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人物簡介

林蘭英（1918年(nian)(nian)2月7日—2003年(nian)(nian)3月4日），女，福建(jian)莆田人，半導(dao)體(ti)材(cai)料科(ke)學(xue)家，中國(guo)科(ke)學(xue)院學(xue)部(bu)委(wei)員(yuan)，中國(guo)科(ke)學(xue)院半導(dao)體(ti)研究(jiu)所(suo)研究(jiu)員(yuan)、博士生導(dao)師。

林蘭(lan)英(ying)于1940年(nian)(nian)(nian)從福(fu)建(jian)協和大學(xue)畢(bi)業后留(liu)校任教；1948年(nian)(nian)(nian)赴美留(liu)學(xue)，進入賓夕(xi)(xi)法(fa)尼(ni)(ni)亞(ya)州迪(di)金森學(xue)院(yuan)數學(xue)系學(xue)習；1949年(nian)(nian)(nian)獲得(de)(de)迪(di)金森學(xue)院(yuan)數學(xue)學(xue)士(shi)(shi)學(xue)位，同年(nian)(nian)(nian)進入賓夕(xi)(xi)法(fa)尼(ni)(ni)亞(ya)大學(xue)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)生院(yuan)進行固(gu)體(ti)物理(li)的研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)，先后獲得(de)(de)碩士(shi)(shi)、博士(shi)(shi)學(xue)位；1955年(nian)(nian)(nian)博士(shi)(shi)畢(bi)業后進入紐約長島的索菲尼(ni)(ni)亞(ya)公司擔任高級工(gong)程師進行半(ban)導(dao)體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)；1957年(nian)(nian)(nian)1月回到(dao)中國(guo)(guo)，并進入中國(guo)(guo)科學(xue)院(yuan)物理(li)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所工(gong)作；1960年(nian)(nian)(nian)中國(guo)(guo)科學(xue)院(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所成立后，林蘭(lan)英(ying)擔任該(gai)所研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)員；1977年(nian)(nian)(nian)至1983年(nian)(nian)(nian)擔任中國(guo)(guo)科學(xue)院(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所副所長；1980年(nian)(nian)(nian)當(dang)選為(wei)中國(guo)(guo)科學(xue)院(yuan)學(xue)部委員（院(yuan)士(shi)(shi)）；2003年(nian)(nian)(nian)3月4日(ri)在(zai)北京(jing)逝(shi)世，享(xiang)年(nian)(nian)(nian)85歲。

林蘭英主要從事半導體(ti)材(cai)料(liao)制備(bei)(bei)及物(wu)理的(de)研(yan)究(jiu)。在鍺單晶、硅單晶、砷化鎵(jia)單晶和(he)高純銻化銦(yin)單晶的(de)制備(bei)(bei)及性質等研(yan)究(jiu)方(fang)面獲得成果(guo)，其中(zhong)砷化鎵(jia)氣相和(he)液相外延單晶的(de)純度及電子(zi)遷移率(lv)，均達到國際先進水平。

主要經歷

1918年(nian)2月7日（農歷(li)丁(ding)巳(si)年(nian)十二(er)月二(er)十六(liu)日），林蘭英出生于福建莆田(tian)縣。幼年(nian)為(wei)了上學(xue)(xue)，經過(guo)一番絕食斗爭(zheng)，家人同意林蘭英上了礪青(qing)小學(xue)(xue)，林蘭英在(zai)礪青(qing)小學(xue)(xue)的成績(ji)始終(zhong)在(zai)有著40多名男(nan)女(nv)學(xue)(xue)生的班(ban)中(zhong)占居(ju)前兩名，校長彭介之決(jue)定保送她(ta)進(jin)入礪青(qing)中(zhong)學(xue)(xue)。

1930年(nian)(nian)9月，進入礪青中(zhong)學初中(zhong)部(bu)一(yi)年(nian)(nian)級，初中(zhong)六(liu)個(ge)學期她都保持全年(nian)(nian)級第(di)一(yi)。

1933年(nian)9月，進入莆(pu)田中學高中部一(yi)年(nian)級，成了(le)當時高一(yi)年(nian)級唯一(yi)的一(yi)名女生，后來由于莆(pu)田中學搞起了(le)學生運動，林蘭英對(dui)運動本無興趣，轉學至莆(pu)田縣惟一(yi)的一(yi)所教會女子(zi)中學———咸益中學就讀。

1936年(nian)，考入福建協和大學(xue)(xue)（現福建師(shi)范(fan)大學(xue)(xue)）物理(li)系。

1940年，從福建協和大(da)學(xue)畢業(ye)后作為優(you)秀生留校任(ren)助教。

1944年，擔任福(fu)建協(xie)和大學講師。

1947年5月，福建(jian)(jian)協(xie)和(he)大學與美國賓(bin)夕法尼亞州的迪(di)金森學院建(jian)(jian)立(li)互換留學生的關系。

1948年8月9日，遠涉重洋到美國(guo)留(liu)學(xue)(xue)，進入國(guo)賓夕(xi)法尼亞(ya)州的(de)迪金森學(xue)(xue)院數學(xue)(xue)系學(xue)(xue)習。

1949年(nian)(nian)，獲得迪(di)金森學院(yuan)數學學士學位(wei)，同時獲得美國大(da)學榮譽學會迪(di)金森分會獎勵她的一枚金鑰匙；同年(nian)(nian)深秋，進(jin)入賓夕法尼亞大(da)學研究(jiu)生院(yuan)，開(kai)始了固體物(wu)理的研究(jiu)。

1951年，獲(huo)得(de)賓夕法尼(ni)亞大學(xue)固(gu)體(ti)物理學(xue)碩(shuo)士學(xue)位，之(zhi)后繼續(xu)攻讀博士學(xue)位，師(shi)從米勒教授。

1955年(nian)6月(yue)，憑借博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)論文《弱X射線(xian)輻照引起(qi)氯化(hua)鉀和氯化(hua)鈉晶(jing)(jing)體(ti)的(de)(de)膨脹(zhang)》獲得(de)賓夕法尼(ni)(ni)(ni)亞大學(xue)固體(ti)物理學(xue)博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)學(xue)位，是該校建校215年(nian)以(yi)(yi)來，第(di)一位獲得(de)博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)學(xue)位的(de)(de)中國人，也是該校有史以(yi)(yi)來的(de)(de)第(di)一位女博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)。博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)畢(bi)業后，導(dao)(dao)(dao)師推薦她去(qu)紐約長島專司(si)(si)(si)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)研究的(de)(de)索(suo)菲尼(ni)(ni)(ni)亞公(gong)(gong)司(si)(si)(si)任高(gao)級(ji)工程師。之后，她被(bei)聘為從(cong)事半導(dao)(dao)(dao)體(ti)科研工作的(de)(de)索(suo)菲尼(ni)(ni)(ni)亞公(gong)(gong)司(si)(si)(si)（Sylvania公(gong)(gong)司(si)(si)(si)）高(gao)級(ji)工程師，靠(kao)林蘭英(ying)杰出的(de)(de)科學(xue)分析(xi)指導(dao)(dao)(dao)，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)成功地(di)造出了第(di)一根(gen)硅單晶(jing)(jing)，不久(jiu)，又為公(gong)(gong)司(si)(si)(si)申報了兩項專利(li)，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)三次提高(gao)她的(de)(de)年(nian)薪。林蘭英(ying)回(hui)國時索(suo)菲尼(ni)(ni)(ni)亞公(gong)(gong)司(si)(si)(si)給她年(nian)薪10000美元(yuan)，回(hui)國后每月(yue)207元(yuan)人民幣(bi)。

1956年6月，林蘭英以(yi)“母親重病(bing)”為(wei)由，向(xiang)印度駐美國大(da)使館提交回國申請，9月使館通知她填寫有關(guan)回國事宜(yi)的表格。

1957年1月29日，幾經(jing)周(zhou)折抗爭，林蘭英乘坐的客(ke)輪安(an)抵香港，在國(guo)(guo)(guo)務院辦公廳周(zhou)密安(an)排下(xia)，她(ta)走上(shang)了(le)深圳羅湖橋(qiao)頭，回到了(le)中(zhong)國(guo)(guo)(guo)，之后由(you)大弟(di)林文豪送(song)她(ta)經(jing)上(shang)海去北(bei)京，進入(ru)中(zhong)國(guo)(guo)(guo)科學(xue)院物理研究所工作(zuo)，歷(li)任研究員，副所長。

1960年(nian)，擔(dan)任中(zhong)國科學院半導體研究所研究員(yuan)。

1966年，“文革(ge)”開始那年，她還(huan)與中(zhong)國第(di)一位女院士(shi)林(lin)巧稚一同(tong)登上天安門城(cheng)樓，事后(hou)便跌(die)于“文革(ge)”的(de)沼澤中(zhong)。

1977年—1983年，擔任中國科學院半導體研究所(suo)(suo)副所(suo)(suo)長。

1980年，當(dang)選為中國科(ke)學院(yuan)學部委(wei)員（院(yuan)士）。

2003年(nian)3月4日，在北(bei)京因(yin)病(bing)醫(yi)治無效逝世，享年(nian)85歲。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林(lin)蘭英先(xian)后負責研制成中國(guo)第一根硅、銻化(hua)銦、砷化(hua)鎵、磷化(hua)鎵等單(dan)晶，為(wei)中國(guo)微(wei)電子和(he)(he)光(guang)電子學的(de)(de)發展奠定(ding)了基(ji)礎，負責研制的(de)(de)高純(chun)度汽(qi)相和(he)(he)液相外延材(cai)料達到國(guo)際(ji)先(xian)水平(ping)。開創了中國(guo)微(wei)重(zhong)力半導體材(cai)料科(ke)學研究新領域，并在砷化(hua)鎵晶體太空(kong)生長和(he)(he)性(xing)質研究方(fang)面取得(de)了一定(ding)的(de)(de)成績。

1958年(nian)(nian)秋(qiu)天(tian)，林(lin)蘭英(ying)研(yan)發(fa)(fa)(fa)出中(zhong)國(guo)第(di)(di)一(yi)根(gen)硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)，為制造(zao)出無(wu)(wu)位(wei)錯(cuo)硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)，林(lin)蘭英(ying)又投入研(yan)發(fa)(fa)(fa)硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)。她(ta)仔(zi)細(xi)考(kao)察、分析了(le)蘇聯封閉式硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)，發(fa)(fa)(fa)現(xian)了(le)不足，開(kai)(kai)始研(yan)究設計中(zhong)國(guo)式硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)。1961年(nian)(nian)的深秋(qiu)，由林(lin)蘭英(ying)主持設計加工的中(zhong)國(guo)第(di)(di)一(yi)臺開(kai)(kai)門式硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)制造(zao)成功。1962年(nian)(nian)春，林(lin)蘭英(ying)依(yi)靠國(guo)產第(di)(di)一(yi)臺開(kai)(kai)門式硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)，正(zheng)式啟動拉制工作。中(zhong)國(guo)第(di)(di)一(yi)根(gen)無(wu)(wu)位(wei)錯(cuo)的硅(gui)單(dan)(dan)晶(jing)拉制成功，無(wu)(wu)位(wei)錯(cuo)達國(guo)際先(xian)進水平。

科研成果獎勵

根據2021年6月《莆田僑鄉時報》顯示，林(lin)蘭英先后四次獲得中國(guo)科學院科技進步獎(jiang)一等獎(jiang)，兩次獲國(guo)家科技進步二、三等獎(jiang)。

時間 項目名(ming)稱 獎(jiang)勵名(ming)稱

1981年 4K和16K硅DRAM及提高成(cheng)品(pin)率(lv)研究 中國科(ke)學(xue)院(yuan)科(ke)學(xue)技術進步獎一等獎

1985年 提(ti)高砷化鎵材料(liao)質量的(de)研究 國家科(ke)學技術(shu)進步獎二等獎（排(pai)名第一）

1986年 高(gao)壓液封法生長熱(re)穩定不摻雜半絕(jue)緣GaAs 中(zhong)國科學(xue)院(yuan)科學(xue)技術進步獎三等獎（排(pai)名第(di)一）

1989年 微重力(li)條(tiao)件下從溶體(ti)生(sheng)長GaAs單晶(jing)及性質研究(jiu) 中國科(ke)學院科(ke)學技(ji)術進(jin)步獎(jiang)一(yi)等獎(jiang)（排名第一(yi)）

1990年 等電子雜質In在GaAs中行為的研究 中國科學院科學技術進步(bu)獎(jiang)三等獎(jiang)（排名第一）

1991年 集成電(dian)路用半絕(jue)緣砷化鎵熱穩定性和均勻性研究 中國(guo)科學院(yuan)科學技術(shu)進步獎三等獎（排(pai)名(ming)第一(yi)）

1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維電(dian)子氣材料研制及其器件應用 中(zhong)國科(ke)(ke)學院科(ke)(ke)學技術(shu)進(jin)步獎二等獎（排名第六）

1996年 ф2”和ф3”非摻Si-GaAs單(dan)晶（片）研究 中國科(ke)學(xue)院科(ke)學(xue)技術進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排名第一）

人才培養

講授課程

1940年，林(lin)蘭英從福建協(xie)和大學(xue)(xue)畢(bi)業后作為優秀生(sheng)留校任助教，教授《普(pu)通物理學(xue)(xue)》《高等數(shu)學(xue)(xue)》《光學(xue)(xue)》《物性聲學(xue)(xue)》《電(dian)磁學(xue)(xue)》等課程。

獲獎記錄

時間 榮譽表彰 授予單位

1980年 中國科學院學部委員（院士） 中華人民共和國國務(wu)院

1996年 何(he)(he)梁(liang)何(he)(he)利基金(jin)科學(xue)與(yu)技術進步獎 何(he)(he)梁(liang)何(he)(he)利基金(jin)

1998年 霍英東成(cheng)就獎(jiang)

人物評價

林蘭英是中(zhong)國半導體科(ke)學(xue)事業開拓者之一(yi)。（中(zhong)國科(ke)學(xue)院學(xue)部與院士評(ping)）

林(lin)蘭英從事(shi)半導(dao)體材(cai)料(liao)科學40年，是中國(guo)半導(dao)體材(cai)料(liao)科學的(de)奠基(ji)人，對中國(guo)半導(dao)體材(cai)料(liao)科學的(de)發(fa)展作(zuo)出了重(zhong)大貢獻。（何梁何利基(ji)金評）

林蘭英的(de)工(gong)作(zuo)極大地(di)推(tui)進了中國半導體材料(liao)的(de)研究(jiu)高度，為微(wei)電(dian)子和光電(dian)子學的(de)發展奠定了基(ji)礎(chu)，為中國太空事業做出巨大貢(gong)獻。（《莆(pu)田(tian)僑(qiao)鄉時(shi)報》評）

林蘭英是中(zhong)(zhong)國(guo)半導(dao)體材料科(ke)技最著(zhu)名的(de)開拓者，她帶(dai)動同事一起創造了多個“新(xin)中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)第一”，受到(dao)全世界科(ke)學家關(guan)注，被(bei)譽為“中(zhong)(zhong)國(guo)太空材料之(zhi)母”。（新(xin)浪新(xin)聞評）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年—1993年 中華人民(min)共和國(guo)第四、五、六、七(qi)屆全國(guo)人民(min)代表(biao)大會代表(biao)

1978年—1985年 中國電子(zi)材料(liao)行業協(xie)會(hui)主任委員

1980年—1996年 中(zhong)國科學(xue)技術協會副主席（第二(er)至四(si)屆）

1986年 國家(jia)自然科學基金委員(yuan)會(hui)委員(yuan)

個人生活

家世背景

林(lin)蘭(lan)英的(de)祖先林(lin)潤（1530-1569）是明朝(chao)嘉(jia)靖年間(jian)的(de)御史大(da)夫(fu)。因扳倒當朝(chao)丞(cheng)相(xiang)奸(jian)臣嚴嵩父子(zi)而名震朝(chao)野。林(lin)蘭(lan)英的(de)祖父經商有成，父親大(da)學畢(bi)業后在外地(di)工作，母親在家(jia)主持家(jia)政。

后世紀念

林蘭英故居

2002年，因莆(pu)田舊(jiu)城改(gai)造，林(lin)(lin)潤(run)故(gu)居(ju)原樣遷移到(dao)莆(pu)田城南(nan)鄉溝頭村的(de)(de)莆(pu)田一中(zhong)新(xin)校區內(nei)，內(nei)含林(lin)(lin)潤(run)的(de)(de)后裔、林(lin)(lin)蘭(lan)英院士故(gu)居(ju)。林(lin)(lin)蘭(lan)英去(qu)世(shi)后，骨灰從北(bei)京運至林(lin)(lin)潤(run)故(gu)居(ju)內(nei)埋葬并建(jian)立林(lin)(lin)蘭(lan)英陵園(yuan)。故(gu)居(ju)的(de)(de)廳堂豎(shu)立林(lin)(lin)蘭(lan)英塑像(xiang)。林(lin)(lin)蘭(lan)英在北(bei)京的(de)(de)住宅和辦公室中(zhong)的(de)(de)所有書籍和家具也運回莆(pu)田故(gu)居(ju)，陳列(lie)在林(lin)(lin)潤(run)故(gu)居(ju)內(nei)。

林蘭英院士塑像

2004年12月，林蘭英院士塑像揭幕儀式在莆(pu)田(tian)第一(yi)中學舉(ju)行(xing)，中國科(ke)學院半導體研究所所長(chang)李晉閩及莆(pu)田(tian)市有關領導、部分(fen)科(ke)技專家、教師(shi)和學生共數千人參加了揭幕儀式。

林蘭英院士紀念文集

2013年(nian)，在林蘭英院士(shi)逝世十周年(nian)之際，為表達對她的思念(nian)之情和敬仰之意(yi)，學(xue)習(xi)老一輩(bei)科(ke)學(xue)家的高(gao)尚(shang)品德和創新精神，中國(guo)科(ke)學(xue)院半導(dao)體研究所特編輯制作了《林蘭英院士(shi)紀念(nian)文(wen)集》。

紀念林蘭英院士逝世十周年座談(tan)會

2013年(nian)3月(yue)4日，在(zai)(zai)林蘭(lan)(lan)英院(yuan)士(shi)逝世(shi)10周年(nian)之(zhi)際，為了弘揚(yang)她的(de)愛(ai)國精神、回顧她的(de)杰出成就、秉承她的(de)科(ke)學思(si)想，在(zai)(zai)中(zhong)國科(ke)學院(yuan)半導體研究所學術會議中(zhong)心(xin)召開紀念(nian)林蘭(lan)(lan)英院(yuan)士(shi)逝世(shi)十(shi)周年(nian)座談會。