1、顯(xian)卡芯(xin)片:顯(xian)卡核(he)心(xin)型號(hao)(hao)(hao)差一檔,性能(neng)也就差了一檔,所以可根據(ju)核(he)心(xin)型號(hao)(hao)(hao)來判斷(duan)顯(xian)卡的高低,例如,N卡型號(hao)(hao)(hao)的前綴(zhui)一共有GTX > GTS > GT > GF,其后的兩(liang)位(wei)數(shu)或一位(wei)數(shu)代表代數(shu),再其后兩(liang)位(wei)數(shu)越大,表示同代中的性能(neng)就越強,后綴(zhui)有Ti、SE、M、MX,分(fen)別表示加強版(ban)、閹割(ge)版(ban)、移(yi)動版(ban)、移(yi)動加強版(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)器:流(liu)(liu)處(chu)理(li)器是(shi)顯卡(ka)的核心,直接(jie)影響處(chu)理(li)能力,對于N卡(ka)和A卡(ka)來說(shuo),流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)個(ge)數越(yue)多則處(chu)理(li)能力越(yue)強。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)可采取近似(si)比較,N卡(ka)的1個(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)相當于AMD的5個(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)。
3、顯(xian)存位(wei)寬(kuan):顯(xian)存位(wei)寬(kuan)表示一(yi)個時鐘周期內所(suo)能傳送數(shu)據的(de)(de)位(wei)數(shu),位(wei)數(shu)越大(da)則傳輸量越大(da),常(chang)見的(de)(de)有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存頻率相當情(qing)況下,顯(xian)存位(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的(de)(de)大(da)小。
4、顯存(cun)類(lei)(lei)型:顯存(cun)類(lei)(lei)型主(zhu)要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三(san)種(zhong),SDRAM顆(ke)粒(li)主(zhu)要應(ying)用(yong)在低(di)端顯卡上,頻(pin)率(lv)一般(ban)不超過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)流;DDR SGRAM適合繪圖專用(yong)。
5、散熱(re)設計:散熱(re)系(xi)統的好壞直接決定了性(xing)能發揮的穩定性(xing),被動式(shi)噪音低,適(shi)合(he)低頻率顯卡(ka);主動式(shi)有(you)散熱(re)片和風扇,適(shi)合(he)高頻率顯卡(ka);導流式(shi)適(shi)合(he)高檔游戲顯卡(ka)。