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著錄信息

專利名稱：功率半導體模塊
專利類型：實用新型
申請號：CN201520307158.3
公開(公告)號：CN204792786U
申請日：20150513
公開(公告)日：20151118
申請人：富士電機(中國)有限公司
發明人：陳嵩
申請人地址：200063 上海市普陀區中山北路3000號長城大廈27樓
申請人區域代碼：CN310107
專利權人：富士電機(中國)有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L25/16,H01L23/04
優先權：無
專利代理機構：上海專利商標事務所有限公司 31100
代理人：金紅蓮
審查員：無
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

功率半導體裝置,殼體,發射極端子,外部,柵極端子,蓋板,功率半導體模塊,電容器,反向恢復損耗,反并聯連接,二極管,反向恢復,基板收納,殼體上方,發射極,基板上,內表面,相連接,總損耗,基板,減小,一種,構成,封閉,實用,開通,覆蓋,設置,涉及

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