1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核(he)(he)心型(xing)號(hao)差(cha)一(yi)檔,性能(neng)也就差(cha)了一(yi)檔,所(suo)以可根據(ju)核(he)(he)心型(xing)號(hao)來判(pan)斷(duan)顯(xian)卡(ka)的(de)(de)(de)高(gao)低,例(li)如,N卡(ka)型(xing)號(hao)的(de)(de)(de)前(qian)綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后的(de)(de)(de)兩位(wei)數或一(yi)位(wei)數代表代數,再其(qi)后兩位(wei)數越(yue)大,表示(shi)同(tong)代中的(de)(de)(de)性能(neng)就越(yue)強,后綴有Ti、SE、M、MX,分別表示(shi)加強版(ban)、閹(yan)割版(ban)、移動版(ban)、移動加強版(ban)。
2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi):流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)是顯卡(ka)(ka)的(de)核心,直接影(ying)響處(chu)(chu)理(li)(li)能力,對(dui)于N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說,流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)個數(shu)越多則處(chu)(chu)理(li)(li)能力越強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)可采取近(jin)似比(bi)較,N卡(ka)(ka)的(de)1個流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)相當于AMD的(de)5個流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)。
3、顯(xian)(xian)(xian)存(cun)位寬(kuan):顯(xian)(xian)(xian)存(cun)位寬(kuan)表(biao)示一個時鐘周期(qi)內(nei)所能傳(chuan)(chuan)送數(shu)據的(de)位數(shu),位數(shu)越大則傳(chuan)(chuan)輸量越大,常見的(de)有64位、128位和256位顯(xian)(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)(xian)存(cun)頻率相當(dang)情況下,顯(xian)(xian)(xian)存(cun)位寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的(de)大小。
4、顯(xian)存類型(xing):顯(xian)存類型(xing)主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三(san)種(zhong),SDRAM顆粒(li)主要應用(yong)在低端顯(xian)卡上,頻(pin)率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流;DDR SGRAM適合(he)繪圖(tu)專用(yong)。
5、散熱(re)設計:散熱(re)系統的(de)好壞直(zhi)接決定了性能發揮(hui)的(de)穩定性,被動式(shi)(shi)噪音(yin)低,適合(he)(he)低頻率顯(xian)卡(ka)(ka);主動式(shi)(shi)有散熱(re)片和風(feng)扇,適合(he)(he)高頻率顯(xian)卡(ka)(ka);導流(liu)式(shi)(shi)適合(he)(he)高檔(dang)游(you)戲顯(xian)卡(ka)(ka)。