SSD固態硬盤的優點

1、SSD不(bu)需要機械結構，完(wan)全的半(ban)導體化，不(bu)存在數據查找時間、延遲時間和磁盤(pan)尋(xun)道時間，數據存取(qu)速度快，讀取(qu)數據的能力(li)在400M/s以上，最高的目前(qian)可達500M/s以上。

2、SSD全部采用閃存(cun)芯片(pian)，經久耐用，防(fang)震抗摔，即(ji)使發(fa)生與(yu)硬物(wu)碰撞，數據丟(diu)失的可能性也能夠降到最小(xiao)。

3、得益于無機械部件及FLASH閃存芯(xin)片(pian)，SSD沒有任何噪音，功耗(hao)低。

4、質量(liang)(liang)輕，比常規1.8英寸硬(ying)盤重量(liang)(liang)輕20-30克，使(shi)得便攜設備搭載多塊SSD成為可(ke)能(neng)。同時因其完全(quan)半(ban)導體化，無結構限制，可(ke)根據(ju)實際(ji)情況設計成各種不(bu)同接口(kou)、形(xing)狀的特殊電(dian)子硬(ying)盤。

SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目前SSD成(cheng)本(ben)已經大(da)幅下(xia)降。128G SSD已經在1000元級(ji)別(bie)。但是相對(dui)機械(xie)硬盤(pan)，價格還是很高(gao)的(de)~而(er)作為筆(bi)記(ji)(ji)本(ben)廠商(shang)，在將固態(tai)(tai)硬盤(pan)當作可選配件后，升(sheng)級(ji)的(de)費用更是要(yao)遠高(gao)于實(shi)際成(cheng)本(ben)，這(zhe)也(ye)就導致(zhi)了配備傳(chuan)統(tong)硬盤(pan)筆(bi)記(ji)(ji)本(ben)和固態(tai)(tai)硬盤(pan)筆(bi)記(ji)(ji)本(ben)之間千(qian)元的(de)價差。

2、存儲容量有待提高

如今傳統機械式硬(ying)盤(pan)憑借最(zui)新的(de)垂直記錄技術已經(jing)向2TB級別邁(mai)進，而(er)固態(tai)硬(ying)盤(pan)的(de)最(zui)高(gao)紀(ji)錄仍停留幾百(bai)GB(PQI推出(chu)的(de)2.5英寸SSD產(chan)品(pin))左右，由(you)于閃存成本一直居(ju)高(gao)不下，很少有廠商涉(she)及(ji)這種高(gao)容(rong)量的(de)SSD產(chan)品(pin)的(de)研發，即使有相關的(de)產(chan)品(pin)出(chu)現，離量產(chan)還(huan)有很長(chang)很長(chang)的(de)路，現階段可(ke)以(yi)買到的(de)固態(tai)硬(ying)盤(pan)最(zui)實(shi)際(ji)的(de)存儲容(rong)量只(zhi)有最(zui)高(gao)幾百(bai)GB。但(dan)是價格(ge)高(gao)昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前(qian)市面上占有率最高的(de)SandForce二代主控(kong)(kong)，由于它提供(gong)了一套成熟的(de)主控(kong)(kong)方案(an)。硬(ying)盤(pan)廠商只(zhi)需買來方案(an)，在(zai)加(jia)入(ru)自己(ji)的(de)PCB設計(ji)、閃存(cun)搭(da)配、固件(jian)(jian)算法(fa)就能制造(zao)出固態(tai)硬(ying)盤(pan)。有點(dian)類似于谷歌的(de)Android開源(yuan)模式，不(bu)過其弊病也(ye)是相同(tong)的(de)，那就是同(tong)樣的(de)主控(kong)(kong)要兼容各種(zhong)不(bu)同(tong)的(de)芯片、固件(jian)(jian)，所以各大SandForce主控(kong)(kong)的(de)硬(ying)盤(pan)產(chan)品性能也(ye)是參差不(bu)齊(qi)的(de)。另外還有Marvell主控(kong)(kong)和Intel主控(kong)(kong)，只(zhi)是產(chan)品較(jiao)少，但性能都相當給力(li)。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用的(de)閃存顆粒(li)(li)有著(zhu)25/34nm制程、MLC/SLC、同步/異步、ONFI/Toggle Mode等(deng)等(deng)不(bu)同。不(bu)同閃存顆粒(li)(li)數據傳輸率有著(zhu)很大的(de)差(cha)異，異步ONFI顆粒(li)(li)只有50MT/s（Intel或(huo)者(zhe)(zhe)Micron早期顆粒(li)(li)），同步ONFI 2.x顆粒(li)(li)則可以(yi)達(da)到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或(huo)者(zhe)(zhe)Micron顆粒(li)(li)），異步Toggly DDR 1.0顆粒(li)(li)也可以(yi)達(da)到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或(huo)者(zhe)(zhe)Samsung顆粒(li)(li)）。

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