1、所謂焙(bei)(bei)燒是指(zhi)將溫度(du)(du)嚴格(ge)控制在500攝氏(shi)度(du)(du)左(zuo)右,將硅藻(zao)土(tu)緩(huan)慢升(sheng)溫,勻速焙(bei)(bei)燒2小時(shi)以上,可以保留硅藻(zao)土(tu)的(de)(de)絕大部分孔(kong)隙(xi)的(de)(de)完整性(xing)和良好(hao)的(de)(de)吸(xi)附(fu)性(xing),并且是緩(huan)慢升(sheng)溫、恒(heng)溫加(jia)熱,對有機雜質的(de)(de)去除(chu)比較徹底(di),白度(du)(du)高(gao)顆粒均勻。
2、煅(duan)燒(shao)(shao)是指將硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)加(jia)入助(zhu)溶劑在(zai)爐內經過900到1150度(du)(du)的高溫(wen)(wen)加(jia)熱10分鐘到30分鐘,助(zhu)溶劑迅速融化(hua)(hua)(hua)并(bing)(bing)和硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)粘(zhan)結(jie)在(zai)一起。煅(duan)燒(shao)(shao)可以做到時間少、費(fei)用低(di),但(dan)是由于(yu)溫(wen)(wen)度(du)(du)過高不易(yi)(yi)控制,易(yi)(yi)使硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)燒(shao)(shao)結(jie)、成(cheng)球,需要再次(ci)研磨破(po)碎(sui)成(cheng)需要的細度(du)(du),對硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)表(biao)面孔隙(xi)造成(cheng)二次(ci)破(po)壞。由于(yu)助(zhu)溶劑融化(hua)(hua)(hua)附著在(zai)硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)的表(biao)面將硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)的孔隙(xi)堵塞,降(jiang)低(di)了硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)的比(bi)表(biao)面積。并(bing)(bing)且高達1100的高溫(wen)(wen)容易(yi)(yi)將硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)的微(wei)(wei)孔熔(rong)化(hua)(hua)(hua)消失,硅(gui)藻體微(wei)(wei)孔結(jie)構完全(quan)破(po)壞,部分孔壁(bi)結(jie)晶(jing)、融化(hua)(hua)(hua),硅(gui)藻土(tu)(tu)(tu)的多空結(jie)構被打穿造成(cheng)吸(xi)附性(xing)降(jiang)低(di)。
實驗顯示:將100g的硅藻土分別經過500攝氏度(du)焙燒2h(圖(tu)一)和(he)加入5%的助溶(rong)劑分別經過900°(圖(tu)二)和(he)1100°(圖(tu)三)的煅(duan)燒后在掃描電(dian)鏡下觀察(cha)其表面。
圖(tu)一(yi):500°焙燒后硅藻土表(biao)面非常完整(zheng),孔隙沒有(you)塌(ta)陷、融合的(de)跡象說明其吸附性(xing)高。
圖二:900 ℃煅燒(shao)后(hou),硅藻土露出硅質圓篩(shai)(shai)盤,其四(si)周邊緣(yuan)已經熔化,圓篩(shai)(shai)體中微(wei)孔因逐漸熔化而發生堵塞,部分原篩(shai)(shai)體裂成碎(sui)片。
圖三(san):1 150 ℃煅(duan)燒后,硅藻(zao)(zao)土表面微孔熔化消失,硅藻(zao)(zao)體微孔結構完(wan)(wan)全破壞,吸附性(xing)完(wan)(wan)全喪失。
可見即使是相同產地的(de)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)其加(jia)工工藝的(de)不同也(ye)會造(zao)成硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)吸附效(xiao)果(guo)的(de)差異巨大,因此,優質的(de)焙燒硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)作為硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)泥的(de)主要原料,保障(zhang)了硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)獨(du)特的(de)晶體(ti)吸附結構不被(bei)破壞,最大限度(du)的(de)保證了硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)泥的(de)吸附能力,為硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)泥凈化空(kong)氣的(de)功能性奠定基(ji)礎。
本文由硅藻泥專家-泥博士硅藻泥(www.nbsni.com)原創提供