一、手機芯片幾納米是什么意思

對手機芯片比(bi)較關注的(de)經常會聽到(dao)幾納米(mi)(mi)幾納米(mi)(mi)的(de)芯片，這個納米(mi)(mi)是什么意思(si)呢？

其實，手機芯片幾納米，指的是手機芯片的工藝制(zhi)程：手機芯片是晶體管(guan)結構，在晶體管(guan)結構中(zhong)，電流從Source（源極(ji)(ji)）流入Drain（漏(lou)級），Gate（柵(zha)極(ji)(ji)）相當于閘門(men)，主要負責控(kong)制(zhi)兩端源極(ji)(ji)和漏(lou)級的通斷。而柵(zha)極(ji)(ji)的最(zui)小寬度（柵(zha)長），就(jiu)是工藝制(zhi)程。

手機芯(xin)(xin)片(pian)的(de)工藝(yi)制(zhi)程越(yue)小(xiao)(xiao)，柵極寬度越(yue)小(xiao)(xiao)，意(yi)味著(zhu)閘(zha)門通(tong)道(dao)越(yue)小(xiao)(xiao)，那么單位面積所容納(na)的(de)晶體管就會越(yue)多，芯(xin)(xin)片(pian)性能也(ye)就越(yue)強，芯(xin)(xin)片(pian)也(ye)就越(yue)先進(jin)。

二、手機芯片納米越小越好嗎

理論上來說，手機(ji)芯片的納米數(shu)越小，說明工藝制程越先進(jin)，因為縮(suo)小工藝制程有以下三大(da)好處：

1、降低能耗

縮小工藝(yi)制程(cheng)后，晶(jing)體管之間的(de)通道變窄，晶(jing)體管之間的(de)電容也(ye)會(hui)變低(di)，從而(er)提升開(kai)關(guan)(guan)的(de)頻率(lv)。而(er)晶(jing)體管開(kai)關(guan)(guan)消耗(hao)的(de)電量與電容成正比，因此，電容降低(di)后，開(kai)關(guan)(guan)速度(du)更快(kuai)、也(ye)更省電。此外，工藝(yi)更精細的(de)芯片，需(xu)要更低(di)的(de)開(kai)關(guan)(guan)電壓，也(ye)能降低(di)部分能耗(hao)。

2、節約材料

芯片(pian)向(xiang)著更(geng)小的(de)工(gong)藝(yi)尺寸(cun)進發(fa)，會導致組件更(geng)小，一(yi)片(pian)晶(jing)圓切割出(chu)來的(de)芯片(pian)就會更(geng)多，進而節約(yue)材料，達(da)到(dao)降低成本(ben)的(de)目的(de)。但是(shi)，當(dang)芯片(pian)工(gong)藝(yi)達(da)到(dao)一(yi)定程度后，尤其是(shi)進入(ru)7nm工(gong)藝(yi)后，高昂(ang)的(de)設備成本(ben)、精細(xi)化制造、無塵化工(gong)廠等(deng)反而吞噬了(le)晶(jing)圓切割出(chu)來的(de)更(geng)多晶(jing)片(pian)。

3、滿足輕薄設備的需求

縮小(xiao)(xiao)工藝尺(chi)寸(cun)還(huan)有一個好處(chu)，就是(shi)可以(yi)在(zai)不(bu)變大(da)芯(xin)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)前提(ti)下，提(ti)高芯(xin)片(pian)能(neng)性能(neng)，以(yi)達到提(ti)高手機(ji)、電腦性能(neng)的(de)目的(de)。同時高性能(neng)，小(xiao)(xiao)尺(chi)寸(cun)的(de)芯(xin)片(pian)也有助于制(zhi)造輕薄(bo)設(she)備(bei)，使設(she)備(bei)向(xiang)輕薄(bo)型、微小(xiao)(xiao)型進軍(jun)。

不(bu)過實際上，并(bing)不(bu)一(yi)定(ding)手機(ji)芯片(pian)納米越小越好(hao)，因(yin)為(wei)手機(ji)芯片(pian)的性能還會受到其他因(yin)素的影響，包括核心數、主(zhu)頻、CPU架(jia)構等。

三、手機芯片是幾納米工藝

手(shou)機(ji)芯片(pian)是(shi)(shi)幾(ji)納米工藝(yi)，主要看(kan)手(shou)機(ji)芯片(pian)的(de)型號，過(guo)去一度認為(wei)7nm是(shi)(shi)芯片(pian)的(de)物理(li)極限，因為(wei)當(dang)制(zhi)程低于(yu)7nm時，晶體管非常集中，而且距離非常近，柵極的(de)厚度也(ye)接近極限，因此容(rong)易(yi)產生(sheng)量子隧穿效應，漏電率(lv)會大幅增加，不過(guo)隨著(zhu)技(ji)術(shu)的(de)進步(bu)，7nm、5nm技(ji)術(shu)逐漸(jian)攻破，7nm和5nm的(de)手(shou)機(ji)芯片(pian)也(ye)是(shi)(shi)現在主流手(shou)機(ji)品牌使用的(de)；隨著(zhu)技(ji)術(shu)的(de)進步(bu)，各大廠商已(yi)經開(kai)始(shi)進軍(jun)3nm、2nm工藝(yi)了(le)。