016年(nian)(nian)世(shi)界(jie)五百強中(zhong)排(pai)在第51位。2016年(nian)(nian)4月,英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)推(tui)(tui)出(chu)處(chu)理(li)(li)器至強7290F采用了多(duo)達72個(ge)(ge)處(chu)理(li)(li)器核心(xin),成(cheng)為(wei)英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)核心(xin)數(shu)最多(duo)的處(chu)理(li)(li)器。2019年(nian)(nian)2月,英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)推(tui)(tui)出(chu)至強鉑金9282,它有112個(ge)(ge)線(xian)程,是線(xian)程最多(duo)的處(chu)理(li)(li)器。2017年(nian)(nian),英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)確立(li)(li)以(yi)數(shu)據為(wei)中(zhong)心(xin)的轉(zhuan)型戰略,開(kai)拓(tuo)3000億美元的廣闊(kuo)市場機(ji)遇。2018年(nian)(nian)6月,英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)宣布(bu)接受CEO科再奇(Brian Krzanich)的辭職,首席(xi)財務官司睿博(Bob Swan)被任命為(wei)臨時首席(xi)執(zhi)行(xing)官,他(ta)于2019年(nian)(nian)1月31日成(cheng)為(wei)正式CEO。2021年(nian)(nian)1月,英(ying)(ying)特(te)(te)(te)(te)爾(er)(er)(er)宣布(bu)帕特(te)(te)(te)(te)·基辛格(ge)(Pat Gelsinger)成(cheng)為(wei)新一(yi)任首席(xi)執(zhi)行(xing)官,該任命自2021年(nian)(nian)2月15日起(qi)生效。
2020年,英特(te)爾(er)營(ying)收達到(dao)779億(yi)美元,連續五年創(chuang)新(xin)高。2020年9月,英特(te)爾(er)推出新(xin)的品(pin)牌形象。2021年3月,英特(te)爾(er)宣布IDM 2.0戰略。
劉德音,畢業(ye)于國立臺灣大學電機工程學系(xi),并(bing)獲得美國加州大學柏克萊(lai)分(fen)校電機暨計算機信息碩士(shi)及(ji)...
在電子研發的過程中(zhong),經(jing)常面臨一個(ge)情況,就是(shi)產品(pin)需要更多(duo)的功能(neng),因(yin)此不得(de)不選擇(ze)更新版本的芯(xin)片...
U盤(pan)芯片是U盤(pan)的主體,里面包(bao)含了大(da)量電(dian)路和(he)接口,主控芯片和(he)存儲芯片也集(ji)成在上面。一(yi)般(ban)來說(shuo),...
陳向東,畢業(ye)于(yu)復旦大學(xue)物(wu)理電(dian)子(zi)半導體專業(ye),曾任(ren)甘肅國(guo)營第八七一(yi)廠紹興分(fen)廠車間副主(zhu)任(ren)、華越(yue)微...