汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步驟從晶圓(yuan)(yuan)開始，晶圓(yuan)(yuan)是從99.99%的純硅圓(yuan)(yuan)柱體上切下來的，并被打磨得極為光(guang)滑，再根據結構需求將導體、絕緣體或半(ban)導體材料薄膜沉積到晶圓(yuan)(yuan)上，以便能在上面印制第一層。

2、光刻膠涂覆

晶(jing)圓(yuan)隨后會(hui)被涂覆光(guang)敏材料(liao)“光(guang)刻(ke)(ke)膠”。光(guang)刻(ke)(ke)膠也分為(wei)兩種——“正性光(guang)刻(ke)(ke)膠”和(he)“負(fu)性光(guang)刻(ke)(ke)膠”。正性和(he)負(fu)性光(guang)刻(ke)(ke)膠的(de)主要(yao)區別(bie)在于材料(liao)的(de)化學結構和(he)光(guang)刻(ke)(ke)膠對光(guang)的(de)反應方(fang)式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的晶(jing)體管可(ke)以做到多小。晶(jing)圓會被放入光刻(ke)機(ji)中，暴露(lu)在深紫外光下。光線會通(tong)過“掩模(mo)版(ban)”投射到晶(jing)圓上(shang)，光刻(ke)機(ji)的光學系統（DUV系統的透鏡）將掩模(mo)版(ban)上(shang)設(she)計好(hao)的電路圖案縮小并聚(ju)焦到晶(jing)圓上(shang)的光刻(ke)膠。

4、刻蝕

在(zai)"刻(ke)蝕"過(guo)程中(zhong)，晶(jing)(jing)圓被(bei)烘烤和(he)顯影，一(yi)些(xie)光(guang)刻(ke)膠被(bei)洗(xi)掉，從而顯示出一(yi)個開放通道(dao)的3D圖案。刻(ke)蝕也分為“干(gan)式(shi)”和(he)“濕式(shi)”兩(liang)種。干(gan)式(shi)刻(ke)蝕使用氣體來確(que)定(ding)晶(jing)(jing)圓上的暴露(lu)圖案。濕式(shi)刻(ke)蝕通過(guo)化學方法來清洗(xi)晶(jing)(jing)圓

5、離子注入

一(yi)旦圖案被(bei)刻蝕在晶(jing)圓上，晶(jing)圓會受(shou)到正離(li)(li)子(zi)或負(fu)離(li)(li)子(zi)的(de)(de)轟擊，以調整部(bu)分圖案的(de)(de)導(dao)電(dian)特性。將帶電(dian)離(li)(li)子(zi)引導(dao)到硅晶(jing)體中，讓電(dian)的(de)(de)流動可以被(bei)控(kong)制，從(cong)而創造出芯片基本構(gou)件的(de)(de)電(dian)子(zi)開關(guan)——晶(jing)體管。

6、封裝

為(wei)了把芯(xin)片(pian)從晶圓上取出來，要用(yong)金剛石鋸(ju)將其切成單個芯(xin)片(pian)，稱(cheng)為(wei)“裸(luo)晶”，這些裸(luo)晶隨后會被放置(zhi)在(zai)“基板”上——這種基板使用(yong)金屬箔將裸(luo)晶的(de)輸(shu)入(ru)和輸(shu)出信號(hao)引導到(dao)系統的(de)其他部(bu)分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車(che)芯片的(de)主要材料(liao)是硅。硅是最常用(yong)的(de)芯片材料(liao)之一，價格低(di)廉、成熟，適(shi)用(yong)于(yu)大規(gui)模生產。硅芯片的(de)功率密度低(di)，特別適(shi)用(yong)于(yu)低(di)功耗和低(di)成本的(de)應(ying)用(yong)場景。硅材質也易于(yu)加工和集成，可以輕松實現超大規(gui)模的(de)集成電路。

汽車芯片很難制造嗎

造(zao)汽車(che)芯片(pian)的難度較大。

1、汽車(che)對芯片(pian)和元器件的工作溫(wen)度要(yao)求(qiu)比較寬(kuan)，根據不(bu)同的安裝(zhuang)位置(zhi)等有不(bu)同的需求(qiu)，但一般(ban)都(dou)要(yao)高(gao)于民用產品的要(yao)求(qiu)，比如發動機艙要(yao)求(qiu)-40℃-150℃；車(che)身控制要(yao)求(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)行(xing)進過程(cheng)中會遭遇更多(duo)的振動和沖擊，車規(gui)級半導體必須滿(man)足在(zai)高(gao)低溫(wen)交變、震動風擊、防水防曬、高(gao)速移(yi)動等(deng)各類變化(hua)中持續保證(zheng)穩定工作(zuo)。另外汽車對器件的抗干(gan)擾(rao)(rao)性能(neng)要(yao)求極(ji)高(gao)，包括抗ESD靜電，EFT群(qun)脈沖，RS傳導輻射、EMC，EMI等(deng)分析，芯片在(zai)這些干(gan)擾(rao)(rao)下既不能(neng)不可控的影響(xiang)工作(zuo)，也不能(neng)干(gan)擾(rao)(rao)車內(nei)別的設備（控制總線，MCU，傳感(gan)器，音響(xiang)，等(deng)等(deng)）等(deng)。