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1、顯(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)卡(ka)核心(xin)型(xing)號(hao)差一檔，性能(neng)也就(jiu)差了一檔，所以可(ke)根(gen)據(ju)核心(xin)型(xing)號(hao)來判斷(duan)顯(xian)卡(ka)的高低，例如(ru)，N卡(ka)型(xing)號(hao)的前(qian)綴一共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后的兩(liang)(liang)位(wei)(wei)數(shu)(shu)或一位(wei)(wei)數(shu)(shu)代表(biao)代數(shu)(shu)，再(zai)其(qi)后兩(liang)(liang)位(wei)(wei)數(shu)(shu)越大(da)，表(biao)示(shi)(shi)同代中的性能(neng)就(jiu)越強，后綴有(you)Ti、SE、M、MX，分別表(biao)示(shi)(shi)加(jia)強版、閹割版、移動版、移動加(jia)強版。

2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器：流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器是(shi)顯卡的核心(xin)，直接影響處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能力(li)，對于N卡和A卡來說(shuo)，流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)個(ge)(ge)(ge)數越(yue)多則處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能力(li)越(yue)強。N卡和A卡的流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)可(ke)采取近(jin)似比較，N卡的1個(ge)(ge)(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)相當于AMD的5個(ge)(ge)(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)：顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)表(biao)示一個(ge)時鐘周期內所(suo)能傳(chuan)送數據的位(wei)(wei)數，位(wei)(wei)數越(yue)大(da)則傳(chuan)輸(shu)量(liang)越(yue)大(da)，常(chang)見的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況下，顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)決定(ding)著帶寬(kuan)的大(da)小。

4、顯存(cun)(cun)類(lei)型：顯存(cun)(cun)類(lei)型主要(yao)有(you)SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒主要(yao)應用在低端(duan)顯卡上，頻率一(yi)般(ban)不超(chao)過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適(shi)合繪(hui)圖專用。

5、散(san)熱設計(ji)：散(san)熱系(xi)統(tong)的好壞直接決定了性(xing)能發(fa)揮的穩定性(xing)，被動(dong)式(shi)(shi)噪音低(di)，適合低(di)頻率(lv)顯卡(ka)；主動(dong)式(shi)(shi)有散(san)熱片和風扇，適合高(gao)頻率(lv)顯卡(ka)；導流式(shi)(shi)適合高(gao)檔游(you)戲顯卡(ka)。