一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵(zha)極相對于源極的電壓。

與(yu)NMOS一樣，導通的(de)PMOS的(de)工作區(qu)域(yu)也分為非飽和區(qu)，臨(lin)界飽和點和飽和區(qu)。當然，不(bu)論NMOS還是(shi)PMOS，當未(wei)形(xing)成反型溝道(dao)時，都處于截止(zhi)區(qu)，其電(dian)壓條件是(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值(zhi)得注意(yi)的(de)是(shi)，PMOS的(de)VGS和VTP都是(shi)負值(zhi)。

PMOS集成(cheng)(cheng)電路是一種適合(he)(he)在(zai)低(di)速、低(di)頻領域內應用的(de)器件。PMOS集成(cheng)(cheng)電路采用-24V電壓供電。MOS場效應晶(jing)體管具有很(hen)高的(de)輸入阻抗，在(zai)電路中便(bian)于直接耦合(he)(he)，容易制成(cheng)(cheng)規模大的(de)集成(cheng)(cheng)電路。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟電(dian)壓(ya)（又(you)稱閾值電(dian)壓(ya)）：使(shi)得源極S和(he)漏(lou)極D之間開始(shi)形成導(dao)電(dian)溝道所需的(de)(de)柵(zha)極電(dian)壓(ya)，標(biao)準的(de)(de)N溝道MOS管，VT約(yue)為3～6V，通過工藝上的(de)(de)改進，可以使(shi)MOS管的(de)(de)VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即(ji)在柵(zha)源極(ji)(ji)之間(jian)加的(de)電壓與柵(zha)極(ji)(ji)電流之比，這(zhe)一(yi)特性有時以(yi)流過柵(zha)極(ji)(ji)的(de)柵(zha)流表示，MOS管的(de)RGS可以(yi)很(hen)容(rong)易地(di)超過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型(xing)）的(de)(de)條件(jian)下(xia)，在增加漏(lou)(lou)源(yuan)電(dian)(dian)壓(ya)過程中使(shi)ID開(kai)始劇(ju)增時的(de)(de)VDS稱為漏(lou)(lou)源(yuan)擊(ji)(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)BVDS，ID劇(ju)增的(de)(de)原因有下(xia)列兩個方面：（1）漏(lou)(lou)極(ji)附近(jin)耗盡層(ceng)(ceng)的(de)(de)雪崩擊(ji)(ji)穿(chuan)，（2）漏(lou)(lou)源(yuan)極(ji)間的(de)(de)穿(chuan)通擊(ji)(ji)穿(chuan)，有些MOS管中，其(qi)溝(gou)道長(chang)度較短(duan)，不斷增加VDS會使(shi)漏(lou)(lou)區(qu)的(de)(de)耗盡層(ceng)(ceng)一直(zhi)擴展到(dao)源(yuan)區(qu)，使(shi)溝(gou)道長(chang)度為零，即(ji)產生漏(lou)(lou)源(yuan)間的(de)(de)穿(chuan)通，穿(chuan)通后，源(yuan)區(qu)中的(de)(de)多(duo)數載流子，將直(zhi)接受耗盡層(ceng)(ceng)電(dian)(dian)場的(de)(de)吸引，到(dao)達(da)漏(lou)(lou)區(qu)，產生大的(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)加柵源電(dian)壓過程(cheng)中，使柵極(ji)電(dian)流IG由零(ling)開始劇(ju)增(zeng)時的VGS，稱為柵源擊穿電(dian)壓BVGS。

5、低頻跨導(dao)gm

在(zai)(zai)VDS為某(mou)一(yi)固(gu)定數(shu)(shu)值的條件下，漏(lou)極電流(liu)的微變(bian)量和引起這個(ge)(ge)變(bian)化的柵源電壓(ya)(ya)微變(bian)量之比稱為跨(kua)導(dao)，gm反映了柵源電壓(ya)(ya)對漏(lou)極電流(liu)的控制能(neng)力(li)，是表征MOS管(guan)放(fang)大能(neng)力(li)的一(yi)個(ge)(ge)重(zhong)要(yao)參數(shu)(shu)，一(yi)般在(zai)(zai)十(shi)分之幾(ji)至幾(ji)mA/V的范圍內。

6、導通電阻RON

導通電阻(zu)RON說明(ming)了(le)VDS對(dui)(dui)ID的(de)(de)(de)(de)影響，是漏極特性某一(yi)(yi)點(dian)切線的(de)(de)(de)(de)斜率(lv)的(de)(de)(de)(de)倒數，在(zai)(zai)(zai)飽和區，ID幾(ji)(ji)(ji)乎不隨VDS改變，RON的(de)(de)(de)(de)數值(zhi)很大(da)，一(yi)(yi)般在(zai)(zai)(zai)幾(ji)(ji)(ji)十千歐到幾(ji)(ji)(ji)百(bai)(bai)千歐之間，由(you)于在(zai)(zai)(zai)數字電路中，MOS管(guan)導通時經常工作在(zai)(zai)(zai)VDS=0的(de)(de)(de)(de)狀(zhuang)態下(xia)，所以這時的(de)(de)(de)(de)導通電阻(zu)RON可用原點(dian)的(de)(de)(de)(de)RON來(lai)近似，對(dui)(dui)一(yi)(yi)般的(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)而言(yan)，RON的(de)(de)(de)(de)數值(zhi)在(zai)(zai)(zai)幾(ji)(ji)(ji)百(bai)(bai)歐以內。

7、極間電容

三個電(dian)(dian)極之間都存在著極間電(dian)(dian)容(rong)：柵(zha)源電(dian)(dian)容(rong)CGS、柵(zha)漏(lou)電(dian)(dian)容(rong)CGD和(he)漏(lou)源電(dian)(dian)容(rong)CDS，CGS和(he)CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)是由管子內部載流子運動的(de)(de)(de)不(bu)規則(ze)性所引起的(de)(de)(de)，由于它的(de)(de)(de)存(cun)在，就使一個放(fang)大(da)器即便在沒有信號輸(shu)人時，在輸(shu)出(chu)(chu)端(duan)也出(chu)(chu)現不(bu)規則(ze)的(de)(de)(de)電壓或電流變化，噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)性能的(de)(de)(de)大(da)小(xiao)通常用噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)NF來表示(shi)，它的(de)(de)(de)單位(wei)為(wei)(wei)分(fen)貝（dB），這個數(shu)值(zhi)越小(xiao)，代表管子所產(chan)生的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)越小(xiao)，低(di)頻(pin)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)是在低(di)頻(pin)范圍(wei)內測出(chu)(chu)的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)，場效應管的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)約(yue)為(wei)(wei)幾(ji)個分(fen)貝，它比雙極性三(san)極管的(de)(de)(de)要小(xiao)。