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專利名稱:
采用PSG摻雜技術的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝
專利類型:
發明
申請號:
CN200710037559.1
公開(公告)號:
CN100477270C
申請日:
20070214
公開(公告)日:
20090408
申請人:
上海富華微電子有限公司,吉林華微電子股份有限公司
發明人:
邵光平
申請人地址:
200122上海市浦東新區東方路971號錢江大廈14樓H座
申請人區域代碼:
CN310115
專利權人:
上海富華微電子有限公司,吉林華微電子股份有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
H01L29/78,H01L29/739,H01L21/336,H01L21/331
優先權:
無
專利代理機構:
上海京滬專利代理事務所
代理人:
沈美英
審查員:
季茂源
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關鍵詞(ci)
磷硅玻璃,隔離層,摻雜,微電子技術領域,多晶硅柵層,工作可靠性,金屬表層,金屬底層,熱氧化,外延層,單層,光刻,氧層,生產成本,擴散
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