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人物簡介

中文名：尹志堯

出生地：北京

畢(bi)業院校：中國科(ke)學(xue)技術(shu)大學(xue)

人物履歷

1962年，考入(ru)科大化(hua)學物理系。由于文(wen)革的緣故，遲(chi)到1968年春才(cai)畢業。

1968-1971年，在蘭州煉油廠工作。

1973年(nian)，轉到中科(ke)院蘭州(zhou)物理(li)化學(xue)所。

1978-1980年，在北大(da)化學(xue)系讀碩士學(xue)位。

1980年，在美(mei)國一(yi)些(xie)親戚的幫助下，來到加州(zhou)大學(xue)洛杉嘰分校攻讀(du)博(bo)(bo)士(shi)學(xue)位。三年半就拿(na)到物理化學(xue)博(bo)(bo)士(shi)學(xue)位。

1984年(nian)，以后的(de)16年(nian)里一直在(zai)(zai)硅谷工(gong)作。開始(shi)是在(zai)(zai)Intel公(gong)司的(de)中心技術發展(zhan)部門做電漿蝕(shi)刻(ke)工(gong)作。

1986年，轉到(dao)LAM研究所，開(kai)始是(shi)高級工(gong)程師(shi)，后(hou)來做到(dao)了技術發展(zhan)經理。在那里尹志堯負(fu)責彩虹等離子體刻(ke)蝕設備(bei)的(de)開(kai)發。LAM靠著一些非常(chang)好的(de)產品成為這個領域的(de)領先者之一。

1991年，尹(yin)志堯來到應(ying)用材料(liao)公(gong)司，負責(ze)同一(yi)領(ling)域(yu)的(de)研究開(kai)發工作，先后獲得了(le)60多個(ge)美國和國外的(de)專(zhuan)利，還有一(yi)些正(zheng)等(deng)著(zhu)批準。尹(yin)志堯開(kai)發或參與開(kai)發的(de)產品，現(xian)在(zai)在(zai)這個(ge)領(ling)域(yu)大概占了(le)全世界的(de)50％。曾任(ren)Applied Materials應(ying)用材料(liao)公(gong)司的(de)副(fu)總裁(cai)，負責(ze)等(deng)離子體刻蝕部(bu)門的(de)業務。另外，還幫助成(cheng)立了(le)硅谷中(zhong)國工程師協(xie)會，并(bing)擔任(ren)了(le)頭(tou)兩(liang)任(ren)的(de)主席(xi)。

2004年，他和美國硅谷幾(ji)個志同(tong)道(dao)合(he)的伙伴回到上海，組(zu)建了中微半(ban)導體設(she)備公司（AMEC），他自(zi)己(ji)擔任公司董(dong)事長兼總裁。

榮譽成就

2012年，尹志堯(yao)獲得(de)上海市“白(bai)玉(yu)蘭紀念(nian)獎”。