我(wo)國(guo)首臺半導體激光隱形(xing)晶圓切割機研制(zhi)成功,開(kai)啟(qi)了我(wo)國(guo)激光晶圓切割行業發展的(de)序幕。該(gai)裝(zhuang)備具有加工精度高、加工效率(lv)高等特點,可以大幅提升芯片生產制(zhi)造(zao)的(de)質量、效率(lv)、效益還可以避免(mian)對晶體硅表(biao)面(mian)造(zao)成損傷。
2020年5月17日中國(guo)(guo)長城科技集團股份有限(xian)公司旗(qi)下鄭州(zhou)軌道交(jiao)通(tong)(tong)信息技術研究院(下稱“鄭州(zhou)軌交(jiao)院”)和河(he)南(nan)通(tong)(tong)用(yong)智能裝備有限(xian)公司成功研制我國(guo)(guo)首臺半導體激光(guang)隱(yin)形晶(jing)(jing)圓切(qie)割(ge)機,開啟了我國(guo)(guo)激光(guang)晶(jing)(jing)圓切(qie)割(ge)行業發展的序幕,填補了國(guo)(guo)內空白。
晶圓切割(ge)是半導體封測工藝(yi)中不可(ke)或缺的關鍵工序,與(yu)傳(chuan)統的切割(ge)方(fang)式相比,激光切割(ge)屬于非(fei)接觸式加工,可(ke)以避免對晶體硅表(biao)面造成損傷,并且具有加工精度高、加工效率高等特點(dian),可(ke)以大幅(fu)提升芯片(pian)生產(chan)制造的質量、效率、效益。
該裝備采用(yong)特殊(shu)材料、特殊(shu)結(jie)構設計、特殊(shu)運動平臺,可以實(shi)現加工平臺在高(gao)(gao)速(su)運動時保持(chi)高(gao)(gao)穩定性、高(gao)(gao)精度,運動速(su)度可達(da)500mm/S。
在光(guang)學(xue)方面,根(gen)據單晶硅的光(guang)譜特性,結合(he)工業激(ji)光(guang)的應用水平,采用了合(he)適的波長、總功率(lv)、脈寬和重頻的激(ji)光(guang)器,最終實現了隱(yin)形切割。
在影(ying)像(xiang)(xiang)方面,采用不同像(xiang)(xiang)素(su)尺寸、不同感光芯片(pian)的相(xiang)機(ji),配以不同功效(xiao)的鏡頭(tou),實(shi)現了(le)產品輪廓識別及低倍(bei)、中(zhong)倍(bei)和(he)高倍(bei)的水平調整。該裝備還(huan)搭(da)載了(le)同軸影(ying)像(xiang)(xiang)系統,可以確保(bao)切割中(zhong)效(xiao)果(guo)(guo)的實(shi)時確認和(he)優化,實(shi)現最佳切割效(xiao)果(guo)(guo)。
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