一、bjt指的是什么
bjt是雙(shuang)(shuang)極結(jie)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的(de)縮(suo)寫，又(you)常(chang)稱為雙(shuang)(shuang)載(zai)子晶體管。它是通過(guo)一定的(de)工藝將兩(liang)個(ge)PN結(jie)結(jie)合在一起的(de)器(qi)件，有PNP和NPN兩(liang)種(zhong)組合結(jie)構。
晶體管分兩類：
1、一類是(shi)雙極性晶體管，BJT；BJT是(shi)電流控制器件。
2、一類是場效應晶(jing)體管，FET；FET是電壓控制器(qi)件。
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二、MOSFET和BJT有什么區別
金屬(shu)氧化物(wu)半導體(ti)場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(MOSFET)和雙極(ji)結型晶(jing)體(ti)管(BJT)是兩種封裝形式(shi)各異的(de)晶(jing)體(ti)管，不熟悉電子產品的(de)人常常難以決定應(ying)該在他們的(de)開發項目中使用哪一種。雖然MOSFET和BJT都是晶(jing)體(ti)管，但(dan)它(ta)們的(de)工作方(fang)式(shi)不同，表現出不同的(de)行(xing)為(wei)，因此它(ta)們的(de)使用方(fang)式(shi)不同。
MOSFET和BJT之間有很(hen)多(duo)不同之處：
1、MOSFET（電(dian)壓控(kong)制）是金屬氧化物半導體，而BJT（電(dian)流控(kong)制）是雙極結(jie)型晶體管。
2、雖然兩者(zhe)都有(you)(you)三個終端，但它們(men)有(you)(you)所不同。MOSFET具有(you)(you)源極(ji)、漏極(ji)和(he)柵極(ji)，而BJT具有(you)(you)基極(ji)、發射極(ji)和(he)集電極(ji)。
3、MOSFET是高(gao)功率(lv)應用(yong)的理想選(xuan)擇(ze)，而BJT更常(chang)用(yong)于低電流(liu)應用(yong)。
4、BJT取決(jue)于(yu)其基極(ji)(ji)端(duan)子上(shang)的(de)電(dian)流，而MOSFET取決(jue)于(yu)氧化(hua)物(wu)絕緣柵電(dian)極(ji)(ji)上(shang)的(de)電(dian)壓。
5、MOSFET的結構(gou)本(ben)質上比BJT的結構(gou)更(geng)復雜。
三、三極管的作用是什么
1、擴流
把(ba)一(yi)只(zhi)(zhi)小(xiao)功率(lv)(lv)可(ke)(ke)控(kong)硅和(he)(he)一(yi)只(zhi)(zhi)大(da)(da)功率(lv)(lv)三(san)(san)極管組合，就可(ke)(ke)得到一(yi)只(zhi)(zhi)大(da)(da)功率(lv)(lv)可(ke)(ke)控(kong)硅，其最大(da)(da)輸出電(dian)(dian)(dian)流(liu)由大(da)(da)功率(lv)(lv)三(san)(san)極管的特性決定，利(li)用三(san)(san)極管的電(dian)(dian)(dian)流(liu)放大(da)(da)作(zuo)用，將(jiang)電(dian)(dian)(dian)容(rong)容(rong)量擴大(da)(da)若干倍。這種等效電(dian)(dian)(dian)容(rong)和(he)(he)一(yi)般電(dian)(dian)(dian)容(rong)器一(yi)樣，可(ke)(ke)浮置工(gong)作(zuo)，適用于在(zai)長延時電(dian)(dian)(dian)路(lu)中作(zuo)定時電(dian)(dian)(dian)容(rong)。
2、代換
兩(liang)只三極管(guan)(guan)(guan)串(chuan)聯(lian)可直接代(dai)(dai)換調光臺燈中的(de)雙向觸發二極管(guan)(guan)(guan)，三極管(guan)(guan)(guan)可代(dai)(dai)用(yong)8V左右(you)(you)的(de)穩壓管(guan)(guan)(guan)。三極管(guan)(guan)(guan)可代(dai)(dai)用(yong)30V左右(you)(you)的(de)穩壓管(guan)(guan)(guan)。上述應用(yong)時，三極管(guan)(guan)(guan)的(de)基極均不(bu)使用(yong)。
3、模擬
用三(san)極(ji)管夠成的(de)(de)電路還(huan)可(ke)(ke)以模擬其(qi)它(ta)元器件。大功率可(ke)(ke)變電阻價貴難覓，其(qi)穩壓(ya)(ya)原理是：當(dang)加到(dao)A、B兩端(duan)的(de)(de)輸入電壓(ya)(ya)上(shang)(shang)升(sheng)(sheng)時，因三(san)極(ji)管的(de)(de)B、E結壓(ya)(ya)降基本不(bu)變，故(gu)R2兩端(duan)壓(ya)(ya)降上(shang)(shang)升(sheng)(sheng)，經過R2的(de)(de)電流上(shang)(shang)升(sheng)(sheng)，三(san)極(ji)管發射結正(zheng)偏(pian)增(zeng)強，其(qi)導(dao)通(tong)性也增(zeng)強，C、E極(ji)間(jian)呈(cheng)現的(de)(de)等效電阻減小，壓(ya)(ya)降降低，從而使AB端(duan)的(de)(de)輸入電壓(ya)(ya)下(xia)降。調節R2即可(ke)(ke)調節此模擬穩壓(ya)(ya)管的(de)(de)穩壓(ya)(ya)值。
四、三極管的工作原理是什么
三(san)極(ji)管工(gong)作原理是(shi)：三(san)極(ji)管，是(shi)一種電流控制電流的半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)器件，三(san)極(ji)管是(shi)在一塊(kuai)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)基(ji)片上制作兩(liang)個相距(ju)很近(jin)的PN結，兩(liang)個PN結把整塊(kuai)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)分(fen)成三(san)部分(fen)，中(zhong)間部分(fen)是(shi)基(ji)區，兩(liang)側(ce)部分(fen)是(shi)發射區和(he)集電區，從而完(wan)成工(gong)作。
