西(xi)安(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)(xin)半導(dao)體(ti)股份(fen)(fen)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si)前身(shen)為成立于2004年(nian)(nian)(nian)德國英飛凌西(xi)安(an)研發中(zhong)心的存(cun)儲(chu)事業部,2006年(nian)(nian)(nian)分拆成為獨立的奇夢達(da)科(ke)技(ji)西(xi)安(an)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si),2009年(nian)(nian)(nian)被浪潮集團(tuan)(tuan)(tuan)(tuan)收(shou)購轉制(zhi)成為國內公司(si)(si)并更名為西(xi)安(an)華(hua)芯(xin)(xin)半導(dao)體(ti)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si)。2015年(nian)(nian)(nian),紫(zi)(zi)光(guang)(guang)集團(tuan)(tuan)(tuan)(tuan)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)(xin)微電(dian)子(zi)股份(fen)(fen)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si)收(shou)購西(xi)安(an)華(hua)芯(xin)(xin)半導(dao)體(ti)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si)并更名為西(xi)安(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)(xin)半導(dao)體(ti)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si)。2019年(nian)(nian)(nian)12月,經過重組(zu),西(xi)安(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)(xin)半導(dao)體(ti)并入北京紫(zi)(zi)光(guang)(guang)存(cun)儲(chu)科(ke)技(ji)有(you)(you)限(xian)(xian)公司(si)(si)。2022年(nian)(nian)(nian)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)集團(tuan)(tuan)(tuan)(tuan)實控人變更為智廣芯(xin)(xin)控股,隨著(zhu)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)集團(tuan)(tuan)(tuan)(tuan)重整完畢,西(xi)安(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)(xin)踏上發展新(xin)征程。
公司(si)是以(yi)DRAM(動(dong)態隨機存取(qu)存儲器)存儲技術為核(he)心的產(chan)品(pin)和服(fu)(fu)務(wu)提供(gong)商,核(he)心業務(wu)包括存儲器設計(ji)(ji)開發(fa),存儲器產(chan)品(pin)量(liang)產(chan)銷售,以(yi)及專用集成電路(lu)設計(ji)(ji)開發(fa)服(fu)(fu)務(wu),產(chan)品(pin)包括DRAMKGD、DRAM顆粒(li)、DRAM模(mo)組、系統(tong)產(chan)品(pin)和設計(ji)(ji)服(fu)(fu)務(wu)。目(mu)前公司(si)員工人(ren)(ren)數超(chao)過600名,其中研發(fa)工程師占(zhan)比80%以(yi)上,70%擁有(you)(you)碩士(shi)或博士(shi)學(xue)位(wei)(wei)。公司(si)還擁有(you)(you)二十余(yu)位(wei)(wei)外籍專家和海外留學(xue)歸國人(ren)(ren)員。
公司多年(nian)來一直專(zhuan)注于(yu)存儲器尤其(qi)是DRAM存儲器的(de)研(yan)發和(he)技術(shu)積累,擁有從(cong)產(chan)品立項、指標定義、電路設(she)計、版圖設(she)計到硅片(pian)、顆粒(li)、內存條測(ce)試及(ji)售(shou)前(qian)售(shou)后技術(shu)支持等(deng)全方面技術(shu)積累。二十余款(kuan)芯(xin)片(pian)產(chan)品和(he)四(si)十余款(kuan)模組產(chan)品實現(xian)全球量(liang)產(chan)和(he)銷售(shou)。產(chan)品廣泛應用(yong)于(yu)計算機、服務器、移動通訊、消費電子及(ji)工(gong)業應用(yong)等(deng)領域(yu)。在面向大數據(ju)和(he)人工(gong)智能等(deng)新興領域(yu),公司采用(yong)三維集成技術(shu),實現(xian)將邏輯晶圓和(he)DRAM晶圓的(de)異質(zhi)集成,開發出(chu)高(gao)帶寬、大容量(liang)的(de)3DDRAM芯(xin)片(pian),及(ji)內嵌超高(gao)帶寬超低功(gong)耗DRAM的(de)人工(gong)智能(AI)芯(xin)片(pian)。公司還在NANDFlash、NORFlash和(he)新型存儲器RRAM等(deng)領域(yu)開發有產(chan)品,進行了(le)研(yan)發布局。
西安紫光國(guo)芯(xin)(xin)同(tong)時還擁有數字電路(lu)和混合(he)電路(lu)設(she)(she)(she)計(ji)團隊(dui),提(ti)供(gong)基(ji)于世界優(you)秀工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)ASIC設(she)(she)(she)計(ji)開發驗證服務。公司(si)具備從設(she)(she)(she)計(ji)規格到(dao)芯(xin)(xin)片(pian)流(liu)(liu)(liu)片(pian)完整流(liu)(liu)(liu)程的(de)(de)(de)設(she)(she)(she)計(ji)開發經(jing)驗,包(bao)括:設(she)(she)(she)計(ji)實(shi)現(xian)、功(gong)(gong)能(neng)驗證、綜(zong)合(he)和DFT、物(wu)理(li)實(shi)現(xian)、時序、物(wu)理(li)檢(jian)查及流(liu)(liu)(liu)片(pian)。公司(si)在過去幾年中(zhong)成(cheng)功(gong)(gong)為客戶完成(cheng)了十余款基(ji)于65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和目(mu)前精良的(de)(de)(de)4nm工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)SoC芯(xin)(xin)片(pian)設(she)(she)(she)計(ji)和流(liu)(liu)(liu)片(pian),幫助客戶完成(cheng)芯(xin)(xin)片(pian)設(she)(she)(she)計(ji)和測試。公司(si)也成(cheng)功(gong)(gong)提(ti)供(gong)多款從產(chan)品(pin)定義開始完成(cheng)芯(xin)(xin)片(pian)架構設(she)(she)(she)計(ji)、電路(lu)設(she)(she)(she)計(ji)、仿真驗證、后端設(she)(she)(she)計(ji)、流(liu)(liu)(liu)片(pian)、測試驗證、量產(chan)工(gong)程全(quan)流(liu)(liu)(liu)程的(de)(de)(de)“交鑰匙”芯(xin)(xin)片(pian)開發服務。
公司(si)是“國家高新(xin)技術企(qi)業”、“國家企(qi)業技術中(zhong)心”、“國家知(zhi)識(shi)產(chan)權優(you)勢企(qi)業”、“西安市存儲器工程技術研究(jiu)中(zhong)心”,公司(si)建設有占地面積2000余(yu)平(ping)(ping)米的世界(jie)前列水平(ping)(ping)的存儲器芯(xin)片測試、模組測試、模組應用(yong)和(he)ASIC測試實(shi)驗室4個(ge),大型成套(tao)(tao)測試設備30余(yu)臺套(tao)(tao)。可支(zhi)持各類存儲器和(he)ASIC產(chan)品(pin)的功能和(he)性能測試驗證分析(xi)、量產(chan)測試工程開發、應用(yong)工程測試、以及(ji)小批(pi)量生產(chan)和(he)工程樣品(pin)開發。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法 | 2019-06-07 | 2020-01-01 |