一、閃存是什么意思

閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)（Flash Memory）是(shi)一種長(chang)壽命的(de)(de)(de)(de)非易失性（在(zai)斷電情(qing)況下仍能(neng)保(bao)持所存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)數(shu)據(ju)(ju)信息）的(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)，數(shu)據(ju)(ju)刪除(chu)不是(shi)以(yi)單(dan)(dan)個(ge)(ge)的(de)(de)(de)(de)字節(jie)(jie)為(wei)單(dan)(dan)位，而(er)是(shi)以(yi)固(gu)定(ding)的(de)(de)(de)(de)區(qu)塊為(wei)單(dan)(dan)位（注意：NOR Flash為(wei)字節(jie)(jie)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)。），區(qu)塊大(da)小一般為(wei)256KB到(dao)20MB。閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)是(shi)電子可擦(ca)除(chu)只(zhi)讀存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)（EEPROM）的(de)(de)(de)(de)變(bian)種，閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)與EEPROM不同的(de)(de)(de)(de)是(shi)，EEPROM能(neng)在(zai)字節(jie)(jie)水(shui)平上進行(xing)刪除(chu)和重寫(xie)而(er)不是(shi)整個(ge)(ge)芯片擦(ca)寫(xie)，而(er)閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)的(de)(de)(de)(de)大(da)部分(fen)芯片需要塊擦(ca)除(chu)。由于其斷電時仍能(neng)保(bao)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)數(shu)據(ju)(ju)，閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)通常(chang)被用(yong)來保(bao)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)設置信息，如在(zai)電腦(nao)的(de)(de)(de)(de)BIOS（基本程序(xu)）、PDA（個(ge)(ge)人數(shu)字助(zhu)理）、數(shu)碼(ma)相機中保(bao)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)資料等。

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二、閃存的存儲原理

要(yao)講解閃存(cun)的存(cun)儲原理(li)，還是要(yao)從EPROM和EEPROM說起。

EPROM是指(zhi)其(qi)中的(de)(de)內容可以通(tong)過(guo)特殊手段擦去，然(ran)后重新(xin)寫入(ru)。其(qi)基(ji)本單(dan)元電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)（存(cun)儲細(xi)胞），常采用浮(fu)空(kong)柵(zha)雪崩注入(ru)式MOS電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)，簡稱為FAMOS。它與MOS電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)相似，是在N型(xing)基(ji)片上生長出(chu)兩個高濃度的(de)(de)P型(xing)區(qu)，通(tong)過(guo)歐姆接(jie)觸分(fen)別引出(chu)源(yuan)極S和(he)漏極D。在源(yuan)極和(he)漏極之間有一(yi)個多晶硅柵(zha)極浮(fu)空(kong)在SiO2絕(jue)緣層中，與四(si)周無(wu)直接(jie)電(dian)(dian)(dian)氣(qi)聯接(jie)。這種電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)以浮(fu)空(kong)柵(zha)極是否帶電(dian)(dian)(dian)來表(biao)示存(cun)1或者0，浮(fu)空(kong)柵(zha)極帶電(dian)(dian)(dian)后（譬如負電(dian)(dian)(dian)荷），就(jiu)在其(qi)下面，源(yuan)極和(he)漏極之間感應出(chu)正(zheng)的(de)(de)導(dao)電(dian)(dian)(dian)溝道，使MOS管導(dao)通(tong)，即表(biao)示存(cun)入(ru)0。若浮(fu)空(kong)柵(zha)極不(bu)帶電(dian)(dian)(dian)，則(ze)不(bu)形成導(dao)電(dian)(dian)(dian)溝道，MOS管不(bu)導(dao)通(tong)，即存(cun)入(ru)1。

EEPROM基(ji)本(ben)存儲(chu)單(dan)元電路(lu)的工作原理如下圖所(suo)示。與(yu)EPROM相似，它是(shi)在EPROM基(ji)本(ben)單(dan)元電路(lu)的浮空(kong)柵(zha)(zha)的上面再生成(cheng)一(yi)(yi)個(ge)浮空(kong)柵(zha)(zha)，前者稱(cheng)為(wei)第(di)一(yi)(yi)級(ji)浮空(kong)柵(zha)(zha)，后者稱(cheng)為(wei)第(di)二(er)(er)級(ji)浮空(kong)柵(zha)(zha)。可給第(di)二(er)(er)級(ji)浮空(kong)柵(zha)(zha)引出一(yi)(yi)個(ge)電極，使第(di)二(er)(er)級(ji)浮空(kong)柵(zha)(zha)極接某一(yi)(yi)電壓(ya)VG。若(ruo)VG為(wei)正(zheng)電壓(ya)，第(di)一(yi)(yi)浮空(kong)柵(zha)(zha)極與(yu)漏極之間(jian)產生隧道效應，使電子注入第(di)一(yi)(yi)浮空(kong)柵(zha)(zha)極，即(ji)編(bian)程寫(xie)入。若(ruo)使VG為(wei)負電壓(ya)，強使第(di)一(yi)(yi)級(ji)浮空(kong)柵(zha)(zha)極的電子散失(shi)，即(ji)擦除。擦除后可重新寫(xie)入。

閃存(cun)(cun)的(de)(de)基本單(dan)元電(dian)(dian)(dian)(dian)路，與(yu)EEPROM類似，也(ye)是(shi)由雙層(ceng)浮空(kong)(kong)柵(zha)(zha)MOS管組(zu)成。但(dan)是(shi)第一(yi)層(ceng)柵(zha)(zha)介(jie)質很薄(bo)，作為隧(sui)(sui)道氧(yang)化層(ceng)。寫入方(fang)(fang)法(fa)與(yu)EEPROM相(xiang)同(tong)，在第二級浮空(kong)(kong)柵(zha)(zha)加以正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)，使(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)子進(jin)入第一(yi)級浮空(kong)(kong)柵(zha)(zha)。讀出方(fang)(fang)法(fa)與(yu)EPROM相(xiang)同(tong)。擦除(chu)方(fang)(fang)法(fa)是(shi)在源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)加正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)利用第一(yi)級浮空(kong)(kong)柵(zha)(zha)與(yu)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)隧(sui)(sui)道效應，把(ba)注入至浮空(kong)(kong)柵(zha)(zha)的(de)(de)負電(dian)(dian)(dian)(dian)荷吸(xi)引(yin)到源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)。由于(yu)利用源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)加正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)擦除(chu)，因此各單(dan)元的(de)(de)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)聯在一(yi)起，這樣(yang)，快擦存(cun)(cun)儲(chu)器不(bu)能(neng)按字節(jie)擦除(chu)，而是(shi)全片或分塊擦除(chu)。 到后來，隨著(zhu)半導體(ti)技術(shu)的(de)(de)改進(jin)，閃存(cun)(cun)也(ye)實現了單(dan)晶體(ti)管（1T）的(de)(de)設計，主(zhu)要就(jiu)是(shi)在原有的(de)(de)晶體(ti)管上加入了浮動柵(zha)(zha)和選擇柵(zha)(zha)，

在(zai)源極(ji)和漏(lou)極(ji)之(zhi)間電流(liu)單(dan)向傳導的(de)半導體上形成(cheng)貯(zhu)存(cun)電子(zi)(zi)(zi)的(de)浮動棚。浮動柵(zha)包(bao)裹著一(yi)層(ceng)硅氧化(hua)膜絕緣(yuan)體。它(ta)的(de)上面是在(zai)源極(ji)和漏(lou)極(ji)之(zhi)間控制傳導電流(liu)的(de)選擇(ze)/控制柵(zha)。數據是0或1取決于在(zai)硅底板上形成(cheng)的(de)浮動柵(zha)中是否(fou)有電子(zi)(zi)(zi)。有電子(zi)(zi)(zi)為0，無電子(zi)(zi)(zi)為1。

閃存就(jiu)如(ru)同其名(ming)字一樣(yang)，寫入前刪除數據(ju)進行初始化。具體說就(jiu)是從所有(you)浮動(dong)柵中(zhong)導出電子。即將(jiang)有(you)所數據(ju)歸“1”。

寫(xie)入(ru)時只(zhi)有數據(ju)(ju)為(wei)0時才進(jin)行寫(xie)入(ru)，數據(ju)(ju)為(wei)1時則什么也(ye)不做。寫(xie)入(ru)0時，向柵電(dian)極和(he)漏極施(shi)加(jia)高電(dian)壓，增加(jia)在源極和(he)漏極之(zhi)間傳導的(de)電(dian)子(zi)(zi)能量。這(zhe)樣一(yi)來，電(dian)子(zi)(zi)就(jiu)會突破氧化(hua)膜(mo)絕緣體，進(jin)入(ru)浮動(dong)柵。

讀取數據時，向柵(zha)(zha)電(dian)(dian)極施(shi)加一定的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，電(dian)(dian)流(liu)大(da)為1，電(dian)(dian)流(liu)小則定為0。浮(fu)動(dong)柵(zha)(zha)沒(mei)有電(dian)(dian)子(zi)的狀態(tai)（數據為1）下(xia)，在(zai)柵(zha)(zha)電(dian)(dian)極施(shi)加電(dian)(dian)壓(ya)(ya)的狀態(tai)時向漏極施(shi)加電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，源極和(he)漏極之間由于大(da)量(liang)電(dian)(dian)子(zi)的移動(dong)，就會產生(sheng)電(dian)(dian)流(liu)。而在(zai)浮(fu)動(dong)柵(zha)(zha)有電(dian)(dian)子(zi)的狀態(tai)（數據為0）下(xia)，溝(gou)道(dao)中傳導(dao)的電(dian)(dian)子(zi)就會減少。因為施(shi)加在(zai)柵(zha)(zha)電(dian)(dian)極的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)被浮(fu)動(dong)柵(zha)(zha)電(dian)(dian)子(zi)吸收后，很難對溝(gou)道(dao)產生(sheng)影響(xiang)。

三、閃存和硬盤的區別

優點

1．閃(shan)(shan)存(cun)(cun)的體(ti)積小。并不(bu)是說閃(shan)(shan)存(cun)(cun)的集成度就(jiu)一(yi)定會(hui)高(gao)(gao)。微硬(ying)盤做的這(zhe)么大一(yi)塊主要(yao)原因就(jiu)是微硬(ying)盤不(bu)能做的小過閃(shan)(shan)存(cun)(cun)，并不(bu)代表微硬(ying)盤的集成度就(jiu)不(bu)高(gao)(gao)。

2．相對于硬盤(pan)來說閃存結構不怕震，更(geng)抗摔。硬盤(pan)最怕的(de)就是強烈震動(dong)。雖然(ran)我們使用的(de)時候可(ke)以很小心，但老虎(hu)也有(you)打(da)盹的(de)時候，不怕一萬就怕萬一。

3．閃存可(ke)以提(ti)供更快的(de)數據(ju)讀取速度(du)，硬盤(pan)則受到轉速的(de)限制。

4．閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)數(shu)據更加安全(quan)，原(yuan)因包括：

（1）其非機械(xie)結構，因此移動并不會對(dui)它的(de)讀寫產生影響；

（2）廣泛應用(yong)的機械型硬(ying)盤(pan)的使用(yong)壽命與讀寫(xie)次數和讀寫(xie)速度(du)關系非常(chang)大(da)，而閃(shan)存受影(ying)響不(bu)大(da)；

（3）硬(ying)盤的寫(xie)入(ru)是靠磁性來寫(xie)入(ru)，閃存(cun)則采(cai)用電壓(ya)，數據不會因為(wei)時間(jian)而消除。

5．質量更輕。

缺點

1、材(cai)料(liao)貴，所以(yi)單位容量更貴。

2、讀寫速度相對(dui)較慢。