高效(xiao)多結太陽能電(dian)池技術 器件結構和系統的(de)優化設計

太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)光伏(fu)技術經過近幾(ji)十年的(de)(de)發展，已經在新能(neng)源(yuan)領域確立了其重(zhong)(zhong)要(yao)地位。大力發展太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)光伏(fu)發電(dian)已成為人(ren)類解決(jue)未(wei)來能(neng)源(yuan)問題(ti)的(de)(de)重(zhong)(zhong)要(yao)途(tu)徑。在產業界，當前太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)技術的(de)(de)重(zhong)(zhong)點(dian)仍是硅(gui)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)電(dian)池，包括多晶硅(gui)和非晶硅(gui)薄膜電(dian)池等。

由于(yu)多(duo)晶硅(gui)和(he)(he)非晶硅(gui)薄膜(mo)電(dian)池(chi)(chi)(chi)具有相對較高(gao)的(de)(de)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)和(he)(he)相對較低的(de)(de)成本，逐漸(jian)成為(wei)市(shi)場的(de)(de)主(zhu)導產品。而其它種類的(de)(de)薄膜(mo)電(dian)池(chi)(chi)(chi)由于(yu)技(ji)術(shu)不是很成熟，似乎很難在(zai)短期(qi)內替代(dai)硅(gui)系太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)。目(mu)前的(de)(de)硅(gui)系太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)最(zui)高(gao)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)只有20%左右，要想再進一步(bu)提(ti)高(gao)已經(jing)非常困(kun)難。眾所周知，提(ti)高(gao)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)和(he)(he)降低成本是太陽(yang)能(neng)(neng)光伏技(ji)術(shu)中的(de)(de)根本因素。開(kai)展(zhan)高(gao)效(xiao)(xiao)太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)技(ji)術(shu)研究(jiu)，開(kai)發新的(de)(de)電(dian)池(chi)(chi)(chi)材料、電(dian)池(chi)(chi)(chi)結構(gou)，也一直是該領域的(de)(de)熱點。在(zai)這其中，高(gao)效(xiao)(xiao)多(duo)結太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)技(ji)術(shu)的(de)(de)研究(jiu)尤(you)為(wei)引人(ren)注目(mu)。

認識高效多結太陽能電池技術

一(yi)般所說的(de)高效(xiao)多(duo)結(jie)太(tai)陽能電(dian)池(chi)是指針(zhen)對(dui)太(tai)陽光譜，在不同的(de)波段(duan)選(xuan)取不同頻(pin)寬的(de)半導(dao)體(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)做(zuo)成(cheng)多(duo)個太(tai)陽能子(zi)電(dian)池(chi)，最(zui)后將這些(xie)子(zi)電(dian)池(chi)串聯形成(cheng)多(duo)結(jie)太(tai)陽能電(dian)池(chi)。目(mu)前研究較多(duo)的(de)III-V族(zu)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)體(ti)(ti)系，如InGaP/GaAs/Ge三結(jie)電(dian)池(chi)，所報導(dao)的(de)轉換(huan)效(xiao)率可達42.8%左(zuo)右。也有選(xuan)取II-VI族(zu)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)，但目(mu)前還處(chu)于研究階段(duan)。本文將主要(yao)介紹InGaP/GaAs/Ge等(deng)III-V族(zu)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)體(ti)(ti)系。

圖1是一個典型(xing)的(de)多結(jie)太陽能(neng)電(dian)池(chi)示意圖。其中(zhong)頂層(ceng)的(de)InGaP電(dian)池(chi)、中(zhong)層(ceng)的(de)GaAs電(dian)池(chi)和底層(ceng)的(de)Ge電(dian)池(chi)帶隙分別為1.86eV、1.40eV和0.65eV。在頂層(ceng)和中(zhong)層(ceng)相鄰兩個電(dian)池(chi)間設有寬帶隙的(de)異質結(jie)構(gou)隧道結(jie)，使得入射光能(neng)順利通過頂層(ceng)電(dian)池(chi)到達中(zhong)層(ceng)的(de)GaAs電(dian)池(chi)。同時提供高(gao)的(de)結(jie)間勢壘(lei)，防止兩層(ceng)中(zhong)產生的(de)少子擴散。

高效多結太陽能電(dian)池技術(shu) 器件結構(gou)和系統的(de)優化設(she)計

多結太(tai)陽(yang)能電池經(jing)過近十幾年的發展，其(qi)在太(tai)空領域已經(jing)被廣(guang)泛應用，效(xiao)率紀(ji)錄也不斷(duan)被刷新。但由于成本(ben)(ben)等原因，很難得以大規模地面(mian)推廣(guang)。因此(ci)必須盡可能地提高其(qi)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率，降低成本(ben)(ben)，才能顯出其(qi)優勢。

目前降低(di)成(cheng)本(ben)主要采用聚(ju)(ju)(ju)光鏡技術，將太(tai)(tai)陽(yang)(yang)光通過透鏡收集起來(lai)，大大減小了芯片的(de)面積(ji)。日本(ben)夏普公司2007年(nian)底公布(bu)了1000倍聚(ju)(ju)(ju)光、轉換效(xiao)(xiao)率高達(da)40％的(de)4.5mm2的(de)InGaPAs系多結(jie)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元。2008年(nian)初，Delaware大學(xue)的(de)Allen Barnett的(de)研究(jiu)團隊研制(zhi)的(de)超高效(xiao)(xiao)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)（VHESC），僅在(zai)20個太(tai)(tai)陽(yang)(yang)的(de)聚(ju)(ju)(ju)光條(tiao)件(jian)下即可(ke)(ke)實現42.8%的(de)組合效(xiao)(xiao)率。2008年(nian)8月，美國能源部(bu)可(ke)(ke)再生能源實驗室（NREL）宣布(bu)，采用倒置贗形三結(jie)結(jie)構的(de)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)在(zai)326個太(tai)(tai)陽(yang)(yang)的(de)聚(ju)(ju)(ju)光條(tiao)件(jian)下，其光電(dian)(dian)轉化(hua)效(xiao)(xiao)率可(ke)(ke)達(da)40.8%，并宣稱這是迄今為(wei)止光伏技術中被證實的(de)最高效(xiao)(xiao)率。隨(sui)著效(xiao)(xiao)率紀錄不(bu)斷被刷(shua)新，高效(xiao)(xiao)多結(jie)太(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)研發也(ye)正(zheng)進一步深入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為了提高多(duo)結太(tai)陽能電(dian)池的轉換效(xiao)率，研究者們從新材(cai)料開發(fa)、器件結構乃至整個系統等方(fang)面對(dui)多(duo)結太(tai)陽能電(dian)池進(jin)行了優化。在新材(cai)料開發(fa)方(fang)面，主要有摻氮材(cai)料、量子(zi)點結構，以及In(Ga)N氮化物材(cai)料。

新型材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)研發始(shi)終是(shi)一(yi)個活躍的(de)(de)(de)(de)領(ling)域(yu)，研究者(zhe)們首先想(xiang)到(dao)的(de)(de)(de)(de)是(shi)摻氮材(cai)料(liao)(liao)(liao)。因為從III-V族半導體能帶結(jie)(jie)構和晶格常數(shu)關(guan)系(xi)圖(tu)中可以看出，對于GaInNAs材(cai)料(liao)(liao)(liao)四元材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)晶格和GaAs匹配，頻寬為在1.05eV附近(jin)，若將其加(jia)到(dao)GaInP/GaAs/Ge三結(jie)(jie)結(jie)(jie)構上，產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)四結(jie)(jie)電池（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻寬更加(jia)接近(jin)理想(xiang)值。在具有相同結(jie)(jie)數(shu)的(de)(de)(de)(de)器(qi)件中，效(xiao)率可達到(dao)最大。對于多結(jie)(jie)太陽(yang)能電池來(lai)說，它(ta)似(si)乎是(shi)實現(xian)高效(xiao)率的(de)(de)(de)(de)最理想(xiang)的(de)(de)(de)(de)方法。但(dan)是(shi)，復(fu)雜(za)的(de)(de)(de)(de)四元材(cai)料(liao)(liao)(liao)體系(xi)在生(sheng)長上很難保證材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)品質，更無法保證材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)重復(fu)性穩定性等問題。比如少數(shu)載流(liu)子擴散長度的(de)(de)(de)(de)問題就阻礙了GaInNAs材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)進展。近(jin)十年來(lai)，GaInNAs在光伏(fu)方面的(de)(de)(de)(de)應用正(zheng)在逐(zhu)漸(jian)減少。

其次，量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)結(jie)構也是(shi)新材(cai)(cai)料開發方面的(de)(de)(de)(de)熱點(dian)(dian)。主要(yao)理念是(shi)將(jiang)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)層(ceng)放(fang)在(zai)(zai)p-n結(jie)的(de)(de)(de)(de)耗盡(jin)區內，在(zai)(zai)光生(sheng)載流子(zi)(zi)復合之前(qian)被集(ji)中(zhong)起來。這其實(shi)是(shi)一(yi)種(zhong)使用中(zhong)間(jian)帶的(de)(de)(de)(de)方法，通過提高(gao)(gao)(gao)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)效率來獲得高(gao)(gao)(gao)效率。很(hen)(hen)容易看出，必須有(you)足夠多(duo)(duo)的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)品(pin)質量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)作為(wei)(wei)吸(xi)收層(ceng)才能實(shi)現(xian)提高(gao)(gao)(gao)效率的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)，這就在(zai)(zai)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)材(cai)(cai)料生(sheng)長方面提出了很(hen)(hen)高(gao)(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求。例(li)如(ru)，日本筑波(bo)大學的(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)者利用量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)能電池單元的(de)(de)(de)(de)光電轉(zhuan)換(huan)效率可(ke)達到8.54％。其量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)型太(tai)陽(yang)能電池是(shi)在(zai)(zai)p-n結(jie)之間(jian)層(ceng)疊多(duo)(duo)個量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)層(ceng)，在(zai)(zai)1cm2的(de)(de)(de)(de)GaAs襯底上(shang)交替疊加了30層(ceng)GaNAs和30層(ceng)InAs的(de)(de)(de)(de)超晶(jing)格(ge)結(jie)構（見圖(tu)2）。在(zai)(zai)GaNAs上(shang)生(sheng)長InAs時(shi)，自(zi)組織生(sheng)成(cheng)(cheng)高(gao)(gao)(gao)為(wei)(wei)3～4nm、直徑為(wei)(wei)20～30nm的(de)(de)(de)(de)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)。同時(shi)，超晶(jing)格(ge)結(jie)構導致量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)之間(jian)產(chan)生(sheng)結(jie)合后，在(zai)(zai)傳導帶上(shang)形成(cheng)(cheng)微帶，使各種(zhong)波(bo)長的(de)(de)(de)(de)光吸(xi)收成(cheng)(cheng)為(wei)(wei)可(ke)能。多(duo)(duo)個早期研(yan)究(jiu)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)組目前(qian)正對量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)在(zai)(zai)太(tai)陽(yang)能電池中(zhong)的(de)(de)(de)(de)應(ying)用進行深(shen)入(ru)研(yan)究(jiu)，如(ru)英(ying)國格(ge)拉(la)斯(si)哥大學、日本東京(jing)大學等。量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)(dian)型太(tai)陽(yang)能電池的(de)(de)(de)(de)理論轉(zhuan)換(huan)效率可(ke)達60％以(yi)上(shang)，是(shi)頗受(shou)矚目的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)效太(tai)陽(yang)能電池的(de)(de)(de)(de)候(hou)選者之一(yi)。

高效多結太陽能電(dian)池技術 器(qi)件結構和系統的(de)優化設計

InN和InGaN的(de)全氮(dan)化物太(tai)陽能(neng)電(dian)池是(shi)一(yi)種非常吸(xi)引人的(de)高效(xiao)電(dian)池，理論上它可(ke)以(yi)連續復蓋0.7到2.4eV光譜。南京大學的(de)研(yan)究(jiu)者們通過計(ji)算(suan)得出，在(zai)理想情況下(xia)，InGaN材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)應用(yong)于單結(jie)、雙結(jie)和三結(jie)太(tai)陽電(dian)池時，其轉換效(xiao)率可(ke)分別高達(da)27.3%、36.6%和41.3%。但(dan)是(shi)，氮(dan)化物本身(shen)也存在(zai)很多問題(ti)，如襯(chen)底材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)選擇(ze)、材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)品質(zhi)控制(zhi)、p型材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)摻雜、隧(sui)道二極(ji)管的(de)問題(ti)等，因此目(mu)前的(de)研(yan)究(jiu)還處于開發基礎材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)和器(qi)件的(de)階段。

器件結構和系統的優化設計

器(qi)(qi)件結(jie)構和系(xi)統的(de)優化設計也是提(ti)高多結(jie)太陽能(neng)電池效率的(de)重要(yao)方(fang)法(fa)。器(qi)(qi)件結(jie)構及系(xi)統改(gai)進方(fang)面主要(yao)包括(kuo)贗(yan)形層結(jie)構、機械疊加結(jie)結(jie)構等等。

贗(yan)形層結(jie)構是指在已有(you)的GaInP/GaAs/Ge三結(jie)電池上增加一個晶格(ge)失(shi)配層（贗(yan)形層），其實這是結(jie)合材料生長與器件結(jie)構優化的一種(zhong)方(fang)法。

一般多(duo)結(jie)(jie)電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)外延(yan)層(ceng)是晶(jing)格失配(pei)生長(chang)，會產生很(hen)多(duo)位(wei)錯(cuo)，減少了(le)少子擴(kuo)散長(chang)度，降低(di)了(le)器(qi)件(jian)(jian)性能(neng)。在贗(yan)形層(ceng)結(jie)(jie)構(gou)多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)中，使(shi)用(yong)組分(fen)漸變方(fang)法在GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)上(shang)生長(chang)InGaAs結(jie)(jie)，使(shi)得所(suo)有位(wei)錯(cuo)都局限在低(di)頻寬的(de)(de)(de)InGaAs結(jie)(jie)中。其實贗(yan)形層(ceng)方(fang)法在GaAs基HEMT的(de)(de)(de)開發中廣泛應用(yong)，近幾(ji)年在GaAs基長(chang)波長(chang)雷(lei)射器(qi)中也有應用(yong)。值(zhi)得一提的(de)(de)(de)是，倒置(zhi)的(de)(de)(de)贗(yan)形層(ceng)多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)結(jie)(jie)構(gou)（IMM）是EMCORE公司的(de)(de)(de)專利技術（見圖(tu)3），它(ta)采用(yong)倒置(zhi)的(de)(de)(de)方(fang)法生長(chang)和(he)Ge或GaAs襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)匹配(pei)的(de)(de)(de)GaInP和(he)GaAs結(jie)(jie)，InGaP首(shou)先(xian)被淀積在基于Ge襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)的(de)(de)(de)子電(dian)池(chi)上(shang)面(mian)。這種設計(ji)保持了(le)GaInP/GaAs結(jie)(jie)的(de)(de)(de)品質，它(ta)對(dui)整個器(qi)件(jian)(jian)總的(de)(de)(de)發電(dian)能(neng)力(li)具有決定性的(de)(de)(de)作用(yong)。倒置(zhi)贗(yan)性三結(jie)(jie)結(jie)(jie)構(gou)據稱可與多(duo)項其它(ta)工藝相容(rong)，如(ru)柔性襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)。因為(wei)Ge襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)能(neng)夠(gou)被去除，從而(er)器(qi)件(jian)(jian)可以安裝在如(ru)聚醯(xi)亞(ya)胺膠帶等柔性襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)上(shang)。

高效多結(jie)太(tai)陽能電池技術 器(qi)件結(jie)構和系(xi)統的(de)優化設計

機(ji)械(xie)疊(die)加多(duo)芯(xin)片結(jie)一般是(shi)指，將生長在(zai)不(bu)同(tong)襯(chen)(chen)底(di)(di)上(shang)不(bu)同(tong)頻(pin)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)壓(ya)焊(han)到一起而(er)形成所謂的(de)(de)(de)(de)多(duo)芯(xin)片結(jie)。如將Ge或GaAs襯(chen)(chen)底(di)(di)上(shang)的(de)(de)(de)(de)頻(pin)寬(kuan)(kuan)較(jiao)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)GaInP/GaAs多(duo)結(jie)結(jie)構(gou)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)壓(ya)焊(han)到InP襯(chen)(chen)底(di)(di)上(shang)的(de)(de)(de)(de)頻(pin)寬(kuan)(kuan)較(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串聯結(jie)構(gou)電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)之上(shang)。也可采用(yong)光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)互連以及(ji)機(ji)械(xie)疊(die)加相結(jie)合的(de)(de)(de)(de)方法，如Delaware大學(xue)(xue)的(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)研究(jiu)團隊研制(zhi)的(de)(de)(de)(de)超(chao)高(gao)效太(tai)(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)（VHESC），組合效率(lv)在(zai)20個(ge)太(tai)(tai)陽聚光(guang)(guang)條件下可達42.8%。這(zhe)種(zhong)(zhong)超(chao)高(gao)效太(tai)(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)采用(yong)全新(xin)的(de)(de)(de)(de)橫(heng)向光(guang)(guang)學(xue)(xue)聚焦系統，使入射光(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)不(bu)同(tong)光(guang)(guang)譜波(bo)段被光(guang)(guang)學(xue)(xue)地分離和(he)定(ding)(ding)向，然(ran)后被不(bu)同(tong)頻(pin)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)所吸收（見圖4）。這(zhe)種(zhong)(zhong)光(guang)(guang)學(xue)(xue)聚焦系統具有較(jiao)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)接收角(jiao)度，從而(er)不(bu)需(xu)要(yao)復(fu)雜(za)的(de)(de)(de)(de)定(ding)(ding)位(wei)跟蹤系統。但是(shi)我們可以看出，機(ji)械(xie)疊(die)加類型的(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)設計(ji)在(zai)生長工(gong)藝(yi)需(xu)要(yao)多(duo)種(zhong)(zhong)襯(chen)(chen)底(di)(di)，工(gong)藝(yi)中(zhong)需(xu)要(yao)襯(chen)(chen)底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)剝離，在(zai)外(wai)延層(ceng)上(shang)壓(ya)焊(han)芯(xin)片等，成本較(jiao)高(gao)和(he)而(er)且器件品(pin)質很難保(bao)證(zheng)。

高效多結太陽能(neng)電(dian)池技術(shu) 器(qi)件結構(gou)和系統的優化設計

發展前景廣闊

高(gao)(gao)效(xiao)多結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池技(ji)術(shu)(shu)的(de)研究(jiu)一直是太(tai)陽能(neng)(neng)光(guang)伏技(ji)術(shu)(shu)中(zhong)(zhong)的(de)熱點(dian)之一，國(guo)外多家研究(jiu)機構、公司等(deng)投(tou)入了大量的(de)人力(li)物力(li)。我(wo)(wo)國(guo)在這方(fang)面的(de)研究(jiu)起步也較(jiao)(jiao)早(zao)，如電(dian)(dian)子18所、航(hang)太(tai)811所、中(zhong)(zhong)科(ke)院半導體所等(deng)等(deng)。最近廈門三安的(de)GaAs/Ge多結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池外延(yan)片關鍵技(ji)術(shu)(shu)研制(zhi)及產(chan)(chan)業化(hua)項目宣稱，其研制(zhi)的(de)多結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池光(guang)電(dian)(dian)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率達27%，遠高(gao)(gao)于19.5%的(de)硅電(dian)(dian)池最高(gao)(gao)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率。并(bing)具有更強的(de)抗輻(fu)照能(neng)(neng)力(li)、更好(hao)的(de)耐高(gao)(gao)性能(neng)(neng)，加上聚光(guang)技(ji)術(shu)(shu)的(de)應用（降(jiang)低成本），將是新一代高(gao)(gao)性能(neng)(neng)長壽命太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池最具發展潛力(li)的(de)產(chan)(chan)品。但我(wo)(wo)們可以(yi)看出，相比國(guo)外來說，轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率相對較(jiao)(jiao)低，并(bing)且器件指標還有一定(ding)差距。總之，從(cong)新材(cai)料開發、器件結構乃至整個(ge)系統設計方(fang)面，在高(gao)(gao)效(xiao)多結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池方(fang)面還有很(hen)多工作值得進一步深入研究(jiu)。