一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結型(xing)場效應管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場效應(ying)管是電壓控(kong)制(zhi)器(qi)件，它(ta)通過(guo)VGS（柵源電壓）來控(kong)制(zhi)ID（漏極電流）。

2、場效應管的控制輸入(ru)(ru)端電(dian)流極小(xiao)，因(yin)此(ci)它的輸入(ru)(ru)電(dian)阻(zu)（107～1012Ω）很大。

3、它是利用多數載流子導電，因此它的溫(wen)度穩定(ding)性較好。

4、它組成的(de)放(fang)大(da)(da)電路的(de)電壓(ya)放(fang)大(da)(da)系數要(yao)小于三極管組成放(fang)大(da)(da)電路的(de)電壓(ya)放(fang)大(da)(da)系數。

5、場效應(ying)管的(de)抗輻射能力強。

6、由于它(ta)不存在雜亂運動的電子擴散引(yin)起的散粒噪(zao)聲，所以(yi)噪(zao)聲低。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在場效應晶體管中(zhong)，柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)電(dian)壓可以控制(zhi)漏極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)電(dian)流。當柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓為(wei)零時，漏極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)電(dian)流是最大的(de)，這(zhe)(zhe)種狀(zhuang)態(tai)被稱為(wei)飽和(he)(he)狀(zhuang)態(tai)。當柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓增加時，漏極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)電(dian)流會(hui)減小，這(zhe)(zhe)種狀(zhuang)態(tai)被稱為(wei)截止狀(zhuang)態(tai)。

場效應晶體(ti)管(guan)是一(yi)種非常重要(yao)的(de)(de)(de)(de)半導體(ti)器件，它(ta)的(de)(de)(de)(de)工作(zuo)(zuo)原理是利用(yong)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)場的(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用(yong)來(lai)控制源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)和(he)漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)流，可以(yi)用(yong)一(yi)個(ge)簡單的(de)(de)(de)(de)模型來(lai)解釋。假設柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)為零，漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)流為I0。當柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)為Vg時，柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)場會(hui)產(chan)生(sheng)一(yi)個(ge)電(dian)勢(shi)差(cha)，這(zhe)個(ge)電(dian)勢(shi)差(cha)可以(yi)用(yong)公式Vg=Ed/d來(lai)計算，其中Ed是電(dian)場強度(du)，d是柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)距(ju)離。這(zhe)個(ge)電(dian)勢(shi)差(cha)會(hui)影響(xiang)漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)流，使(shi)得(de)電(dian)流減小到(dao)I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是場效應晶體(ti)管(guan)的(de)(de)(de)(de)特定電(dian)壓(ya)。