晶(jing)湛半(ban)導體(ti)由業(ye)界公認(ren)的(de)(de)硅基(ji)(ji)氮(dan)化鎵(jia)（GaN-on-Si）外(wai)延技術(shu)的(de)(de)開拓者(zhe)程凱博士于2012年回國創辦，坐(zuo)落(luo)于蘇州(zhou)市工業(ye)園區，擁(yong)有(you)國際(ji)先(xian)進的(de)(de)氮(dan)化鎵(jia)外(wai)延材(cai)料(liao)研發和產業(ye)化基(ji)(ji)地，致(zhi)力(li)(li)于為電力(li)(li)電子以及(ji)微顯示(shi)等領域提供高品質氮(dan)化鎵(jia)外(wai)延材(cai)料(liao)解(jie)決方案，也是目(mu)前國際(ji)上可供應300mm硅基(ji)(ji)氮(dan)化鎵(jia)外(wai)延產品的(de)(de)廠商，技術(shu)實力(li)(li)處于國際(ji)地位(wei)。
2014年底，晶湛(zhan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)就率先在(zai)全(quan)球(qiu)首次發布商用8英(ying)(ying)寸硅基(ji)氮(dan)化鎵(jia)外延(yan)片產品(pin)，經有關下游(you)客(ke)戶驗(yan)證(zheng)，該材(cai)料(liao)具備技術指標和(he)卓(zhuo)越(yue)的(de)性能，填(tian)補了(le)國內(nei)(nei)氮(dan)化鎵(jia)產業(ye)的(de)空白。2021年9月，晶湛(zhan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)又成功全(quan)球(qiu)12英(ying)(ying)寸硅基(ji)電力電子氮(dan)化鎵(jia)外延(yan)片，贏(ying)得(de)了(le)業(ye)內(nei)(nei)廣泛(fan)(fan)關注(zhu)。經過多(duo)年的(de)專(zhuan)注(zhu)發展，晶湛(zhan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)已(yi)經成為(wei)國內(nei)(nei)GaN材(cai)料(liao)研發和(he)產業(ye)化的(de)領(ling)軍企(qi)業(ye)，通過與全(quan)球(qiu)數百家知名(ming)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)科(ke)技企(qi)業(ye)、高校科(ke)研院所客(ke)戶建立(li)廣泛(fan)(fan)深入(ru)的(de)合作，多(duo)次在(zai)行業(ye)期刊NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及(ji)國際(ji)會議IEDM等發布相關創新成果，引(yin)起國際(ji)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)界的(de)廣泛(fan)(fan)關注(zhu)和(he)一致好(hao)評。
晶湛半導體高(gao)度重視自(zi)主研(yan)發和核心知(zhi)識產權工作(zuo)，在氮化鎵外延領(ling)域已掌握多項核心技術，擁有獨立的自(zi)主知(zhi)識產權，晶湛半導體目(mu)前(qian)已在國內外累計(ji)申請超500項專(zhuan)利，其(qi)中已獲得(de)超140項專(zhuan)利授權。
買購網APP
手機版Maigoo
