答復函中提及，為推動中國工(gong)(gong)業半導體材(cai)料、芯片(pian)、器件及IGBT模(mo)塊產(chan)業發(fa)展，工(gong)(gong)信部(bu)、發(fa)展改革委及相關部(bu)門，積極研究出臺政(zheng)策扶持產(chan)業發(fa)展。

一是2014年(nian)國務院發布的《推進綱要》中，已經將工(gong)業(ye)半導體芯片(pian)相(xiang)關產品作為發展(zhan)重點，通過資金、應用、人才等方(fang)面政策推動產業(ye)進步。

二(er)是發(fa)展改(gai)革委、我部研(yan)究(jiu)制定了集成(cheng)電路相關布局規劃，推(tui)動包括工(gong)業半(ban)導體材料、芯片等產業形成(cheng)區域集聚、主(zhu)體集中的(de)良性發(fa)展局面(mian)。

三(san)是(shi)按照國發〔2011〕4號文件(jian)的有(you)關要求，對(dui)符合條件(jian)的工業半(ban)導(dao)體(ti)芯片設計、制(zhi)造等企業的企業所得稅、進口關稅等方面(mian)出(chu)臺(tai)了多項稅收優惠政策，對(dui)相關領(ling)域給(gei)予重(zhong)點(dian)扶持。

四是(shi)圍繞能源、交通等(deng)國(guo)(guo)家重點工(gong)(gong)業領域(yu)，充分發揮相關(guan)行(xing)業組織作用(yong)，通過舉辦產(chan)用(yong)交流對接(jie)會(hui)、新(xin)產(chan)品(pin)推介會(hui)、發布(bu)典(dian)型應用(yong)示范案例等(deng)方式，為我(wo)國(guo)(guo)工(gong)(gong)業半導體(ti)芯(xin)片企業和整(zheng)機企業搭建交流合作平臺。

下一(yi)步，工信部及相關部門將持續推進工業(ye)(ye)半(ban)導(dao)體(ti)材料、芯片(pian)、器件及IGBT模塊產業(ye)(ye)發(fa)(fa)展，根據產業(ye)(ye)發(fa)(fa)展形(xing)勢，調整完善政策實施細則，更好(hao)的支(zhi)持產業(ye)(ye)發(fa)(fa)展。通(tong)過行業(ye)(ye)協會等加大產業(ye)(ye)鏈合(he)作(zuo)力度，深入推進產學(xue)研用(yong)協同，促進我國(guo)工業(ye)(ye)半(ban)導(dao)體(ti)材料、芯片(pian)、器件及IGBT模塊產業(ye)(ye)的技術迭代(dai)和應用(yong)推廣。

答復函中(zhong)還(huan)提(ti)及，工(gong)信部與(yu)相(xiang)關(guan)部門積極支持國內企業(ye)、高(gao)校、研究(jiu)院所(suo)與(yu)先進發(fa)達(da)國家加(jia)強交流(liu)合作。引進國外(wai)先進技術(shu)和研發(fa)團隊(dui)，推動(dong)包括工(gong)業(ye)半(ban)導(dao)體芯(xin)片(pian)、器件等領(ling)域國際(ji)專家來(lai)華交流(liu)，支持海(hai)外(wai)高(gao)層次產業(ye)人才來(lai)華發(fa)展(zhan)，提(ti)升中(zhong)國在工(gong)業(ye)半(ban)導(dao)體芯(xin)片(pian)相(xiang)關(guan)領(ling)域的研發(fa)能力和技術(shu)實力。

下一步(bu)，工信部(bu)和相關部(bu)門將(jiang)繼續加快推(tui)進開(kai)放(fang)發展。引導國(guo)(guo)內企業、研究機構等(deng)加強與先(xian)進發達國(guo)(guo)家(jia)產(chan)學(xue)研機構的戰略合作，進一步(bu)鼓(gu)勵中國(guo)(guo)企業引進國(guo)(guo)外專家(jia)團隊，促進中國(guo)(guo)工業半導體材料、芯片、器件及(ji)IGBT模塊產(chan)業研發能(neng)力和產(chan)業能(neng)力的提升。

工(gong)信部回(hui)復(fu)稱，為(wei)解決工(gong)業半導(dao)體材(cai)料(liao)、芯片、器件(jian)、IGBT模塊等(deng)核心部件(jian)的關鍵性技術問題(ti)，工(gong)信部等(deng)相關部門積(ji)極支持工(gong)業半導(dao)體材(cai)料(liao)、芯片、器件(jian)、IGBT模塊領域關鍵技術攻(gong)關。

一(yi)是2017年工(gong)信部推(tui)出“工(gong)業強(qiang)基IGBT器件一(yi)條(tiao)龍應用計(ji)劃”，針對(dui)新能(neng)源汽(qi)車(che)、智能(neng)電(dian)網、軌道交通三大領域(yu)，重(zhong)點支持IGBT設計(ji)、芯片制造、模塊生產(chan)及IDM、上游材料、生產(chan)設備制造等環(huan)節，促進IGBT及相關產(chan)業的(de)發展。

二(er)是(shi)指導湖南省建(jian)立功(gong)率(lv)半導體(ti)制(zhi)造業創(chuang)新(xin)中心(xin)建(jian)設，整合產業鏈上下游(you)資源，協同攻關工業半導體(ti)材料(liao)、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技(ji)術。

三(san)是指(zhi)導中國寬禁帶半(ban)導體及應(ying)用產(chan)業(ye)聯盟發布《中國IGBT技術(shu)(shu)與產(chan)業(ye)發展(zhan)路線圖(2018-2030)》，引導我國IGBT行業(ye)技術(shu)(shu)升(sheng)級，推動(dong)相關產(chan)業(ye)發展(zhan)。

下一(yi)步(bu)，工信部(bu)將繼續支(zhi)持我國(guo)工業(ye)半(ban)導體領(ling)域成熟技術發(fa)展(zhan)，推動中國(guo)芯(xin)片制造領(ling)域良率(lv)、產量的提(ti)升。積極部(bu)署新材(cai)料及新一(yi)代產品技術的研(yan)發(fa)，推動我國(guo)工業(ye)半(ban)導體材(cai)料、芯(xin)片、器件、IGBT模塊(kuai)產業(ye)的發(fa)展(zhan)。

工(gong)信部表(biao)示，當(dang)前，人才(cai)問(wen)題特別是高(gao)端人才(cai)團隊短缺(que)成(cheng)為制約中(zhong)國工(gong)業半(ban)導體(ti)材料、芯片、器件及(ji)(ji)IGBT模塊(kuai)產(chan)業可持續發展的關鍵(jian)因素，為此(ci)工(gong)信部及(ji)(ji)相(xiang)關部門積(ji)極推(tui)動中(zhong)國相(xiang)關產(chan)業人才(cai)的培養。

一是工信部(bu)、教(jiao)育部(bu)共同(tong)推動(dong)籌建(jian)集成(cheng)電路(lu)產教(jiao)融合發展聯盟(meng)，促進產業界和(he)學(xue)術(shu)界的(de)資源整合，推動(dong)培養擁有工程化能力的(de)產業人才。

二是(shi)同(tong)時以集成電路為試點(dian)實(shi)施關(guan)鍵領域核心(xin)技術(shu)緊缺博士(shi)人(ren)才自主(zhu)培養專項(xiang)，根據(ju)行(xing)業企業需要，依托高(gao)水平大學和國(guo)內骨干企業，針對性地培養一批高(gao)端博士(shi)人(ren)才。

三是教(jiao)育(yu)部、工信部等(deng)相關部門印發了《關于支持(chi)有關高校(xiao)建設示(shi)范性微電子學(xue)院(yuan)的通知》，支持(chi)26所(suo)高校(xiao)建設或(huo)籌建示(shi)范性微電子學(xue)院(yuan)，推(tui)動高校(xiao)與區域內集成電路(lu)領域骨(gu)干企(qi)業(ye)、國家公共服務(wu)平臺、科技(ji)創(chuang)新平臺、產業(ye)化基地和地方政府(fu)等(deng)加強(qiang)合作。

工(gong)信部表示(shi)，下一步(bu)，與教育部等部門將進(jin)一步(bu)加強人(ren)才隊(dui)伍建設(she)。推進(jin)設(she)立集(ji)成(cheng)電路(lu)一級學(xue)科，進(jin)一步(bu)做實做強示(shi)范性微電子學(xue)院，加快建設(she)集(ji)成(cheng)電路(lu)產教融合協同育人(ren)平臺，保障我國(guo)在工(gong)業(ye)半導體(ti)材(cai)料、芯片、器件及IGBT模塊產業(ye)的可持續發展(zhan)。