【電(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv)】影響電(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv)的外界(jie)因素電(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv)的計算方法

影響電阻率的外界因素

電阻率是用來表示各種物質電阻特性(xing)的(de)(de)(de)(de)物(wu)理(li)量。某種物(wu)質(zhi)所制成的(de)(de)(de)(de)原件（常溫下20°C）的(de)(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu)與(yu)(yu)橫(heng)截(jie)面(mian)積(ji)的(de)(de)(de)(de)乘積(ji)與(yu)(yu)長(chang)度的(de)(de)(de)(de)比值叫做這種物(wu)質(zhi)的(de)(de)(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu)率(lv)。電(dian)阻(zu)(zu)率(lv)與(yu)(yu)導(dao)體的(de)(de)(de)(de)長(chang)度、橫(heng)截(jie)面(mian)積(ji)等因素無關(guan)，是導(dao)體材料本身的(de)(de)(de)(de)電(dian)學性(xing)質(zhi)，由導(dao)體的(de)(de)(de)(de)材料決定，且與(yu)(yu)溫度有關(guan)。

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電阻率不僅與材料種類有關，而且還與溫度、壓力和磁場等外界因素有關。金屬材料在溫度不高時，ρ與溫度t(℃)的關系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度系數，與材料有關。錳銅的α約為1×10-1/℃(其數值極小)，用其制成的電阻器的電阻值在常溫范圍下隨溫度變化極小，適合于作標準電阻。已知材料的ρ值隨溫度而變化的規律后，可制成電阻式溫度計來測量溫度。半導體材料的α一般是負值且有較大的量值。制成的電阻式溫度計具有較高的靈敏度。有些金屬(如Nb和Pb)或它們的化合物，當溫度降到幾K或十幾K(絕對溫度)時，ρ突然減少到接近零，出現超導現象，超導材料有廣泛的應用前景。利用材料的ρ隨磁場或所受應力而改變的性質，可制成磁敏電阻或(huo)(huo)電阻應(ying)變(bian)片，分別被用來測量磁場(chang)或(huo)(huo)物體所受到的機(ji)械應(ying)力，在工程上獲(huo)得廣泛應(ying)用。

電阻率的計算方法

電阻率的計算公式為：

ρ為電(dian)阻率——常用單(dan)位Ω·m

S為(wei)橫截面(mian)積——常用單位㎡

R為電阻值——常用單(dan)位Ω

L為導線的(de)長(chang)度——常用單位m

ρ=Rs/L

電阻率的另一(yi)計算公(gong)式(shi)為：

ρ為(wei)電阻率——常(chang)用單位Ω·mm2/m

E為電場強度——常用單位N/C

J為電流密度(du)——常(chang)用單位A/㎡

（E，J可以為矢(shi)量(liang)）

ρ=E/J

電阻率的應用

電阻率(lv)較(jiao)低的(de)物(wu)質(zhi)(zhi)被稱(cheng)(cheng)為(wei)(wei)導(dao)(dao)體，常見導(dao)(dao)體主要為(wei)(wei)金屬，而(er)自然(ran)界(jie)中導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)性最(zui)佳的(de)是銀，其(qi)次為(wei)(wei)半(ban)導(dao)(dao)體，硅鍺。當存(cun)在外電(dian)(dian)(dian)場時，金屬的(de)自由(you)電(dian)(dian)(dian)子在運動中不(bu)斷和晶(jing)格節點上做熱振子的(de)正離子相碰撞，使電(dian)(dian)(dian)子運動受到(dao)阻(zu)礙，因而(er)就具有了一定的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)。其(qi)他不(bu)易導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)的(de)物(wu)質(zhi)(zhi)如玻璃、橡(xiang)膠等，電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)較(jiao)高，一般稱(cheng)(cheng)為(wei)(wei)絕(jue)緣體。介于導(dao)(dao)體和絕(jue)緣體之間的(de)物(wu)質(zhi)(zhi)(如硅)則稱(cheng)(cheng)半(ban)導(dao)(dao)體。電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)的(de)科學符號為(wei)(wei) ρ(Rho)。 已知(zhi)物(wu)體的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)，可由(you)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)ρ、長度l與截(jie)面面積A計算：ρ=RA/I，在該式中， 電(dian)(dian)(dian)阻(zu)R單(dan)位(wei)為(wei)(wei)歐姆(mu)，長度l單(dan)位(wei)為(wei)(wei)米，截(jie)面面積A單(dan)位(wei)為(wei)(wei)平(ping)方(fang)米，電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv) ρ單(dan)位(wei)為(wei)(wei)歐姆(mu)·米