1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核心型號差一(yi)檔(dang),性能也(ye)就差了一(yi)檔(dang),所(suo)以可根據核心型號來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高(gao)低(di),例如,N卡(ka)型號的(de)前綴(zhui)(zhui)一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩位(wei)數(shu)或一(yi)位(wei)數(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu),再其后兩位(wei)數(shu)越大(da),表(biao)示同(tong)代(dai)中的(de)性能就越強,后綴(zhui)(zhui)有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示加(jia)強版(ban)(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)(ban)、移(yi)動版(ban)(ban)(ban)、移(yi)動加(jia)強版(ban)(ban)(ban)。
2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)器(qi):流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)器(qi)是顯卡(ka)(ka)(ka)的核心,直接(jie)影(ying)響處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)能(neng)(neng)力(li)(li),對于N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)來說,流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單元個數越(yue)多則(ze)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)能(neng)(neng)力(li)(li)越(yue)強(qiang)。N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)的流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單元可(ke)采取近(jin)似比較,N卡(ka)(ka)(ka)的1個流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單元相(xiang)當于AMD的5個流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)(li)單元。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)寬:顯(xian)存(cun)位(wei)寬表示一個時(shi)鐘周(zhou)期(qi)內所能傳送數據的位(wei)數,位(wei)數越(yue)大則(ze)傳輸量(liang)越(yue)大,常見(jian)的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情(qing)況(kuang)下,顯(xian)存(cun)位(wei)寬決定著帶寬的大小(xiao)。
4、顯存類型:顯存類型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在低(di)端顯卡上,頻(pin)率(lv)一(yi)般(ban)不超過(guo)200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪圖專用。
5、散(san)熱設計:散(san)熱系統的(de)好壞直接決定了性能發揮的(de)穩(wen)定性,被動(dong)式噪音低(di),適合低(di)頻率(lv)顯(xian)卡;主(zhu)動(dong)式有散(san)熱片和風扇,適合高頻率(lv)顯(xian)卡;導流式適合高檔游戲(xi)顯(xian)卡。