2021年6月17日-18日，在上海(hai)舉辦的(de)“2021全球xEV電驅動系統技術暨(ji)產(chan)業大會(hui)”上，比亞迪半導體憑(ping)借在功率芯片和模塊等技術上的(de)創(chuang)新突(tu)破(po)，經(jing)過電動車(che)行業專家評審(shen)團(tuan)隊多(duo)輪篩選(xuan)與推薦，最終榮(rong)(rong)獲“國產(chan)功率模塊TOP企業”殊榮(rong)(rong)！

據悉(xi)， 2021全球xEV電驅動(dong)系(xi)統(tong)技術(shu)暨產業(ye)大會，由(you)NE時代舉辦。本次論(lun)壇聚焦純電與混動(dong)電驅系(xi)統(tong)，重點關(guan)注(zhu)節能、高轉速、OTA等技術(shu)方向(xiang)，追蹤關(guan)鍵材料及功率器件。大會同時發布了(le)2021中國(guo)領先電驅動(dong)產業(ye)鏈(lian)Top 50榜(bang)單，比(bi)亞迪半導體榮獲“國(guo)產功率模塊TOP企業(ye)”獎。

在新(xin)能源汽車市場的(de)引導(dao)和技術創(chuang)新(xin)的(de)驅(qu)動下(xia)，NE時(shi)代提名了50家(jia)綜合表現優(you)秀的(de)電驅(qu)動產(chan)業(ye)鏈企(qi)業(ye)。本(ben)次(ci)評選，既是對當下(xia)中國新(xin)能源汽車產(chan)業(ye)高速(su)發展的(de)體會，也是對未來電驅(qu)動行業(ye)持續發展的(de)良好期許(xu)。

電驅動，決定(ding)著電動汽車(che)未(wei)來(lai)(lai)的(de)普及和長遠發(fa)展(zhan)。功(gong)率(lv)器件(jian)作為新(xin)能源(yuan)汽車(che)動力供應(ying)系統中的(de)關(guan)鍵(jian)技術(shu)(shu)，未(wei)來(lai)(lai)十年(nian)的(de)需求量將呈爆發(fa)式增(zeng)長，電驅的(de)發(fa)展(zhan)要求也給(gei)功(gong)率(lv)模(mo)塊帶來(lai)(lai)更(geng)大的(de)挑戰。作為國內功(gong)率(lv)半導體(ti)技術(shu)(shu)的(de)領跑者(zhe)，比亞迪半導體(ti)股(gu)份有限公司(si)功(gong)率(lv)半導體(ti)產品中心(xin)副總監吳海平在論壇上發(fa)表精彩(cai)演講，深度(du)闡(chan)述(shu)新(xin)能源(yuan)汽車(che)功(gong)率(lv)器件(jian)的(de)發(fa)展(zhan)與(yu)應(ying)用，與(yu)國內外(wai)主流代(dai)表企業(ye)共同探(tan)討(tao)功(gong)率(lv)模(mo)塊關(guan)鍵(jian)技術(shu)(shu)。

吳(wu)海平先(xian)生提(ti)(ti)到，比(bi)亞迪(di)半導體(ti)電驅(qu)(qu)功(gong)(gong)率(lv)模塊技術(shu)從間接(jie)水冷發展(zhan)到現在(zai)的(de)(de)SiC MOS 直接(jie)水冷、超聲波(bo)焊接(jie)、納米銀燒(shao)結技術(shu)，給新能源汽車(che)電機驅(qu)(qu)動帶(dai)來明(ming)顯的(de)(de)效率(lv)提(ti)(ti)升(sheng)，電機驅(qu)(qu)動控制(zhi)器體(ti)積減小60%以上(shang)。同時，新能源汽車(che)的(de)(de)發展(zhan)給功(gong)(gong)率(lv)芯片(pian)也(ye)帶(dai)來了更(geng)嚴(yan)格的(de)(de)挑戰，意味著更(geng)低(di)的(de)(de)損耗(hao)和(he)成(cheng)本(ben)，更(geng)高(gao)的(de)(de)集成(cheng)度(du)、工作結溫和(he)可(ke)靠(kao)(kao)性，更(geng)薄(bo)的(de)(de)晶圓厚度(du)、精細化(hua)(hua)、RC IGBT、集成(cheng)化(hua)(hua)也(ye)成(cheng)為了IGBT芯片(pian)的(de)(de)技術(shu)趨勢。目前比(bi)亞迪(di)半導體(ti)基于(yu)(yu)高(gao)密(mi)度(du)Trench FS 的(de)(de)新一代IGBT 6.0芯片(pian)將(jiang)于(yu)(yu)下半年發布(bu)，致力(li)于(yu)(yu)進一步提(ti)(ti)高(gao)IGBT芯片(pian)的(de)(de)電流密(mi)度(du)，提(ti)(ti)升(sheng)功(gong)(gong)率(lv)半導體(ti)的(de)(de)可(ke)靠(kao)(kao)性，降低(di)產品成(cheng)本(ben)，提(ti)(ti)高(gao)應(ying)用系統(tong)的(de)(de)整體(ti)功(gong)(gong)率(lv)密(mi)度(du)。吳(wu)海平表示(shi)，IGBT6.0芯片(pian)采用新一代自主(zhu)研發的(de)(de)高(gao)密(mi)度(du)溝(gou)槽柵(zha)技術(shu)，相較同類(lei)產品在(zai)可(ke)靠(kao)(kao)性及產品性能上(shang)將(jiang)實現重大突破(po)，達到國際領(ling)先(xian)行列。

“目前，比(bi)(bi)亞(ya)迪半(ban)導(dao)體模(mo)塊(kuai)產品的(de)(de)發展階(jie)段也是從間接散熱(re)到(dao)(dao)直接散熱(re)IGBT再到(dao)(dao)SiC，最后到(dao)(dao)超(chao)小型雙(shuang)面燒(shao)結SiC。其(qi)中，采用(yong)納米(mi)銀燒(shao)結工藝的(de)(de)碳化硅模(mo)塊(kuai)已大批(pi)量裝車(che)應(ying)用(yong)于去年上市的(de)(de)新(xin)能源車(che)“漢”EV上。今年，比(bi)(bi)亞(ya)迪發布(bu)了令(ling)世人矚目的(de)(de)DMI超(chao)級混動技(ji)術(shu)，比(bi)(bi)亞(ya)迪半(ban)導(dao)體先進(jin)、成熟的(de)(de)IGBT芯片和模(mo)塊(kuai)技(ji)術(shu)正是支撐DMI的(de)(de)核心技(ji)術(shu)之一，”吳海平提(ti)到(dao)(dao)。

比(bi)亞(ya)迪(di)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)股份(fen)有(you)限公司成立(li)于(yu)2004年10月，是國內(nei)領(ling)先的(de)(de)高效(xiao)、智能(neng)、集成新型半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)企業。經(jing)過近二十年技術沉淀，比(bi)亞(ya)迪(di)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)立(li)足自主研(yan)發，結合國際先進(jin)技術，比(bi)亞(ya)迪(di)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)已擁有(you)國內(nei)領(ling)先的(de)(de)功率(lv)芯片設(she)計經(jing)驗，成熟(shu)的(de)(de)晶圓制(zhi)(zhi)造(zao)工(gong)藝、功率(lv)模塊生產(chan)能(neng)力、獨有(you)的(de)(de)測(ce)試(shi)條件(jian)以及應用平臺，產(chan)品(pin)涵蓋(gai)功率(lv)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)、智能(neng)控(kong)制(zhi)(zhi)IC、智能(neng)傳感器、光(guang)電半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)、制(zhi)(zhi)造(zao)及服務(wu)，已廣(guang)泛應用于(yu)汽(qi)車、能(neng)源、工(gong)業、通訊和(he)消費(fei)電子(zi)等領(ling)域，具有(you)廣(guang)闊(kuo)的(de)(de)市場(chang)前(qian)景。

作(zuo)為(wei)國內(nei)領(ling)先的車規級半導體(ti)整體(ti)方案供應(ying)商，比亞迪半導體(ti)秉承技術(shu)為(wei)王、創新(xin)(xin)為(wei)本，矢(shi)志為(wei)廣大客(ke)戶(hu)提供高效、智能、集成的新(xin)(xin)型(xing)半導體(ti)產品。同時，比亞迪半導體(ti)擁有完整的產業鏈結(jie)構、先進的技術(shu)以(yi)(yi)及整車應(ying)用平臺(tai)，在(zai)集成化、平臺(tai)化、網聯協同化的大趨(qu)勢下保持著(zhu)快速發展(zhan)的態勢，以(yi)(yi)高品質服務于國際國內(nei)的行(xing)業領(ling)先客(ke)戶(hu)。